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公开(公告)号：CN109251679A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201710570211.2
申请日：2017-07-13
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3105
Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液，所述化学机械抛光液包含氧化铈磨料、低聚糖及pH调节剂。本发明还提供了一种采用上述配方的化学机械抛光液在二氧化硅介质表面抛光中的应用。采用上述配方的化学机械抛光液，能够保持低的缺陷度的同时显著提高氧化铈磨料对二氧化硅介质材料的抛光速率。
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公开(公告)号：CN109251678A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201710570204.2
申请日：2017-07-13
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液包含氧化铈磨料低聚糖及pH调节剂。本发明还提供了一种采用上述配方的化学机械抛光液在二氧化硅介质表面抛光中的应用。采用上述配方的化学机械抛光液，能够保持低的缺陷度的同时显著提高氧化铈磨料对二氧化硅介质材料的抛光速率。
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公开(公告)号：CN109251673A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201710569720.3
申请日：2017-07-13
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液，包含氧化铈磨料颗粒、聚季铵盐及pH调节剂。本发明中的聚季铵盐可控制氧化硅的抛光速率，使得在高压下达到高的氧化硅抛光速率，在低压下实现低的氧化硅的抛光速率，从而取得较低碟形凹陷(dishing)。
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公开(公告)号：CN108624234A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710168873.7
申请日：2017-03-21
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种化学机械抛光液，其中包含纳米研磨颗粒、含有季铵结构官能团的有机硅化学添加剂及pH调节剂。本发明选用纳米研磨颗粒在经所选含有季铵基团的有机硅处理后，在pH 2～12范围内显示出良好的稳定性，并且在低的颗粒浓度下具有高的二氧化硅抛光速率和低抛光表面缺陷率。
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公开(公告)号：CN118270814A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211728697.5
申请日：2022-12-30
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种α‑Al2O3的合成方法，包括：将氧化铝前驱体依次进行粉碎处理和高温相转化处理，所述氧化铝前驱体选自氢氧化铝、勃姆石、γ‑Al2O3中的一种或多种。本发明通球磨分散结合多阶段焙烧工艺，制备出具有纳米颗粒粒度、高分散稳定性的α‑Al2O3纳米颗粒分散液，应用于Al和W的CMP抛光，显示出良好的CMP抛光特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116409809A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111658452.5
申请日：2021-12-30
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C01F17/235 , C01F17/10 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种合成氧化铈的方法，包括：S1.准备原料，配制铈源水溶液和碱性沉淀剂溶液；S2.晶化合成，将铈源水溶液和碱性沉淀剂溶液送入反应釜中进行晶化反应，反应全程通入惰性气氛保护；S3.经洗涤、分散、过滤得到氧化铈颗粒。无需高温焙烧，最终得到的氧化铈颗粒粒径均匀，粒径分布窄，易于分散成为DLS：50nm～300nm的氧化铈抛光液，且粒径可控。能够有效降低对硅晶圆表面的划伤，具有广泛的推广应用价值。
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公开(公告)号：CN109251674B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201710569909.2
申请日：2017-07-13
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105
Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液，包含氧化铈磨料颗粒、聚季铵盐及pH调节剂。本发明中的聚季铵盐可控制氧化硅的抛光速率，使得在高压下达到高的氧化硅抛光速率，在低压下实现低的氧化硅的抛光速率，从而取得较低碟形凹陷(dishing)。
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公开(公告)号：CN113120943A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911402376.4
申请日：2019-12-30
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C01F17/247 , C01F17/10
Abstract: 本发明提供一种碱式碳酸铈的合成方法，包括：将铈源与沉淀剂分别溶于水中，制成铈源溶液和沉淀剂溶液；将所述铈源溶液与沉淀剂溶液混合形成反应溶液；搅拌所述反应溶液，使所述铈源与沉淀剂反应；离心分离或过滤洗涤所述反应溶液，得到碱式碳酸铈固体。本发明中碱式碳酸铈的水热合成方法，合成条件温和，合成过程安全性高。进一步地，通过对合成条件的优化设计，可以选择性合成出斜方相碱式碳酸铈和六方相碱式碳酸铈。
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公开(公告)号：CN113120940A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911397756.3
申请日：2019-12-30
Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司
IPC: C01F17/10 , C01F17/235 , C01F17/247
Abstract: 本发明提供一种球形碳酸铈及一种氧化铈的合成方法，包括将铈源和沉淀剂分别溶于水中，制成铈源溶液和沉淀剂溶液；使用惰性气体分别对所述铈源溶液和所述沉淀剂溶液进行鼓泡处理；将鼓泡处理后的沉淀剂溶液添加至鼓泡处理后的铈源溶液中混合，形成反应液；在惰性气体环境下搅拌所述反应液，反应液进行沉淀反应，反应结束后将所述反应液自然冷却至室温；过滤所述反应液，得到球形碳酸铈。将所得球形碳酸铈干燥、焙烧后得到氧化铈。所得氧化铈颗粒经分散处理后可应用于CMP抛光，显示出良好的CMP抛光特性。
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