公开(公告)号：CN101107725B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200580047178.0

申请日：2005-11-25

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： T·格斯纳 ,  H-W·施密特 ,  M·特拉卡特 ,  M·贝特

IPC: C07D279/22

CPC classification number: C09K11/06 ,  C07D279/26 ,  C07D279/28 ,  C07D279/34 ,  C07D417/04 ,  C07D417/10 ,  C09B19/00 ,  C09B21/00 ,  C09B23/141 ,  C09B23/145 ,  C09K2211/1033 ,  C09K2211/1037 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5096 ,  H01L2251/308 ,  H05B33/14 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明公开了吩噁嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪-S氧化物或吩噻嗪-S，S二氧化物衍生物作为有机发光二极管中的发射物质或空穴和激子阻断剂的用途。本发明进一步涉及包括发光层的有机发光二极管，该发光层含有至少一种吩噁嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪-S氧化物或吩噻嗪-S，S二氧化物作为发射物质，以及含有作为发射物质的吩噁嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪-S氧化物或吩噻嗪-S，S二氧化物或由它们组成的一种发光层，含有吩噁嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪-S氧化物或吩噻嗪-S，S二氧化物衍生物的或由它们组成的一种空穴和激子阻断层，和包括本发明的有机发光二极管的设备。本发明最终涉及特殊的吩噻嗪S，S-二氧化物衍生物，吩噻嗪S-氧化物衍生物和吩噻嗪衍生物和它们的生产方法，和它们在有机发光二极管中的用途。

公开(公告)号：CN101065857A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580040544.X

申请日：2005-11-23

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： T·格斯纳 ,  W·科瓦尔斯基 ,  C·席尔德克内希特

IPC: H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0059 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L2251/308

Abstract: 本发明涉及呈基质材料形式的吩噻嗪－S－氧化物和吩噻嗪－S，S－二氧化物在有机发光二极管中的用途，尤其是呈基质材料形式的吩噻嗪－S－氧化物和吩噻嗪－S，S－二氧化物在有机发光二极管的发光层中的用途。还公开了包含含有至少一种呈基质材料形式的吩噻嗪－S－氧化物或吩噻嗪－S，S－二氧化物和至少一种呈发光体形式分布于其中的其它物质的有机层的有机发光二极管，由一种或多种呈基质材料形式的吩噻嗪－S－氧化物或吩噻嗪－S，S－二氧化物和至少一种呈发光体形式分布于其中的其它物质组成的发光层，包含相应发光层的有机发光二极管，以及具有相应有机发光二极管的器件。