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公开(公告)号：CN1965419B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200580018622.6
申请日：2005-04-04
Applicant: 巴斯福股份公司
IPC: H01L51/30
CPC classification number: C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/183 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0081 , H01L51/5016 , H05B33/14
Abstract: 本发明涉及周期表第四副族中金属的金属茂复合物作为有机发光二极管(OLED)中发射体分子的用途，所述金属茂复合物作为OLED中发光层的用途，包含至少一种金属茂复合物的发光层，包含该发光层的OLED，以及包含本发明的OLED的装置。
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公开(公告)号：CN1965419A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018622.6
申请日：2005-04-04
Applicant: 巴斯福股份公司
IPC: H01L51/30
CPC classification number: C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/183 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0081 , H01L51/5016 , H05B33/14
Abstract: 本发明涉及周期表第四副族中金属的金属茂复合物作为有机发光二极管(OLED)中发射体分子的用途，所述金属茂复合物作为OLED中发光层的用途，包含至少一种金属茂复合物的发光层，包含该发光层的OLED，以及包含本发明的OLED的装置。
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公开(公告)号：CN101107725B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200580047178.0
申请日：2005-11-25
Applicant: 巴斯福股份公司
IPC: C07D279/22
CPC classification number: C09K11/06 , C07D279/26 , C07D279/28 , C07D279/34 , C07D417/04 , C07D417/10 , C09B19/00 , C09B21/00 , C09B23/141 , C09B23/145 , C09K2211/1033 , C09K2211/1037 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0072 , H01L51/0085 , H01L51/5012 , H01L51/5096 , H01L2251/308 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明公开了吩噁嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪-S氧化物或吩噻嗪-S，S二氧化物衍生物作为有机发光二极管中的发射物质或空穴和激子阻断剂的用途。本发明进一步涉及包括发光层的有机发光二极管，该发光层含有至少一种吩噁嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪-S氧化物或吩噻嗪-S，S二氧化物作为发射物质，以及含有作为发射物质的吩噁嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪-S氧化物或吩噻嗪-S，S二氧化物或由它们组成的一种发光层，含有吩噁嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪-S氧化物或吩噻嗪-S，S二氧化物衍生物的或由它们组成的一种空穴和激子阻断层，和包括本发明的有机发光二极管的设备。本发明最终涉及特殊的吩噻嗪S，S-二氧化物衍生物，吩噻嗪S-氧化物衍生物和吩噻嗪衍生物和它们的生产方法，和它们在有机发光二极管中的用途。
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公开(公告)号：CN1816556A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480019086.7
申请日：2004-04-30
Applicant: 巴斯福股份公司
IPC: C07F15/00
CPC classification number: C07F15/0033
Abstract: 本发明涉及制备式(I)的三－邻－金属化铱络合物的方法。其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和X具有说明书中所述含义。本发明还涉及可以通过本发明的方法制备的Ir络合物、所述Ir络合物作为有机发光二极管(OLEDs)中发射体分子的用途、包含所述Ir络合物的发光层、包含所述发光层的OLED、和包含本发明的OLED的装置。
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公开(公告)号：CN101065389B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200580040471.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 巴斯福股份公司
Inventor： M·埃根 , K·卡勒 , M·博尔德 , T·格斯纳 , C·伦纳茨 , S·诺德 , H-W·施密特 , M·特拉卡特 , M·贝特 , C·诺伊贝尔 , W·科瓦尔斯基 , C·席尔德克内希特 , H-H·约翰内斯
CPC classification number: H01L51/0085 , C09K11/06 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H05B33/14
Abstract: 本发明涉及过渡金属-卡宾配合物在有机发光二极管(OLED)中的应用，涉及含有这些过渡金属-卡宾配合物的发光层，电子或激子的阻挡层或空穴的阻挡层，涉及包含这些过渡金属-卡宾配合物的OLED，涉及包含本发明OLED的器件以及涉及过渡金属-卡宾配合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100573961C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200480030649.2
申请日：2004-08-18
Applicant: 巴斯福股份公司
CPC classification number: H01L51/0085 , B01J31/2265 , B01J31/2273 , B01J2531/16 , B01J2531/17 , B01J2531/18 , B01J2531/57 , B01J2531/60 , B01J2531/70 , B01J2531/821 , B01J2531/822 , B01J2531/827 , B01J2531/828 , C07F15/0033 , C09B57/00 , C09B57/10 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1018 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , C09K2211/18 , C09K2211/185 , H01L51/0081 , H01L51/5016 , H01L51/5096 , Y02P20/582
Abstract: 本发明涉及式(I)的过渡金属配合物在有机发光二极管中的用途，其中：M1是金属原子；碳烯是碳烯配体；L是一价阴离子或二价阴离子配体；K是中性的单齿或二齿配体，其选自膦、CO、吡啶、腈类以及与M1形成π配合物的共轭二烯；n是碳烯配体的数量，其中n至少为1；m是配体L的数量，其中m可以为0或≥1；o是配体K的数量，其中o可以为0或≥1；其中n+m+o之和取决于所用金属原子的氧化态和配位数，取决于配体碳烯、L和K的齿数以及取决于配体碳烯和L上的电荷，前提是n至少为1。本发明还涉及包含这类过渡金属配合物的OLED，包含这类过渡金属配合物的发光层，包含这种发光层的OLED，包含本发明OLED的器件，以及包含至少两种碳烯配体的特定过渡金属配合物。
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公开(公告)号：CN101065389A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200580040471.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 巴斯福股份公司
Inventor： M·埃根 , K·卡勒 , M·博尔德 , T·格斯纳 , C·伦纳茨 , S·诺德 , H-W·施密特 , M·特拉卡特 , M·贝特 , C·诺伊贝尔 , W·科瓦尔斯基 , C·席尔德克内希特 , H-H·约翰内斯
CPC classification number: H01L51/0085 , C09K11/06 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H05B33/14
Abstract: 本发明涉及过渡金属－卡宾配合物在有机发光二极管(OLED)中的应用，涉及含有这些过渡金属－卡宾配合物的发光层，电子或激子的阻挡层或空穴的阻挡层，涉及包含这些过渡金属－卡宾配合物的OLED，涉及包含本发明OLED的器件以及涉及过渡金属－卡宾配合物。
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公开(公告)号：CN1957059A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580016431.6
申请日：2005-03-14
Applicant: 巴斯福股份公司
IPC: C09K11/06 , H05B33/14 , H01L51/30 , C07D487/04
CPC classification number: C07D487/04 , H01L51/0067 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5092
Abstract: 本发明涉及选自三唑嘧啶衍生物和三唑尿嘧啶衍生物的三唑衍生物在有机发光二极管(OLED)中的用途。本发明还涉及至少一种所述三唑衍生物的OLED、包含至少一种所述三唑衍生物的发光层、包含本发明发光层的OLED、包含本发明OLED的设备以及特定的新型三唑衍生物。
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公开(公告)号：CN100383150C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200480019086.7
申请日：2004-04-30
Applicant: 巴斯福股份公司
IPC: C07F15/00
CPC classification number: C07F15/0033
Abstract: 本发明涉及制备式(I)的三-邻-金属化铱络合物的方法，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和X具有说明书中所述含义。本发明还涉及可以通过本发明的方法制备的Ir络合物、所述Ir络合物作为有机发光二极管(OLEDs)中发射体分子的用途、包含所述Ir络合物的发光层、包含所述发光层的OLED、和包含本发明的OLED的装置。
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公开(公告)号：CN101107725A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200580047178.0
申请日：2005-11-25
Applicant: 巴斯福股份公司
IPC: H01L51/30
CPC classification number: C09K11/06 , C07D279/26 , C07D279/28 , C07D279/34 , C07D417/04 , C07D417/10 , C09B19/00 , C09B21/00 , C09B23/141 , C09B23/145 , C09K2211/1033 , C09K2211/1037 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0072 , H01L51/0085 , H01L51/5012 , H01L51/5096 , H01L2251/308 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明公开了吩嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪－S氧化物或吩噻嗪－S,S二氧化物衍生物作为有机发光二极管中的发射物质或空穴和激子阻断剂的用途。本发明进一步涉及包括发光层的有机发光二极管，该发光层含有至少一种吩嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪－S氧化物或吩噻嗪－S,S二氧化物作为发射物质，以及含有作为发射物质的吩嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪－S氧化物或吩噻嗪－S,S二氧化物或由它们组成的一种发光层，含有吩嗪衍生物、吩噻嗪衍生物、吩噻嗪－S氧化物或吩噻嗪－S,S二氧化物衍生物的或由它们组成的一种空穴和激子阻断层，和包括本发明的有机发光二极管的设备。本发明最终涉及特殊的吩噻嗪S,S－二氧化物衍生物，吩噻嗪S－氧化物衍生物和吩噻嗪衍生物和它们的生产方法，和它们在有机发光二极管中的用途。
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