公开(公告)号：CN111818784B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202010489806.7

申请日：2017-09-06

Applicant: 拓自达电线株式会社

Inventor： 石冈宗悟 ,  柳善治

IPC: H05K9/00

Abstract: 本发明提供一种不易因擦拭指纹而变色的电磁波屏蔽膜。本发明的电磁波屏蔽膜含有绝缘层（110）、导电层（120），绝缘层（110）表面的三维（三次元）算术平均表面粗糙度Sa为0．8μm以上。

公开(公告)号：CN111800997A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010489211.1

申请日：2017-09-06

Applicant: 拓自达电线株式会社

Inventor： 石冈宗悟 ,  柳善治

IPC: H05K9/00

Abstract: 本发明提供一种不易因擦拭指纹而变色的电磁波屏蔽膜。本发明的电磁波屏蔽膜含有绝缘层（110）、导电层（120），绝缘层（110）表面的三维（三次元）算术平均表面粗糙度Sa为0．8μm以上。

公开(公告)号：CN108702863A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780013187.0

申请日：2017-03-21

Applicant: 拓自达电线株式会社

Inventor： 柳善治

IPC: H05K9/00 ,  B32B15/08 ,  H05K1/02

CPC classification number: B32B15/08 ,  H05K1/02 ,  H05K9/00

Abstract: 电磁波屏蔽膜含有由铝膜构成的屏蔽层111和导电性胶粘剂层112。导电性胶粘剂层112包括由钉状或丝状的镍粒子构成的导电性填料，镍粒子的中位直径（D50）为5μm以上、30μm以下，众数径为3μm以上、50μm以下，众数径中的累积分布为35％以上。

公开(公告)号：CN117813925A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202280052022.5

申请日：2022-09-29

Applicant: 拓自达电线株式会社

Inventor： 大仓克摩 ,  柳善治 ,  田岛宏

IPC: H05K9/00 ,  B32B15/08 ,  B32B15/088

Abstract: 本发明提供一种耐弯曲性足够高的电磁屏蔽膜。本发明的电磁屏蔽膜的特征在于，是依次层叠有保护层、金属层和粘接剂层的电磁屏蔽膜，并且，粘接剂层回弹力测定试验中的上述粘接剂层的回弹力Y与层叠体回弹力测定试验中由上述保护层和上述金属层构成的层叠体的回弹力X之比([回弹力Y]/[回弹力X])为0.77以上。

公开(公告)号：CN117716800A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202280052138.9

申请日：2022-09-30

Applicant: 拓自达电线株式会社

Inventor： 柳善治 ,  田岛宏 ,  大仓克摩

IPC: H05K9/00

Abstract: 本发明提供一种导电性粘接剂层的剥离强度和连接可靠性高、可抑制在层叠于导电性粘接剂层的绝缘层产生裂缝的电磁波屏蔽膜。本发明的电磁波屏蔽膜的特征在于，是具备包含导电性粒子和粘接性树脂组合物的导电性粘接剂层、以及层叠于上述导电性粘接剂层上的绝缘层的电磁波屏蔽膜，上述导电性粒子由高熔点导电性粒子和熔点比上述高熔点导电性粒子低的低熔点导电性粒子构成，上述高熔点导电性粒子包含高熔点薄片状粒子和高熔点球状粒子，相对于上述高熔点薄片状粒子、上述高熔点球状粒子和上述低熔点导电性粒子的合计含量，上述高熔点薄片状粒子的含量为60～80wt％。

公开(公告)号：CN113853839A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202080038199.0

申请日：2020-05-29

Applicant: 拓自达电线株式会社

Inventor： 柳善治

IPC: H05K9/00 ,  H05K1/02

Abstract: 本发明提供一种能够薄型化且柔韧性高的电磁波屏蔽膜。本发明的电磁波屏蔽膜是含有包括导电性粒子及接合性树脂组合物的导电性胶粘剂层的电磁波屏蔽膜，将上述电磁波屏蔽膜在150℃、2MPa、30min的条件下加热加压后，在上述导电性胶粘剂层的截断面中，上述导电性粒子的平均高宽比为18以上，且上述接合性树脂组合物的面积相对于上述截断面的全部面积的比例为60〜95％。

公开(公告)号：CN108476607A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680076117.5

申请日：2016-12-26

Applicant: 拓自达电线株式会社 ,  东丽KP薄膜股份有限公司

Inventor： 岩井靖 ,  柳善治 ,  都地辉明 ,  西山刚司 ,  藤信男

IPC: H05K9/00 ,  B32B15/08

Abstract: 电磁波屏蔽膜（1）包括：由以镍为主要成分的第1金属层（5）和以铜为主要成分的第2金属层（6）构成的屏蔽层（2），设置于屏蔽层2的第2金属层（6）一侧的面上的接合剂层3，设置于屏蔽层2的第1金属层一侧的面上的保护层（4）。第2金属层（6）的平均晶粒尺寸为50nm以上200nm以下。