公开(公告)号：CN119447003A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411020068.6

申请日：2024-07-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 角野雅俊 ,  福井章洋 ,  中浦宏 ,  土生刚志

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  C09J7/29

Abstract: 本发明涉及切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法。提供一种切割带等，其具备基材层、以及重叠于该基材层的单面的粘合剂层，前述基材层具有层叠的多个层，作为该多个层，至少具有包含乙烯‑丙烯酸共聚树脂的第一基材层和包含除前述乙烯‑丙烯酸共聚树脂之外的树脂的第二基材层，在前述第一基材层与前述粘合剂层之间配置有前述第二基材层。

公开(公告)号：CN112778922A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011175219.7

申请日：2020-10-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中浦宏 ,  木村雄大 ,  武田公平 ,  每川英利 ,  植野大树

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割带是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，其在‑10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下。

公开(公告)号：CN112080218B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202010496602.6

申请日：2020-06-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  每川英利 ,  武田公平 ,  植野大树 ,  中浦宏

IPC: C09J7/29 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带及切割芯片接合薄膜。本发明的切割带在基材层上层叠有粘合剂层，所述切割带的‑5℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。

公开(公告)号：CN112778922B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202011175219.7

申请日：2020-10-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中浦宏 ,  木村雄大 ,  武田公平 ,  每川英利 ,  植野大树

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割带是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，其在‑10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下。

公开(公告)号：CN112778923B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202011215646.3

申请日：2020-11-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  每川英利 ,  武田公平 ,  植野大树 ,  中浦宏

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J4/06 ,  C09J4/02 ,  C09J11/06 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。提供一种切割带等，所述切割带具备基材层和粘合性比该基材层高的粘合剂层，通过对前述基材层进行差示扫描量热测定而测得的谱图具有在100℃以上且140℃以下的范围存在顶点的吸热峰，且该吸热峰的峰开始点与顶点的温度差为40℃以下。

公开(公告)号：CN116333623A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211642027.1

申请日：2022-12-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  大西谦司 ,  角野雅俊 ,  中浦宏 ,  木村雄大

IPC: C09J7/29 ,  H01L21/683 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  C09J11/04

Abstract: 提供切割芯片接合薄膜等，前述切割芯片接合薄膜具备：具有基材层和重叠于该基材层的粘合剂层的切割带、以及重叠于该切割带的芯片接合片，前述切割带在120℃下的弹性模量为0.10MPa以上，前述切割带在120℃下的热收缩率为6％以上。

公开(公告)号：CN115368836A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210404186.1

申请日：2022-04-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉村敏正 ,  角野雅俊 ,  福井章洋 ,  中浦宏 ,  吉田直子

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J7/40 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，前述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，前述丙烯酸系聚合物包含15摩尔％以上的、具有碳数9以上的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，温度‑15℃下的前述粘合剂层的剪切储能模量为10MPa以下，使用FOX式算出的前述丙烯酸系聚合物的玻璃化转变温度为‑47℃以上且5℃以下。

公开(公告)号：CN112151434A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010582946.9

申请日：2020-06-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  每川英利 ,  武田公平 ,  植野大树 ,  中浦宏

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/29 ,  C09J7/38 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08

Abstract: 提供一种切割带和切割芯片接合薄膜。提供切割带等，其具备基材层、和重叠于该基材层的粘合剂层，所述切割带在23℃或在‑5℃下拉伸时的永久变形率为35％以上。

公开(公告)号：CN112080218A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010496602.6

申请日：2020-06-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  每川英利 ,  武田公平 ,  植野大树 ,  中浦宏

IPC: C09J7/29 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带及切割芯片接合薄膜。本发明的切割带在基材层上层叠有粘合剂层，所述切割带的‑5℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。

公开(公告)号：CN112980366B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202011494006.0

申请日：2020-12-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  高本尚英 ,  中浦宏 ,  杉村敏正

IPC: C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  C09J7/30 ,  C09J7/10 ,  C09J7/29 ,  C09J4/02 ,  C09J4/06 ,  H01L21/683

Abstract: 提供芯片接合片及切割芯片接合薄膜。提供相对于聚酰亚胺树脂面的剥离力为0.1N/50mm以上的芯片接合片。另外，提供一种切割芯片接合薄膜，其具备：所述芯片接合片、和贴合于该芯片接合片的切割带。