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公开(公告)号：CN111826097B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202010299869.6
申请日：2020-04-16
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： C09J7/20 , C09J7/24 , C09J133/10 , H01L21/683
摘要： 提供在用于将粘接剂层割断的扩展时粘合剂层不易破裂的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层的粘接剂层，前述基材的前述粘合剂层侧表面实施了表面处理，前述基材与前述粘合剂层之间的、‑15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。(‑15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1 (1)。
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公开(公告)号：CN107871702B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201710890573.X
申请日：2017-09-27
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明为切割/芯片接合带和半导体装置的制造方法，其目的在于提供能够精度良好地分断粘接剂层的切割/芯片接合带。本发明涉及一种切割/芯片接合带，其包括：隔膜、和包含粘接剂层和基材层的薄膜。粘接剂层位于隔膜和基材层之间。基材层的两面用与粘接剂层接触的第1主面和第2主面来定义。在薄膜的晶圆固定区域中，粘接剂层和基材层在23℃下的90度剥离力为0.02N/20mm～0.5N/20mm。在晶圆固定区域中，粘接剂层和基材层在‑15℃下的90度剥离力为0.1N/20mm以上。在晶圆固定区域中基材层的第1主面的表面自由能为32～39mN/m。
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公开(公告)号：CN107393857B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201710325250.6
申请日：2017-05-10
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/304
摘要： 本发明提供片材、胶带及半导体装置的制造方法。本发明的一个方式提供能够减少切割时芯片侧面产生的龟裂的片材和胶带。本发明的一个方式涉及片材。片材包含切割薄膜。切割薄膜包含基材层及位于基材层上的粘合剂层。片材进一步包含位于粘合剂层上的半导体背面保护薄膜。半导体背面保护薄膜具有1.7kgf/mm2以上的对硅芯片的25℃剪切粘接力。
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公开(公告)号：CN109111867B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201810654758.5
申请日：2018-06-22
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： C09J7/24 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J11/04 , C09J11/08 , H01L21/683
摘要： 提供一种具有保存稳定性优异、能在短时间内固化、并且固化后能进行适宜的引线接合的粘接剂层的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带；和与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合的粘接剂层，前述粘接剂层含有热固化性成分、填料及固化促进剂，其在130℃加热30分钟之后利用DSC测定得到的发热量为加热前的发热量的60％以下，前述加热后的在130℃下的储能模量为20MPa以上且4000MPa以下。
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公开(公告)号：CN107017173B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201610997829.2
申请日：2016-11-11
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/683 , C09J7/20 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J11/04
摘要： [课题]提供能够防止由树脂的热固化收缩导致的半导体芯片位置偏移的半导体封装体的制造方法。[解决手段]涉及一种半导体封装体的制造方法，其包括如下工序：在配置在粘合片上的半导体背面保护薄膜上配置半导体芯片的工序；使半导体背面保护薄膜固化的工序；以及，用树脂密封半导体芯片的工序。
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公开(公告)号：CN107434955B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201710392803.X
申请日：2017-05-27
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： C09J7/30 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F8/30 , C09J133/00 , C09J161/06 , C09J11/04 , H01L21/78
摘要： 本发明提供芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法，所述芯片接合薄膜能对不进行热固化的芯片接合薄膜良好地进行引线键合。一种芯片接合薄膜，其含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂，热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下。
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公开(公告)号：CN111656492A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201980010799.3
申请日：2019-01-16
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： H01L21/301 , B32B7/06 , B32B27/00 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L23/00
摘要： 提供可在自隔离体的剥离时不易产生褶皱的半导体背面密合薄膜。半导体背面密合薄膜的平面投影面积为22500mm2以上，平面投影形状为具有至少1个曲率半径R1为0.5～10mm的圆弧部的非圆形状。一种切割带一体型半导体背面密合薄膜，其具备：切割带，所述切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和前述半导体背面密合薄膜，其以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层，前述切割带的平面投影面积比前述半导体背面密合薄膜大，并且平面投影形状具有圆弧部。
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公开(公告)号：CN110527443A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910434535.2
申请日：2019-05-23
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： C09J7/24 , C09J133/08 , C09J11/04 , H01L21/67 , H01L21/78
摘要： 本发明提供一种切割芯片接合薄膜，其具备适合于确保扩展工序中的割断性并实现对环形框等框构件的良好的贴合性的粘合粘接剂层。本发明的切割芯片接合薄膜X具备切割带(10)和粘合粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘合粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。粘合粘接剂层(20)针对宽度10mm且厚度160μm的粘合粘接剂层试样片以规定条件测定的25℃下的拉伸储能模量为5～120MPa。并且，粘合粘接剂层(20)针对宽度5mm且厚度80μm的粘合粘接剂层试样片以规定条件测定的-15℃下的拉伸储能模量为3000～6000MPa。
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公开(公告)号：CN106206396B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610633005.7
申请日：2011-06-30
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明涉及半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法。本发明涉及半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层，所述粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式以预定间隔层压在隔离膜上，其中所述隔离膜具有沿切割带的外周形成的切口，和切口的深度为不超过所述隔离膜厚度的2/3。
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公开(公告)号：CN109207078A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810726582.X
申请日：2018-07-04
申请人： 日东电工株式会社
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L24/27 , C09J7/245 , C09J7/29 , C09J2201/122 , C09J2423/046 , C09J2423/106 , C09J2427/006 , C09J2433/00 , H01L21/52
摘要： 提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中对切割带上的割断后的带有DAF的半导体芯片抑制从切割带上浮起的同时扩大分离距离，并且适于实现拾取工序中良好的拾取性的切割带和DDAF。对于本发明的切割带(10)，在以拉伸速度1000mm/分钟的拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm，23℃)中在应变值20％下产生的拉伸应力相对于在以拉伸速度10mm/分钟的拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm，23℃)中在应变值20％下产生的拉伸应力的比值为1.4以上。本发明的DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。
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