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公开(公告)号:CN109314232B
公开(公告)日:2019-12-06
申请号:CN201680086815.3
申请日:2016-06-16
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 提供能够同时实现锂离子二次电池等电气设备的循环耐久性和充放电效率的手段。将负极活性物质用于电气设备,所述负极活性物质的特征在于,其由含硅合金形成,所述含硅合金具有Si‑Sn‑Ti所示的三元体系的合金组成,且具有如下结构:锡固溶于硅的晶体结构的内部而成的包含非晶质或低结晶性硅的a‑Si相被分散在包含TiSi2的硅化物相的母相中,将通过XAFS确认到的动态径向波函数中的原子间距为0.13nm的位置处确认到的Si‑O键峰的峰强度设为S(1),将原子间距0.2nm的位置处确认到的Si‑Si键峰的峰强度设为S(2)时,满足S(2)>S(1)的关系。
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公开(公告)号:CN107112517B
公开(公告)日:2019-03-01
申请号:CN201480084139.7
申请日:2014-12-17
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 提供能够提高锂离子二次电池等电气设备的循环耐久性的方案。将包含具有规定组成的含硅合金的负极活性物质用于电气设备。具有如下特征:该含硅合金的使用CuKα1射线的X射线衍射测定中,Sn的(001)面的衍射峰强度B相对于Si的(111)面的衍射峰强度A之比的值(B/A)为0.3以上且3.7以下。此处,Si的(111)面的衍射峰存在于2θ=24~33°的范围内,Sn的(001)面的衍射峰存在于2θ=26~35°的范围内。
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公开(公告)号:CN107210479B
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:CN201480084176.8
申请日:2014-12-17
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01M10/052 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/505 , H01M4/525
CPC classification number: H01M4/386 , B22F9/002 , B22F9/04 , B22F2009/041 , C22C1/0483 , C22C1/0491 , C22C1/1084 , C22C29/18 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/027 , H01M2220/20 , Y02E60/122 , Y02T10/7011
Abstract: 在具有使用了固溶体正极活性物质的正极的锂离子二次电池中,为了活用其高容量特性而在负极中使用现有的含Si合金的情况下,存在得不到充分的循环耐久性的问题。本发明中,作为负极活性物质层所含的含Si合金,使用具有在以非晶质或低结晶性的硅为主要成分的母相中分散有含有过渡金属的硅化物的硅化物相的结构和规定的组成、并且在使用CuKα1射线的X射线衍射测定中在2θ=24~33°的范围内的Si(111)面的衍射峰强度A与在2θ=37~45°的范围内的过渡金属硅化物的衍射峰强度B的比值(B/A)为规定范围内的值的含Si合金;并且,作为固溶体正极活性物质,使用具有规定组成的固溶体、或在该固溶体的颗粒表面形成有氧化物覆盖层的氧化物覆盖固溶体,从而实现了上述问题的解决。
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公开(公告)号:CN108352517A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201680065767.X
申请日:2016-11-10
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 本发明提供一种可提高锂离子二次电池等的电气设备的循环耐久性的方法。将由含硅合金构成的负极活性物质用于电气设备,该含硅合金具有以Si-Sn-M(M为1或2以上的过渡金属元素)表示的三元系或以Si-Sn-M-Al(M为1或2以上的过渡金属元素)表示的四元系的合金组成,且具有在硅的晶体结构的内部固溶锡而成的含有非晶质或低结晶性的硅的a-Si相分散在以过渡金属的硅化物为主要成分的硅化物相中而成的结构。
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公开(公告)号:CN107112517A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201480084139.7
申请日:2014-12-17
Applicant: 日产自动车株式会社
CPC classification number: H01M4/386 , B22F9/002 , B22F2009/041 , C22C1/0483 , C22C1/0491 , C22C1/1084 , C22C29/18 , C22C2200/02 , H01M10/052 , H01M2004/027 , H01M2220/20 , Y02E60/122
Abstract: 供能够提高锂离子二次电池等电气设备的循环耐久性的方案。将包含具有规定组成的含硅合金的负极活性物质用于电气设备。具有如下特征:该含硅合金的使用CuKα1射线的X射线衍射测定中,Sn的(001)面的衍射峰强度B相对于Si的(111)面的衍射峰强度A之比的值(B/A)为0.3以上且3.7以下。此处,Si的(111)面的衍射峰存在于2θ=24~33°的范围内,Sn的(001)面的衍射峰存在于2θ=26~35°的范围内。
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