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公开(公告)号：CN119452758A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202280097486.8
申请日：2022-06-30
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明的光检测器具备光电二极管(300)和保护二极管(301)，其特征在于，所述光电二极管(300)和所述保护二极管(301)集成在同一半导体基板上，所述光电二极管(300)具备：半导体部，由至少一种以上的半导体材料构成；阳极电极；以及阴极电极，所述保护二极管(301)具备：芯层；半导体部，包括所述芯层所具备的掺杂了第一型杂质离子的第一型半导体区域和掺杂了第二型杂质离子的第二型半导体区域；阳极电极；以及阴极电极，所述保护二极管(301)的半导体部仅由所述光电二极管(300)的半导体部中使用的半导体材料中的一种构成，所述保护二极管(301)的阳极电极与所述光电二极管(300)的阳极电极连接，所述保护二极管(301)的阴极电极与所述光电二极管(300)的阴极电极连接。
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公开(公告)号：CN108780236B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201780018139.0
申请日：2017-03-16
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明提供一种抑制与信号电极附近的电极之间的谐振现象且能高密度地集成各种元件的光调制器。本发明的MZ型光调制器的特征在于，具备：Si光调制器，包含：输入光波导、使从输入光波导输入的光分支并进行波导的两个臂波导、将分别在所述两个臂波导进行波导的光合波并输出的输出光波导、分别与所述两个臂波导并列配置的用于施加高频信号的两个信号电极、以及设于所述两个信号电极之间的用于施加偏压的DC电极；以及至少一个接地电极，与所述两个信号电极并列配置。
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公开(公告)号：CN107851962B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201680044607.7
申请日：2016-07-27
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/022
Abstract: 本发明提供一种抑制高频传输线间的串扰的光模块。本发明的光模块至少具备一组：光口；光处理电路，光学连接于光口；电光转换元件，光学连接于光处理电路；两根以上的高频传输线，连接于电光转换元件；以及电口，连接于高频传输线，在高频传输线上具备以覆盖高频传输线的至少一部分的方式设置，并接地的导电性的盖板。
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公开(公告)号：CN107710887B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201680035560.8
申请日：2016-06-17
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 在现有技术的焊料接合方法中，FPC侧的电极焊盘与封装体侧的电极焊盘之间通过焊料层紧密接合，在接合工序后无法容易地通过目视来确认焊料接合状态。由于需要通过对包含接合部分的电气路径进行电阻值的测定等来进行布线间的导通检查，因此，存在检查耗时的问题。本发明的焊料接合构造具备：侧面电极，与被焊料接合的FPC以及封装体或者PCB的基板的各电极焊盘的构成面垂直地形成于各基板的端部的侧面上，并导入有焊料。从焊料接合部连续形成于基板端部的侧面电极上的焊料的一部分能被视觉确认，且能确认两个基板的电极焊盘间的焊料接合状态。具备可形成能在基板的侧面充分地被视觉确认的焊料接合部分的电极焊盘结构，由此，能使焊料接合的试验高效化。
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公开(公告)号：CN106104335B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201580012098.5
申请日：2015-03-04
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 在现有技术的偏振旋转回路中，一般需要形成并不适用于硅波导回路制作的氮化硅层。为了将偏振旋转回路的功能适用于光集成回路中，仅为此目的而追加形成氮化硅层的处理工序，导致制造时间的增加以及制造装置的复杂化。在本发明的偏振旋转回路中，使偏振转换回路的中央芯体部分的波导宽度变窄，由此，光波的强度不仅仅集中于中央芯体部分，使得更容易受到构造上的非对称性的影响。通过本发明的偏振旋转回路的构成，无需形成氮化硅层等，能够保持仅有硅波导的构造而高效地产生偏振转换。此外，通过并不使波导的间隔过度变窄的模式转换回路的各种构成例，提出能缩短回路长度、放宽制造时的公差的构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107250857B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201680011155.2
申请日：2016-02-19
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明的多级干涉仪电路具备：合波端口；N‑1级格子型双光束干涉仪，各级分别具备路径长度差为M·ΔL/2的整数倍的双光束延迟电路，第1级格子型双光束干涉仪的双光束延迟电路连接于合波端口；M光束干涉仪，具有连接于最终级格子型双光束干涉仪的第一光耦合器的两组1×(M/2)光耦合器、延迟长度各相差ΔL的M阵列延迟电路、以及M×M光耦合器；以及M个分波端口，其中，在多级干涉仪电路内配置有一个或多个横向滤波器，以使在分波端口与合波端口之间进行波导的光至少通过一次。
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公开(公告)号：CN109314582A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780038039.4
申请日：2017-06-19
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明的光接收器构成为：在光收发器中，即使在内部产生高噪声的情况下，光接收器也尽可能不受这些噪声的影响。一种光接收器，其特征在于，具有将双光电二极管构成的两个光电二极管PD与跨阻放大器TIA连接的连接部，其中，来自双光电二极管的信号线按各通道分别由未与信号线连接的导电性图案包围，这些导电性图案连接于跨阻放大器的接地图案、或者PD用电源图案。
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公开(公告)号：CN107924961A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048167.2
申请日：2016-08-26
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明提供一种降低暗电流而不会有损光电流的锗光检测器。具备：硅基板、形成于硅基板上的下部包层、形成于下部包层上的芯层(210)、形成于芯层(210)的一部分的掺杂了p型杂质离子的p型硅板(211)、高浓度地掺杂了p型杂质并起到作为电极的作用的p++硅电极部(212、213)、以及吸收光的锗层(241、242)。还具备：上部包层、锗层的上部的掺杂了n型杂质的n型锗区域、以及电极。本发明在p型硅板(211)上具备两个锗层(241、242)，由此，能通过使各锗层的与p型硅板(211)相接的面积小型化，来削弱由穿透位错导致的暗电流。
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公开(公告)号：CN107710887A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680035560.8
申请日：2016-06-17
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 在现有技术的焊料接合方法中，FPC侧的电极焊盘与封装体侧的电极焊盘之间通过焊料层紧密接合，在接合工序后无法容易地通过目视来确认焊料接合状态。由于需要通过对包含接合部分的电气路径进行电阻值的测定等来进行布线间的导通检查，因此，存在检查耗时的问题。本发明的焊料接合构造具备：侧面电极，与被焊料接合的FPC以及封装体或者PCB的基板的各电极焊盘的构成面垂直地形成于各基板的端部的侧面上，并导入有焊料。从焊料接合部连续形成于基板端部的侧面电极上的焊料的一部分能被视觉确认，且能确认两个基板的电极焊盘间的焊料接合状态。具备可形成能在基板的侧面充分地被视觉确认的焊料接合部分的电极焊盘结构，由此，能使焊料接合的试验高效化。
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公开(公告)号：CN107533271A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680024239.X
申请日：2016-05-27
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供一种不需要切断延迟回路的工序就能够测定相位误差的相干光混频器回路。所述相干光混频器回路的特征在于，在四输入四输出的多模干涉回路的奇数号或者偶数号的输入与输入机构连接、四个输出全部与向外部的输出机构连接的光解调回路中，在所述多模干涉回路的其他两个输入连接有监控波导，所述监控波导的一方比另一方长且构成光延迟回路，而且，构成所述光延迟回路的所述监控波导与二分支分光器的各输出连接，所述二分支分光器的输入经由监控光输入波导与来自外部的监控输入机构连接。
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