公开(公告)号：CN106653652B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN201610968551.6

申请日：2016-10-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 永井明日美 ,  西村升 ,  胜田祐司

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H05B3/18

Abstract: 本发明涉及一种半导体制造装置用部件、其制法以及附带有轴的加热器。本发明的半导体制造装置用部件是接合于氮化铝基部件的部件，作为材料，使用以氮化铝和包含硅、铝、氧以及氮的氮化铝假多晶型为主要构成相的复合材料。氮化铝假多晶型具有27R相及21R相中的至少一种周期结构，或者，氮化铝假多晶型的X射线衍射峰至少出现在2θ＝59.8～60.8°。复合材料在室温下的热传导率为50W/mK以下。

公开(公告)号：CN113451172A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110228008.3

申请日：2021-03-02

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 永井明日美 ,  西村升 ,  山口浩文

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供层叠结构体及半导体制造装置部件，层叠结构体(10)具备：第一结构体，其由包含AlN及MgAl2O4作为主相的复合烧结体形成；以及第二结构体，其由陶瓷烧结体形成，且层叠并接合于该第一结构体。并且，该第一结构体与该第二结构体的线性热膨胀系数之差为0.3ppm/K以下。由此，能够抑制由热应力所导致的第一结构体与第二结构体之间的接合部受损。

公开(公告)号：CN113264775A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110081654.1

申请日：2021-01-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 永井明日美 ,  西村升 ,  山口浩文

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种致密质复合材料、其制法、接合体及半导体制造装置用构件。本发明的致密质复合材料含有43～63质量％的硅化钛，并且含有分别比硅化钛的质量％少量的碳化硅和碳化钛，碳化硅的粒子间距离的最大值为40μm以下，标准偏差为10以下，开口气孔率为1％以下。

公开(公告)号：CN111712475A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201980011750.X

申请日：2019-02-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 永井明日美 ,  井上胜弘 ,  胜田祐司

IPC: C04B35/117 ,  B25B11/00 ,  H01B3/12 ,  H01L21/683

Abstract: 复合烧结体的制造方法具备：将混合Al2O3、SiC以及MgO而得到的混合粉末成型为规定形状的成型体的工序(步骤S11)、以及将该成型体烧成而生成复合烧结体的工序(步骤S12)。并且，步骤S11中，SiC相对于混合粉末的比例为4.0重量％以上且13.0重量％以下。另外，步骤S11中的Al2O3的纯度为99.9％以上。由此，能够抑制Al2O3的异常粒生长，并且，能够很好地制造具有高相对介电常数及耐电压、以及低tanδ的复合烧结体。