碳化硅质窑炉用具及其制造方法

    公开(公告)号:CN1125840A

    公开(公告)日:1996-07-03

    申请号:CN95103594.0

    申请日:1995-03-27

    Inventor: 白川浩 山川治

    Abstract: 本发明描述具有下述特征的SiC质窑炉用具:向最大粒径为4mm的SiC粉末中添加0.01~0.7%的V2O5、0.01~0.7%的CaO和0.01~5%的粘土,成型煅烧成SiC质窑炉用具;将该窑炉用具的表层和中心部分分别用粉末X射线衍射法用CuK α线测定,求得2θ为21.9°的方英石衍射峰高相对2θ为34.0°的碳化硅衍射峰高之比时,中心部分的上述比值相对于表层部分的上述比值的比例为20%以上;常温时的抗弯强度是在1400℃时的抗弯强度±20%的范围内。

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