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公开(公告)号：CN111492577B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201880052320.8
申请日：2018-11-12
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25 , B32B9/00 , C30B29/30 , C30B33/06 , H01L21/02 , H10N30/88 , H10N30/20 , H10N30/853 , H10N30/07 , H10N30/086 , H03H3/08
Abstract: 在将由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，抑制接合体的特性劣化。接合体(7、7A)具备：支撑基板(4)；氧化硅层(5)，其设置于支撑基板(4)上；以及压电性材料基板(1、1A)，其设置于氧化硅层(5)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成。压电性材料基板(1、1A)与氧化硅层(5)的界面(A)处的氮浓度高于氧化硅层(5)与所述支撑基板(1)的界面处的氮浓度。
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公开(公告)号：CN115956339A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202180004983.4
申请日：2021-06-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明的课题在于提高压电性材料基板与支撑基板的接合强度、且有效地减少体波的反射而抑制寄生信号。弹性波器件用复合基板7A具备：压电性材料层PZ；支撑基板S；以及位于压电性材料层与支撑基板之间的x层(x为3以上的整数)的中间层1、2、X。压电性材料层、支撑基板以及中间层满足式(1)，x为偶数时，满足式(2)，x为奇数时，满足式(3)。Rn＜Rn+1…(1)(n表示1至x的全部整数，Rn为从压电性材料层观察的第n层的中间层的压电性材料层侧的表面的算术平均粗糙度，Rx+1为支撑基板的压电性材料层侧的表面的算术平均粗糙度。)Vn‑1＜Vn…(2)(n表示2以上x以下的全部偶数，Vn为从压电性材料层观察的第n层的中间层的声速。)Vn‑1＞Vn…(3)(n表示1以上x以下的全部奇数，Vn为从压电性材料层观察的第n层的中间层的声速，V0表示压电性材料层的声速)。
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公开(公告)号：CN111869105B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201880089853.3
申请日：2018-12-06
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25 , H01L41/053 , H01L41/187 , H01L41/313 , H03H9/145
Abstract: 本发明在将由钽酸锂等形成的压电性材料基板和支撑基板借助氧化硅层而接合时，抑制在构成接合层的氧化硅与支撑基板的界面处发生剥离。接合体具备：支撑基板3；接合层4，其由氧化硅形成，且设置于支撑基板3的表面3b上；以及压电性材料基板，其由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成。在支撑基板3的表面3b设置有凹部12，接合层4具备在凹部12上延伸的结构缺陷部13。
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公开(公告)号：CN112913139A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201980005268.5
申请日：2019-11-06
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H3/08 , H03H9/25 , H01L41/187
Abstract: 本发明的课题在于，在将压电性材料基板和硅基板借助包含氧化硅的接合层进行接合时，防止接合体的破损及裂纹，在较宽的频率范围内提高接合体的有效电阻率。通过溅射法在包含硅的支撑基板1上设置硅膜2。通过将硅膜2于400℃以上600℃以下的温度进行热处理而生成中间层3。将压电性材料基板借助中间层3以及包含氧化硅的接合层而接合于支撑基板1。
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公开(公告)号：CN111492577A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880052320.8
申请日：2018-11-12
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25 , B32B9/00 , C30B29/30 , C30B33/06 , H01L21/02 , H01L41/053 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/31 , H01L41/337 , H03H3/08
Abstract: 在将由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，抑制接合体的特性劣化。接合体(7、7A)具备：支撑基板(4)；氧化硅层(5)，其设置于支撑基板(4)上；以及压电性材料基板(1、1A)，其设置于氧化硅层(5)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成。压电性材料基板(1、1A)与氧化硅层(5)的界面(A)处的氮浓度高于氧化硅层(5)与所述支撑基板(1)的界面处的氮浓度。
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公开(公告)号：CN111819792B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201880090900.6
申请日：2018-11-19
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在将由钽酸锂等形成的压电性材料基板和设置有氧化硅层的支撑基板接合时，使接合强度得到提高。接合体具备：支撑基板4；氧化硅层5，其设置于支撑基板4上；以及压电性材料基板1，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于氧化硅层5上。氧化硅层5侧的压电性材料基板1的表面电阻率为1.7×1015Ω/□以上。
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公开(公告)号：CN114731145A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080005715.X
申请日：2020-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明提供能够抑制无法通过对接合体的压电性材料基板或支撑基板的接合面的表面形状进行控制来加以抑制的寄生波的结构。接合体具备：支撑基板；压电性材料基板，其由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层，其将支撑基板和压电性材料基板接合，并与压电性材料基板的主面接触。在利用椭圆偏振光谱法对所述支撑基板的接合面和所述压电性材料基板的接合面中的至少一者进行测定时，此时将反射光的p偏振光与s偏振光的相位差设为Δ时，在波长400nm至760nm之间的区域，所述相位差Δ的最大值与最小值之差为70°以下。
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公开(公告)号：CN113939998A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202080030208.1
申请日：2020-02-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H3/08 , H01L41/187 , H01L41/312 , H01L41/337 , H03H9/25
Abstract: 在将包含钽酸锂等的压电性材料基板和包含水晶的支撑基板接合时，使接合强度提高，使得即便减薄压电性材料基板也不会剥离。复合基板7、7A具有：支撑基板4，其包含水晶；压电性材料基板1、1A，其包含选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质；以及界面层5，其处于支撑基板4与压电性材料基板1、1A的接合界面。界面层5为以钽和铌中的至少一者、硅及氧为构成成分的非晶质结构。界面层5中的氢原子浓度、氮原子浓度及氟原子浓度分别为1×1018atoms/cm3以上5×1021atoms/cm3以下。
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公开(公告)号：CN111512549A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880052346.2
申请日：2018-11-09
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在将由铌酸锂等材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，能够抑制接合体的特性劣化。接合体(8A)具备：支撑基板(3)；氧化硅层(7)，其设置于支撑基板(3)上；压电性材料基板(1A)，其设置于氧化硅层(7)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成。氧化硅层(7)中的氮浓度的平均值高于氧化硅层(7)与支撑基板(3)的界面(E)处的氮浓度、以及氧化硅层(7)与压电性材料基板(1A)的界面(D)处的氮浓度。
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