公开(公告)号：CN111492496B

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN201880052342.4

申请日：2018-11-16

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 堀裕二 ,  山寺乔纮 ,  高垣达朗

IPC分类号： H10N30/88 ,  H10N30/20 ,  H10N30/853 ,  H10N30/01 ,  H10N30/072 ,  H03H9/25

摘要： 在将由铌酸锂等形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，提高接合体的特性。接合体(8、8A)具备：支撑基板(3)；压电性材料基板(1、1A)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成；以及接合层(7)，其将支撑基板和压电性材料基板接合。接合层(7)的材质为氧化硅。在将接合层(7)分为压电性材料基板侧接合部(7a)和支撑基板侧接合部(7b)时，压电性材料基板侧接合部(7a)中的氮浓度高于支撑基板侧接合部(7b)中的氮浓度。

公开(公告)号：CN112088439A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201980019317.0

申请日：2019-02-15

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 堀裕二 ,  高垣达朗

IPC分类号： H01L41/187 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  C30B25/06 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/18 ,  H01L21/02 ,  H01L41/053 ,  H01L41/335 ,  H03H9/25

摘要： 在将压电性材料基板1(1A)借助接合层2而与支撑基板3接合时，使得即便在对得到的接合体进行加热处理时也不会发生压电性材料基板1(1A)的剥离。接合体具备：支撑基板3；压电性材料基板1(1A)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层2，其将支撑基板3和压电性材料基板1(1A)接合，并与压电性材料基板1(1A)的接合面1a接触。在接合层2设置有从所述压电性材料基板趋向所述支撑基板延伸的空隙。

公开(公告)号：CN111819792A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201880090900.6

申请日：2018-11-19

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 堀裕二 ,  山寺乔纮 ,  高垣达朗

IPC分类号： H03H9/25 ,  H03H3/08

摘要： 在将由钽酸锂等形成的压电性材料基板和设置有氧化硅层的支撑基板接合时，使接合强度得到提高。接合体具备：支撑基板4；氧化硅层5，其设置于支撑基板4上；以及压电性材料基板1，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于氧化硅层5上。氧化硅层5侧的压电性材料基板1的表面电阻率为1.7×1015Ω/□以上。

公开(公告)号：CN105981132B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201580006859.6

申请日：2015-02-17

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 井出晃启 ,  高垣达朗 ,  宫泽杉夫 ,  岩崎康范

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12

摘要： 半导体用复合基板的操作基板4包括：基底基板，该基底基板由多晶材料构成，及单组分且高纯度的非晶质层3，该非晶质层3设置在基底基板1上，具有耐化学腐蚀性。

公开(公告)号：CN105074868A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480009140.3

申请日：2014-02-18

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 井出晃启 ,  高垣达朗 ,  宫泽杉夫 ,  堀裕二 ,  多井知义 ,  服部良祐

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H03H3/08 ,  H03H9/145 ,  H03H9/25

CPC分类号： H01L21/6835 ,  B32B7/02 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B9/005 ,  B32B9/04 ,  B32B18/00 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/283 ,  B32B37/10 ,  B32B38/10 ,  B32B2264/105 ,  B32B2307/20 ,  B32B2307/206 ,  B32B2307/538 ,  B32B2309/02 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/78 ,  H01L41/1873 ,  H03H3/08 ,  H03H3/10 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/25 ,  Y10T428/12597

摘要： 复合基板(10)由半导体基板(12)和绝缘性的支撑基板(14)粘合而成。支撑基板(14)为由相同绝缘材料制作的第1基板(14a)和第2基板(14b)以用刀片可剥离的强度接合而成，半导体基板(12)粘合在第1基板(14a)中与第2基板(14b)的接合面相反一侧的表面上。

公开(公告)号：CN111512549A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201880052346.2

申请日：2018-11-09

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 堀裕二 ,  山寺乔纮 ,  高垣达朗

IPC分类号： H03H9/25 ,  H01L21/02 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/31 ,  H03H3/08

摘要： 在将由铌酸锂等材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，能够抑制接合体的特性劣化。接合体(8A)具备：支撑基板(3)；氧化硅层(7)，其设置于支撑基板(3)上；压电性材料基板(1A)，其设置于氧化硅层(7)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成。氧化硅层(7)中的氮浓度的平均值高于氧化硅层(7)与支撑基板(3)的界面(E)处的氮浓度、以及氧化硅层(7)与压电性材料基板(1A)的界面(D)处的氮浓度。

公开(公告)号：CN105051862B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201480016581.6

申请日：2014-10-15

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 高垣达朗 ,  岩崎康范 ,  宫泽杉夫 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC分类号： H01L21/02 ,  C04B35/115

CPC分类号： H01L21/683 ,  C04B35/111 ,  C04B35/115 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/945 ,  C04B2235/963 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007 ,  H01L27/12 ,  H01L29/16 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/219 ,  Y10T428/24777

摘要： 一种半导体用复合晶片的支撑基板，可以抑制形成有切口的晶片的微粒。半导体用复合晶片的支撑基板(1A)、(1B)由多晶陶瓷烧结体形成，在外周边缘部有切口(2A)、(2B)。切口由烧成面形成。

公开(公告)号：CN105981132A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580006859.6

申请日：2015-02-17

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 井出晃启 ,  高垣达朗 ,  宫泽杉夫 ,  岩崎康范

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/86 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76256 ,  H01L27/1203

摘要： 半导体用复合基板的操作基板4包括：基底基板，该基底基板由多晶材料构成，及单组分且高纯度的非晶质层3，该非晶质层3设置在基底基板1上，具有耐化学腐蚀性。

公开(公告)号：CN105190838A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201580000420.2

申请日：2015-01-13

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 宫泽杉夫 ,  岩崎康范 ,  高垣达朗 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L29/16 ,  C04B35/115 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B37/001 ,  C04B37/005 ,  C04B37/008 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/786 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/588 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/0649 ,  Y10T428/24355

摘要： 半导体用复合基板的操作基板(1)由多晶氧化铝形成，操作基板(1)的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为20～55μm，操作基板的中央部(20)的晶粒的平均粒径为10～50μm，操作基板的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为中央部(20)的晶粒的平均粒径的1.1倍以上、3.0倍以下。

公开(公告)号：CN105051862A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480016581.6

申请日：2014-10-15

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 高垣达朗 ,  岩崎康范 ,  宫泽杉夫 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC分类号： H01L21/02 ,  C04B35/115

CPC分类号： H01L21/683 ,  C04B35/111 ,  C04B35/115 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/945 ,  C04B2235/963 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007 ,  H01L27/12 ,  H01L29/16 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/219 ,  Y10T428/24777

摘要： 一种半导体用复合晶片的支撑基板，可以抑制形成有切口的晶片的微粒。半导体用复合晶片的支撑基板(1A)、(1B)由多晶陶瓷烧结体形成，在外周边缘部有切口(2A)、(2B)。切口由烧成面形成。