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公开(公告)号：CN111492496B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201880052342.4
申请日：2018-11-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H10N30/88 , H10N30/20 , H10N30/853 , H10N30/01 , H10N30/072 , H03H9/25
Abstract: 在将由铌酸锂等形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，提高接合体的特性。接合体(8、8A)具备：支撑基板(3)；压电性材料基板(1、1A)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成；以及接合层(7)，其将支撑基板和压电性材料基板接合。接合层(7)的材质为氧化硅。在将接合层(7)分为压电性材料基板侧接合部(7a)和支撑基板侧接合部(7b)时，压电性材料基板侧接合部(7a)中的氮浓度高于支撑基板侧接合部(7b)中的氮浓度。
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公开(公告)号：CN112088439A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201980019317.0
申请日：2019-02-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L41/187 , C23C14/08 , C23C14/10 , C30B25/06 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/18 , H01L21/02 , H01L41/053 , H01L41/335 , H03H9/25
Abstract: 在将压电性材料基板1(1A)借助接合层2而与支撑基板3接合时，使得即便在对得到的接合体进行加热处理时也不会发生压电性材料基板1(1A)的剥离。接合体具备：支撑基板3；压电性材料基板1(1A)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层2，其将支撑基板3和压电性材料基板1(1A)接合，并与压电性材料基板1(1A)的接合面1a接触。在接合层2设置有从所述压电性材料基板趋向所述支撑基板延伸的空隙。
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公开(公告)号：CN111819792A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201880090900.6
申请日：2018-11-19
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在将由钽酸锂等形成的压电性材料基板和设置有氧化硅层的支撑基板接合时，使接合强度得到提高。接合体具备：支撑基板4；氧化硅层5，其设置于支撑基板4上；以及压电性材料基板1，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于氧化硅层5上。氧化硅层5侧的压电性材料基板1的表面电阻率为1.7×1015Ω/□以上。
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公开(公告)号：CN105074868A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480009140.3
申请日：2014-02-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H03H3/08 , H03H9/145 , H03H9/25
CPC classification number: H01L21/6835 , B32B7/02 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B9/005 , B32B9/04 , B32B18/00 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/283 , B32B37/10 , B32B38/10 , B32B2264/105 , B32B2307/20 , B32B2307/206 , B32B2307/538 , B32B2309/02 , B32B2309/105 , B32B2457/00 , B32B2457/14 , H01L21/78 , H01L41/1873 , H03H3/08 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/25 , Y10T428/12597
Abstract: 复合基板(10)由半导体基板(12)和绝缘性的支撑基板(14)粘合而成。支撑基板(14)为由相同绝缘材料制作的第1基板(14a)和第2基板(14b)以用刀片可剥离的强度接合而成，半导体基板(12)粘合在第1基板(14a)中与第2基板(14b)的接合面相反一侧的表面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108702846B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201780010366.9
申请日：2017-01-12
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 向陶瓷基材的贯通孔供给金属糊，通过加热而生成金属多孔体。在金属多孔体的主面涂布玻璃糊，并且使玻璃糊含浸到金属多孔体的开口气孔中。通过加热使玻璃糊固化，由此在金属多孔体的主面上形成玻璃层，且使含浸在开口气孔中的玻璃糊成为玻璃相。除去玻璃层，由此得到具备陶瓷基板1A、以及设置在贯通孔2A内的贯通导体11的连接基板10。贯通导体11具备金属多孔体和玻璃相。
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公开(公告)号：CN111492496A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880052342.4
申请日：2018-11-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L41/312 , H01L41/053 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/22 , H03H9/25
Abstract: 在将由铌酸锂等形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，提高接合体的特性。接合体(8、8A)具备：支撑基板(3)；压电性材料基板(1、1A)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成；以及接合层(7)，其将支撑基板和压电性材料基板接合。接合层(7)的材质为氧化硅。在将接合层(7)分为压电性材料基板侧接合部(7a)和支撑基板侧接合部(7b)时，压电性材料基板侧接合部(7a)中的氮浓度高于支撑基板侧接合部(7b)中的氮浓度。
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公开(公告)号：CN105191511B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201580000703.7
申请日：2015-02-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05K1/03 , C04B35/111 , H05K3/00
Abstract: 本发明提供排列有导体用的贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25～300μm，贯通孔2的直径W为20μm～100μm，绝缘基板(1)由氧化铝烧结体形成。氧化铝烧结体的相对密度为99.5％以上，平均粒径为2～50μm。
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公开(公告)号：CN108702846A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780010366.9
申请日：2017-01-12
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H05K3/40 , H05K1/0306 , H05K1/115 , H05K3/26
Abstract: 向陶瓷基材的贯通孔供给金属糊，通过加热而生成金属多孔体。在金属多孔体的主面涂布玻璃糊，并且使玻璃糊含浸到金属多孔体的开口气孔中。通过加热使玻璃糊固化，由此在金属多孔体的主面上形成玻璃层，且使含浸在开口气孔中的玻璃糊成为玻璃相。除去玻璃层，由此得到具备陶瓷基板1A、以及设置在贯通孔2A内的贯通导体11的连接基板10。贯通导体11具备金属多孔体和玻璃相。
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公开(公告)号：CN105190839A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201580000704.1
申请日：2015-01-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02 , C04B35/115 , C04B37/02
Abstract: 构成处理基板的透光性多晶氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，透光性多晶氧化铝的气孔率为0.01％以上、0.1％以下。处理基板的接合面侧的表面区域中所含的大小为0.5μm以上的气孔数量为表面区域中所含的大小为0.1μm以上、0.3μm以下的气孔数量的0.5倍以下。
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