公开(公告)号：CN114207810A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080056375.3

申请日：2020-08-14

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 露野円丈 ,  金子裕二朗 ,  松下晃 ,  望月诚仁 ,  井出英一 ,  楠川顺平

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L25/18 ,  H01L25/07 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明的电气回路体使用具有树脂绝缘层(441)和金属箔(442)的片材状构件(440)。片材状构件(440)跟随第2导体板(431)、第4导体板(433)的翘曲、阶差而变形，由此能将树脂绝缘层(441)的厚度设为能确保绝缘性的例如120μm的规定厚度。通过使例如厚度120μm的金属类导热构件(450)介于片材状构件(440)与冷却构件(340)之间进行塑性变形，从而使金属类导热构件(450)的厚度变化，并吸收第2导体板(431)、第4导体板(433)所产生的翘曲、阶差。由此，与仅通过绝缘层将导体板与冷却构件(340)相接的情况相比，散热性显著提高。

公开(公告)号：CN114008775A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202080045792.8

申请日：2020-06-16

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 平尾高志 ,  露野円丈 ,  清水悠佳 ,  松下晃

IPC: H01L23/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明的半导体装置(100)包括：半导体元件(10)，其具有具备开口部(15a)的第一绝缘层(15)以及从第一绝缘层(15)的开口部(15a)露出的源极电极(12)；中继导体(21)，其与源极电极(12)相接合；接合层(41)，其将源极电极(12)与中继导体(21)相接合；第二绝缘层(31)，其覆盖第一绝缘层(15a)的至少一部分，至少与接合层(41)的周围相接地进行设置；表面侧导体(22)，其与中继导体(21)相连接；以及密封树脂(32)，其填充在表面侧导体(22)与第二绝缘层(31)之间。由此，提供如下半导体装置：即使存在孔隙，局部放电的产生也得到抑制。

公开(公告)号：CN110771027B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201880039030.X

申请日：2018-05-22

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 露野円丈 ,  岛津博美 ,  难波明博 ,  松下晃 ,  宝藏寺裕之 ,  西原淳夫 ,  石井利昭 ,  平尾高志

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/433 ,  H01L25/18 ,  H02M7/00 ,  H02M7/5387 ,  H01L25/07 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明的目的在于确保功率半导体装置的可靠性并且提高生产率。本发明的特征在于，具备：电路体，其包含半导体元件和导体部而构成；第1绝缘构件和第2绝缘构件，它们隔着所述电路体相互对置；第1基座和第2基座，它们隔着所述电路体、所述第1绝缘构件和所述第2绝缘构件相互对置；壳体，其形成有由所述第1基座覆盖的第1开口部以及由所述第2基座覆盖的第2开口部；以及距离限制部，其设置在所述第1基座和所述第2基座之间的空间内，并且通过与该双方的基座接触来限制该第1基座和该第2基座之间的距离。