-
公开(公告)号：CN114222493A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111605726.4
申请日：2021-12-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于电磁屏蔽材料领域，为解决传统Mxene材料阻抗匹配性能差和力学性能差的问题，本发明提供一种高韧性Mxene复合电磁屏蔽膜及制备方法和应用，制备方法为第一步制备Ti3C2Tx Mxene；第二步通过带正电荷的PEDOT分子链与Mxene表面极性官能团的静电作用，将PEDOT分子链均匀地堆积在Mxene平面两侧制备，制得Mxene与PEDOT复合膜。本方法制备的膜，实现了更高的屏蔽效果和断裂伸长率，其电磁屏蔽效应达80dB和断裂伸长率提高3倍，可应用于微波暗室、可穿戴式电磁防护方面。
-
公开(公告)号：CN113488559A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110754311.7
申请日：2021-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种硫化钼/铌酸锂复合型光收发器件及制备方法，包括单晶LiNbO3，形成于单晶LiNbO3表面的层状MoS2层，与MoS2层部分重叠的p型材料层，以及电极，所述电极放置于单晶LiNbO3，MoS2层、p型材料以及MoS2层与p型材料重叠部分的上方或者包括p型硅基衬底，HfO2层，MoS2二维材料层，LiNbO3晶态薄膜与电极，所述HfO2层部分覆盖硅基衬底，所述MoS2二维材料层与所述HfO2层部分重叠，所述LiNbO3晶态薄膜设置于MoS2二维材料层和HfO2层重叠部分上。本发明采用LiNbO3来增强MoS2二维材料的光电性能，可以降低工艺成本；相比传统的调制器，用MoS2/LiNbO3复合型光收发器插损降低，对硅的依赖性降低，无需控制硅成分严格控制，只要通过异质结堆叠步骤，可以获得低功耗、小体积的光收发器。
-
公开(公告)号：CN113465490A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110706732.2
申请日：2021-06-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明公开了一种正压导应变传感器及其制备方法，以CNF‑C透明水凝胶中绝缘的纳米纤维素(CNF)为填充材料，溶解在透明水凝胶中的Na+或K+、Cl+离子为导电相，均匀分散后得到具有粘流性的液态导电凝胶，该导电凝胶被注入到弹性基体通孔中进行包覆，即可得到可拉伸的应变传感器，解决了应变传感领域中，大应变下电阻信号过大或电流信号过小导致难以测量的难题，从信号测量角度实现了应变传感范围的扩增，且所需原料廉价易得，成本极大地降低。
-
公开(公告)号：CN110838519A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910977844.4
申请日：2019-10-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/732 , H01L21/34 , H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/11 , H01L41/08 , H01L41/113 , H01L41/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性ZnO/NiO/ZnO多功能三极管，该结构为从上到下依次为发射极、基极、集电极、柔性导电衬底；所述的柔性导电衬底为柔性衬底上设有导电层；所述的发射极材料为ZnO，所述的基极材料为NiO，所述的集电材料为ZnO，所述的发射极、基极、集电极的一侧对齐，所述的发射极和柔性衬底的导电层上设有电极。本发明通过压电效应与半导体能带工程的耦合作用实现该晶体管在光电探测，力电传感以及纳米发电等多种功能化应用。
-
公开(公告)号：CN119545833A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411516715.2
申请日：2024-10-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于人工神经元器件领域，为了解决现有人工突出功能单一、制造过程复杂、无法适应规模生产的问题，本发明提出一种基于二维WSe2晶体管的微型多功能人工神经元器件的制备方法，包括以下步骤：制备单层/少层二硫化硒薄沟道；蒸镀Se/Au电极制作P型WSe2晶体管；蒸镀Bi/Au电极制作N型WSe2晶体管并采用CMOS结构连接；本发明还测试了制备的器件的电学性能及其激活函数输入输出曲线，并仿真其各项指标并得到仿真结果的准确率，证明本发明能应用于实现激活函数功能和人工突触功能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113957527A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111201029.2
申请日：2021-10-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供了制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的方法及其应用，以铯源与铜源为混合源，通过气相沉积制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料。本发明采用CsI、CuI经配比为前驱体，节能环保且无毒害性；合成大尺寸二维超薄Cs3Cu2I5纳米结构，为集成电路的大规模应用提供了材料基础；容易转移到其他衬底上进行后续器件加工制作。本发明的方法可以满足大批量二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的制备需求，产物表面平整、形貌均一、元素分布均匀。该制备方法原料丰富、价格低廉、制备方法简单、便于推广以及大规模生产，是一种极具应用潜力的，适用微纳光电子器件新材料的制备技术。
-
公开(公告)号：CN113671800A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110751667.5
申请日：2021-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种提升BE光刻工艺对位性能的方法，包括以下步骤：(a)通过前层BV光刻技术在硅片上制作对准标记沟槽和套刻标记沟槽；(b)在对准标记沟槽和套刻标记槽沟内通过电沉积形成Cu镀层，控制沉积量使对准标记沟槽和套刻标记沟槽的顶部预留一小段沟槽；(c)沉积TaN形成第一TaN层并经CMP平坦化；(d)在硅片表面覆盖上掩膜版，使对准标记沟槽和套刻标记沟槽上方的区域暴露形成矩形刻蚀区域，对矩形刻蚀区域进行刻蚀，形成沉积沟槽；(e)除去掩膜版，在硅片表面沉积第二TaN层，使对准标记沟槽、套刻标记沟槽及沉积沟槽形成呈现随形拓扑结构的对位标记。本发明能实现BE‑BV之间的直接套刻对位，降低后续工艺复杂性和成本，提高对位精度。
-
公开(公告)号：CN110849514B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910978383.2
申请日：2019-10-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种高性能rGO/CNF力电传感器及其制备方法，本发明包括一组弯曲管道、弹性基体、以及具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料；所述弯曲管道横截面为圆形，直径1mm，位于弹性基体内部，采用连续弯曲导线为模板进行构筑；具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料设置在弯曲管道内，弯曲管道两端通过电极封堵；其中具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料包括CNF三维骨架、rGO微纳粒子和异丙醇；本发明rGO/CNF液态敏感材料具有优异的导电能力和延展能力。同时在弹性基体中引入弯曲管道，这种连续弯曲的管道具有两大优势，既可以增强传感器的延展能力，又基于串联效应大大提升了传感器的灵敏度。
-
公开(公告)号：CN110849514A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910978383.2
申请日：2019-10-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种高性能rGO/CNF力电传感器及其制备方法，本发明包括一组弯曲管道、弹性基体、以及具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料；所述弯曲管道横截面为圆形，直径1mm，位于弹性基体内部，采用连续弯曲导线为模板进行构筑；具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料设置在弯曲管道内，弯曲管道两端通过电极封堵；其中具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料包括CNF三维骨架、rGO微纳粒子和异丙醇；本发明rGO/CNF液态敏感材料具有优异的导电能力和延展能力。同时在弹性基体中引入弯曲管道，这种连续弯曲的管道具有两大优势，既可以增强传感器的延展能力，又基于串联效应大大提升了传感器的灵敏度。
-
公开(公告)号：CN113671800B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202110751667.5
申请日：2021-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种提升BE光刻工艺对位性能的方法，包括以下步骤：(a)通过前层BV光刻技术在硅片上制作对准标记沟槽和套刻标记沟槽；(b)在对准标记沟槽和套刻标记槽沟内通过电沉积形成Cu镀层，控制沉积量使对准标记沟槽和套刻标记沟槽的顶部预留一小段沟槽；(c)沉积TaN形成第一TaN层并经CMP平坦化；(d)在硅片表面覆盖上掩膜版，使对准标记沟槽和套刻标记沟槽上方的区域暴露形成矩形刻蚀区域，对矩形刻蚀区域进行刻蚀，形成沉积沟槽；(e)除去掩膜版，在硅片表面沉积第二TaN层，使对准标记沟槽、套刻标记沟槽及沉积沟槽形成呈现随形拓扑结构的对位标记。本发明能实现BE‑BV之间的直接套刻对位，降低后续工艺复杂性和成本，提高对位精度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.023 seconds)
