光学信息的记录方法和记录单元

    公开(公告)号:CN1250210A

    公开(公告)日:2000-04-12

    申请号:CN99121072.7

    申请日:1996-10-04

    Abstract: 标志长度调制记录中,把标志的后端校正脉冲序列加到记录脉冲序列与冷却功率处激光辐射或后端校正脉冲序列间进行偏置功率激光辐射。依标志长度改变辐射起始时间、宽度、后端校正脉冲序列的结构。CAV模式下,依盘片半径改变辐射时间和起始时间。记录脉冲包括起始沿、结束沿脉冲和其间的脉冲时,在记录脉冲序列和冷却功率间进行偏置功率激光辐射。根据结束沿脉冲的延迟量或时钟进行依据标志长度和间隔的辐射起始时间定时的改变。

    光存储介质及其制造方法
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100454414C

    公开(公告)日:2009-01-21

    申请号:CN200480008655.8

    申请日:2004-04-01

    CPC classification number: G11B7/24079 G11B7/24038 G11B7/24085

    Abstract: 本发明提供一种光存储介质,此光存储介质包括:在一个面上具有第1信息坑的第1衬底;在第1衬底的具有第1信息坑的面上,反映第1信息坑的凹凸而形成的第1反射层;在第1反射层上形成的、在和第1反射层相对一侧的面上具有第2信息坑的第2衬底;在第2衬底的具有第2信息坑的面上,反映第2信息坑的凸凹而形成的第2反射层;在第2反射层上形成的覆盖层。作为所述第1反射层的凹凸之差的第1信息坑深度(d1)和再生信号用的激光的波长λ以及所述第2衬底的折射率(n1)满足λ/(5n1)≤d1≤λ/(3n1),而且,d1≠λ/(4n1)的关系式。作为所述第2反射层的凸凹之差的第2信息坑深度d2和再生信号用的激光的波长λ以及所述覆盖层的折射率n2满足λ/(5n2)≤d2≤λ/(3n2),而且,d2≠λ/(4n2)的关系式。

    光信息存储媒体的原盘制造方法

    公开(公告)号:CN100367387C

    公开(公告)日:2008-02-06

    申请号:CN200410047691.7

    申请日:2004-05-26

    CPC classification number: G11B7/261 G11B7/24 G11B7/24076 G11B7/24085 G11B7/263

    Abstract: 本发明涉及光信息存储媒体的原盘制造方法,它利用热模式记录法,使用由基板(101)、因曝光状态发生变化的感热材料层(102)以及与感热材料层相接触配置的至少有一层的记录辅助层(103)所构成的记录原盘,通过任意的选择记录辅助层的热传导率、光学常数以及厚度等,用热学或光学的方法来控制感热材料层的曝光状态,从而容易的控制形成在原盘上的凹凸图形的截面形状。

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