公开(公告)号：CN102428519B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201080021659.5

申请日：2010-10-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子幸广 ,  田中浩之 ,  上田路人

IPC: G11C11/22 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: G11C11/22 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/78648

Abstract: 在本发明的驱动方法中，具有：通过分别对第一栅极电极(12)、第二栅极电极(17)、源极电极(15s)和漏极电极(15d)施加满足V1＞Vs、V1＞Vd、V2＞Vs和V2＞Vd的关系的电压V1、V2、Vs和Vd，对半导体存储装置写入第一电阻值的工序(1)；通过施加满足V1＞Vs、V1＞Vd、V2＜Vs和V2＜Vd的关系的电压，对半导体存储装置写入第二电阻值的工序(2)；和通过施加满足V1＜Vs、V1＜Vd、V2＜Vs和V2＜Vd的关系的电压，对半导体存储装置写入第三电阻值的工序(3)。

公开(公告)号：CN102405521A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200980158825.3

申请日：2009-12-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子幸広 ,  加藤刚久 ,  田中浩之

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种半导体存储单元(20)，其具备栅极绝缘膜由铁电体膜(4)构成的MFSFET(21)所组成的存储元件和栅极绝缘膜由顺电体膜(9)构成的MISFET(22)所组成的选择开关元件，MFSFET的第1栅电极(3)由在基板(1)上的结晶性绝缘膜(2)表面形成的结晶性导电膜(3)构成，铁电体膜(4)按照覆盖第1栅电极(3)的方式形成在结晶性绝缘膜(2)，顺电体膜(9)隔着半导体膜(5)形成在铁电体膜(4)上，MISFET(22)的第2栅电极(10)形成在顺电体膜(9)上。