公开(公告)号：CN102405522A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200980158826.8

申请日：2009-12-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中浩之 ,  金子幸広 ,  加藤刚久

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种半导体存储单元，具备栅极绝缘膜由铁电体膜(4)构成的MFSFET(21)所组成的存储元件、和栅极绝缘膜由顺电体膜(9)构成的MISFET(22)所组成的选择开关元件，铁电体膜(4)与顺电体膜(9)隔着非晶半导体膜(5)而层叠，在铁电体膜(4)侧，形成MFSFET(21)的第1栅电极(3)，在顺电体膜(9)侧，形成MISFET的第2栅电极(10)。非晶半导体膜(5)构成MFSFET(21)以及MISFET(22)的共用的沟道层，在非晶半导体膜(5)的主面上，形成MFSFET(21)以及MISFET(22)共用的源电极(6)以及漏电极(8)。

公开(公告)号：CN102265392A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980152064.0

申请日：2009-10-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子幸広 ,  加藤刚久 ,  田中浩之

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/22 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/516 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明的半导体存储单元具备由第1场效应晶体管构成的存储器元件(21)和由的第2场效应晶体管构成的选择开关元件(22)，第1场效应晶体管用铁电体膜构成栅极绝缘膜(13)，第2场效应晶体管用顺电体膜构成栅极绝缘膜(16)，铁电体膜和顺电体膜隔着由化合物半导体构成的半导体膜(14)而层叠。在铁电体膜侧形成第1场效应晶体管的第1栅极电极(12)，在顺电体膜侧与第1栅极电极(12)相对置地形成第2场效应晶体管的第2栅极电极(17)，半导体膜(14)构成第1以及第2场效应晶体管的公共的沟道层。

公开(公告)号：CN102405521A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200980158825.3

申请日：2009-12-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子幸広 ,  加藤刚久 ,  田中浩之

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种半导体存储单元(20)，其具备栅极绝缘膜由铁电体膜(4)构成的MFSFET(21)所组成的存储元件和栅极绝缘膜由顺电体膜(9)构成的MISFET(22)所组成的选择开关元件，MFSFET的第1栅电极(3)由在基板(1)上的结晶性绝缘膜(2)表面形成的结晶性导电膜(3)构成，铁电体膜(4)按照覆盖第1栅电极(3)的方式形成在结晶性绝缘膜(2)，顺电体膜(9)隔着半导体膜(5)形成在铁电体膜(4)上，MISFET(22)的第2栅电极(10)形成在顺电体膜(9)上。