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公开(公告)号:CN102405522A
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN200980158826.8
申请日:2009-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8246 , H01L21/8247 , H01L27/105 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/28291 , G11C11/22 , H01L27/1159 , H01L27/1251 , H01L29/78391
Abstract: 一种半导体存储单元,具备栅极绝缘膜由铁电体膜(4)构成的MFSFET(21)所组成的存储元件、和栅极绝缘膜由顺电体膜(9)构成的MISFET(22)所组成的选择开关元件,铁电体膜(4)与顺电体膜(9)隔着非晶半导体膜(5)而层叠,在铁电体膜(4)侧,形成MFSFET(21)的第1栅电极(3),在顺电体膜(9)侧,形成MISFET的第2栅电极(10)。非晶半导体膜(5)构成MFSFET(21)以及MISFET(22)的共用的沟道层,在非晶半导体膜(5)的主面上,形成MFSFET(21)以及MISFET(22)共用的源电极(6)以及漏电极(8)。
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公开(公告)号:CN102265392A
公开(公告)日:2011-11-30
申请号:CN200980152064.0
申请日:2009-10-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8246 , G11C11/22 , H01L21/8247 , H01L27/105 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/28291 , G11C11/22 , G11C11/223 , H01L27/1159 , H01L29/516 , H01L29/6684 , H01L29/78391
Abstract: 本发明的半导体存储单元具备由第1场效应晶体管构成的存储器元件(21)和由的第2场效应晶体管构成的选择开关元件(22),第1场效应晶体管用铁电体膜构成栅极绝缘膜(13),第2场效应晶体管用顺电体膜构成栅极绝缘膜(16),铁电体膜和顺电体膜隔着由化合物半导体构成的半导体膜(14)而层叠。在铁电体膜侧形成第1场效应晶体管的第1栅极电极(12),在顺电体膜侧与第1栅极电极(12)相对置地形成第2场效应晶体管的第2栅极电极(17),半导体膜(14)构成第1以及第2场效应晶体管的公共的沟道层。
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公开(公告)号:CN102405521A
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN200980158825.3
申请日:2009-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8246 , H01L21/8247 , H01L27/105 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/28291 , G11C11/22 , H01L27/1159 , H01L27/1251 , H01L29/78391
Abstract: 一种半导体存储单元(20),其具备栅极绝缘膜由铁电体膜(4)构成的MFSFET(21)所组成的存储元件和栅极绝缘膜由顺电体膜(9)构成的MISFET(22)所组成的选择开关元件,MFSFET的第1栅电极(3)由在基板(1)上的结晶性绝缘膜(2)表面形成的结晶性导电膜(3)构成,铁电体膜(4)按照覆盖第1栅电极(3)的方式形成在结晶性绝缘膜(2),顺电体膜(9)隔着半导体膜(5)形成在铁电体膜(4)上,MISFET(22)的第2栅电极(10)形成在顺电体膜(9)上。
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