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公开(公告)号：CN1158163A
公开(公告)日：1997-08-27
申请号：CN96190708.8
申请日：1996-05-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种测定汽车发动机排放的气体温度用的温度传感元件，它备有平板状金属支撑体、位于上述支撑体上的第1电绝缘膜、位于上述第1电绝缘膜上的备有一对电极的热敏膜、及位于上述热敏膜上的第2电绝缘膜。该温度传感元件耐热冲击性好、而且不需要耐热帽、热容量小，所以热应答性能好。
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公开(公告)号：CN1153398A
公开(公告)日：1997-07-02
申请号：CN96112720.1
申请日：1996-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31
Abstract: 一种有经过精细加工的电介质元件的制造方法。该方法包括利用由氢氟酸和氧化剂构成的腐蚀剂，将在基板上形成的电介质膜蚀刻成规定的图形的工序、以及通过利用由还原剂构成的第1处理液、接着利用由酸构成的第2处理液分别进行处理，将蚀刻残渣除去的工序。能不产生残渣而使电介质膜形成精细的图形。
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公开(公告)号：CN1111388A
公开(公告)日：1995-11-08
申请号：CN94119379.9
申请日：1994-12-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L41/316 , C04B35/472 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C30B23/02 , C30B29/32 , H01L37/025
Abstract: 提供了一种强电介质薄膜，它是通过向添加了La的钛酸铅中添加由能与氧原子进行6配位结合的Mg和Mn中选取的至少一种元素而形成的强电介质薄膜，在薄膜形成时赋予了高的C轴取向性，并且不需要象大晶体那样进行极化处理。它的制造方法是在MgO单晶板9上预先通过溅射形成基底白金电极，然后将单晶板9置于基板加热器10上。从真空室7内抽气，用基板加热器10加热基板9，通过喷嘴14向真空室7内通入作为溅射气体的Ar和O2，保持高真空度。由高频电源8向靶1输入高频电功率其产生等离子体，从而在基板9上成膜。例如，可制造组成为[(1-x)·Pb1-yLayTi1-y/4O3+x·MgO](x＝0.01～0.10，y＝0.05～0.25)的强电介质薄膜。
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公开(公告)号：CN100477314C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN03149264.9
申请日：2003-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01P15/0922 , B41J2/14233 , B41J2/14282 , B41J2002/1425 , B41J2202/03 , G01C19/5607 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 一种压电元件(20)，在硅基板(1)上形成第一电极层，该第一电极层由从钴、镍、铁、锰及铜的组中选择的至少一种金属与贵金属的合金构成，在该第一电极层(2)上形成由菱面体晶系或正方晶系的钙钛矿型氧化物(PZT等)构成的压电体层(3)，使该压电体层(3)优先取向于(001)面。
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公开(公告)号：CN1692504A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100562.3
申请日：2003-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及热电器件及其制造方法与红外线传感器，在基板上，按照如下顺序，依次形成：由包含从Ti、Co、Ni、Mg、Fe、Ca、Sr、Mn、Ba、Al及它们的氧化物群中选择的至少一种添加物的贵金属构成的第1电极层；厚度为0.5～5μm、化学成分是用分子式(Pb(1－y)Lay)Ti(1－y/4)O3(0＜y≤0.2＝或(Pb(1－y)Lay)(ZrxTi(1－x))(1－y/4)O3(0＜x≤0.2或0.55≤x＜0.8、0＜y≤0.2)表示的钙钛矿型结晶构造的热电体层；以及，第2电极层形成，作成热电器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1210156C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN99800949.0
申请日：1999-06-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/1623 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , B41J2002/14387
Abstract: 用于谋求喷嘴的高密度化及工序效率化喷墨的流体喷射装置及其制造方法。玻璃基板(18)上通过喷砂设有贯穿孔(15)，其上直接接合第二硅基板(19)形成排出口(14)。另外，蚀刻第一硅基板(17)以形成压力室(12)、流路(13)及流体供给口(16)并与玻璃基板(18)直接接合后，在压力室(12)正上面与具有弹性体(20)的压电薄膜(11)接合。
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公开(公告)号：CN1483225A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN01816412.9
申请日：2001-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L41/08
CPC classification number: H01L41/1876 , B41J2202/03 , H01L41/0477 , H01L41/29 , H01L41/316
Abstract: 本发明涉及控制电介质薄膜的结晶取向性并可以使电气特性等各种特性最佳化的电介质薄膜元件。该电介质薄膜元件(10)具有衬底(11)、形成在该衬底(11)上的第一电极(12)、形成在第一电极(12)上的电介质薄膜(13)、形成在该电介质薄膜(13)上的第二电极(14)并且它是在加热所述衬底(11)的状态下制成的。作为所述衬底(11)的材料，使用有一定热膨胀系数的材料，根据衬底(11)的热膨胀系数来控制该电介质薄膜(13)的结晶取向性。
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公开(公告)号：CN1468321A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN01816814.0
申请日：2001-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C01G25/006 , C01P2002/34 , H01L41/094 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 一种能够得到大的压电位移的压电薄膜。该压电薄膜的化学成分表示为：Pb1+a(ZrxTi1－x)O3+a(注：0.2≤a≤0.6，0.50≤x≤0.62)。该压电薄膜的结晶构造，是由其构成元素的氧离子、钛离子、锆离子的一部分缺少的具有离子缺少的钙钛矿型的柱状结晶领域(24)、和没有离子缺少的化学计量成分的钙钛矿型的柱状结晶领域(25)的混合体所构成。根据该压电薄膜的构成，因为由于具有离子缺陷的钙钛矿型的柱状结晶领域(24)，能够缓和结晶内的残留压缩应力，所以，能够得到大的压电位移(位移量)。
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公开(公告)号：CN1237701A
公开(公告)日：1999-12-08
申请号：CN99107154.9
申请日：1999-06-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种小型高性能的红外线检测元件及其制造方法。该红外线检测元件具有配置于同一基板上的、从由热电型红外线检测部、电阻变化型红外线检部及介电常数变化型红外线检测部组成的一组检测部中选出的至少2种红外线检测部。
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公开(公告)号：CN1121999A
公开(公告)日：1996-05-08
申请号：CN95101916.3
申请日：1995-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01D5/24 , G01P15/125 , H01L49/02
CPC classification number: G01P15/0922 , G01P15/0802 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/313 , Y10T29/42 , Y10T29/4981
Abstract: 本发明旨在提供小型、轻量、精度高且成本低的加速度传感元件及热电式红外线传感元件等薄膜传感元件。在平板型KBr基板1的表面利用等离子体MOCVD法形成以基板表面垂直方向为结晶取向(100)方向的岩盐式晶体结构氧化物膜12，利用溅射法在其表面外延生长PZT膜4，然后在其表面形成Ni-Cr电极膜15，将上述多层膜反转后用粘接剂20粘接到中央有穿通的空间部分的传感器基板7上，将接续电极19连接后，通过整体进行水洗处理，除去KBr基板1。
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