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公开(公告)号：CN1145801C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN99106299.X
申请日：1999-04-13
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G01P15/09
CPC分类号： G01P15/0907 , G01P15/0922 , G01P15/18
摘要： 加速度传感器201包括纵向效应型检测部203和横向效应型检测部204。纵向效应型检测部203包括由薄膜压电体211a和电极211b、211c构成的纵向效应型压电元件211。横向效应型检测部204设有横向效应型压电元件213，使其支撑在在底板105上形成的沟状凹部105a的上方附近。检测电路116根据纵向效应型检测部203和横向效应型检测部204两者的输出检测出规定方向上加速度等。因此，能够检测规定方向上的加速度并实现大动态范围和宽频带。
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公开(公告)号：CN1272818A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN99800949.0
申请日：1999-06-16
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： B41J2/1623 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , B41J2002/14387
摘要： 用于谋求喷嘴的高密度化及工序效率化喷墨的流体喷射装置及其制造方法。玻璃基板(18)上通过喷砂设有贯穿孔(15),其上直接接合第二硅基板(19)形成排出口(14)。另外,蚀刻第一硅基板(17)以形成压力室(12)、流路(13)及流体供给口(16)并与玻璃基板(18)直接接合后,在压力室(12)正上面与具有弹性体(20)的压电薄膜(11)接合。
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公开(公告)号：CN1132803A
公开(公告)日：1996-10-09
申请号：CN95117104.6
申请日：1995-09-01
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： C23C28/00
CPC分类号： C23C14/568 , C23C16/4412 , C23C16/54 , C30B25/14
摘要： 提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法，具有至少一个物理蒸镀装置和至少一个化学蒸镀装置，由于具有将所述物理蒸镀装置和化学蒸镀装置分别接于共同的排气装置的排气管和排气路切换装置，所以装置是小型的，薄膜形成时间短。利用通过排气管2a将物理蒸镀装置3、通过排气管2b将化学蒸镀装置4、排气管2c将排气装置接到排气路切换装置1的结构，作成腔室至少为2个排气装置为1个的小型薄膜形成装置，在化学蒸镀时导入的原材料蒸汽不进入物理蒸镀装置内，可实行小型的薄膜形成时间短的薄膜成型。
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公开(公告)号：CN101355134B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200810135194.0
申请日：2003-06-17
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G01P15/0922 , B41J2/14233 , B41J2/14282 , B41J2002/1425 , B41J2202/03 , G01C19/5607 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： 本发明涉及压电元件、喷墨头、角速度传感器及其制法和喷墨式记录装置，压电元件具备第一电极层、压电体层和第二电极层，第一电极层由选自钴、镍、铁、锰及铜的至少一种金属与贵金属构成，压电体层由钙钛矿型氧化物构成，在第一电极层与压电体层间设有由优先取向于立方或正方晶系的(100)或(001)面的钙钛矿型氧化物构成的取向控制层，该控制层的第一电极层侧的部分为：(100)或(001)面取向的区域存在于位于第一电极层中取向控制层侧的表面部的所述至少一种金属上，且与层厚方向垂直的截面中的所述(100)或(001)面取向区域的面积从第一电极层侧向着压电体层侧变大，所述至少一种金属，在第一电极层以控制取向控制层的成长方向的方式形成图案。
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公开(公告)号：CN1088918C
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN95101916.3
申请日：1995-02-07
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L49/02
CPC分类号： G01P15/0922 , G01P15/0802 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/313 , Y10T29/42 , Y10T29/4981
摘要： 本发明旨在提供小型、轻量、精度高且成本低的加速度传感元件及热电式红外线传感元件等薄膜传感元件。在平板型KBr基板1的表面利用等离子体MOCVD法形成以基板表面垂直方向为结晶取向(100)方向的岩盐式晶体结构氧化物膜12，利用溅射法在其表面外延生长PZT膜4，然后在其表面形成Ni-Cr电极膜15，将上述多层膜反转后用粘接剂20粘接到中央有穿通的空间部分的传感器基板7上，将接续电极19连接后，通过整体进行水洗处理，除去KBr基板1。
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公开(公告)号：CN100477314C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN03149264.9
申请日：2003-06-17
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G01P15/0922 , B41J2/14233 , B41J2/14282 , B41J2002/1425 , B41J2202/03 , G01C19/5607 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： 一种压电元件(20)，在硅基板(1)上形成第一电极层，该第一电极层由从钴、镍、铁、锰及铜的组中选择的至少一种金属与贵金属的合金构成，在该第一电极层(2)上形成由菱面体晶系或正方晶系的钙钛矿型氧化物(PZT等)构成的压电体层(3)，使该压电体层(3)优先取向于(001)面。
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公开(公告)号：CN1692504A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100562.3
申请日：2003-12-04
申请人： 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明涉及热电器件及其制造方法与红外线传感器，在基板上，按照如下顺序，依次形成：由包含从Ti、Co、Ni、Mg、Fe、Ca、Sr、Mn、Ba、Al及它们的氧化物群中选择的至少一种添加物的贵金属构成的第1电极层；厚度为0.5～5μm、化学成分是用分子式(Pb(1－y)Lay)Ti(1－y/4)O3(0＜y≤0.2＝或(Pb(1－y)Lay)(ZrxTi(1－x))(1－y/4)O3(0＜x≤0.2或0.55≤x＜0.8、0＜y≤0.2)表示的钙钛矿型结晶构造的热电体层；以及，第2电极层形成，作成热电器件。
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公开(公告)号：CN1210156C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN99800949.0
申请日：1999-06-16
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： B41J2/1623 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , B41J2002/14387
摘要： 用于谋求喷嘴的高密度化及工序效率化喷墨的流体喷射装置及其制造方法。玻璃基板(18)上通过喷砂设有贯穿孔(15)，其上直接接合第二硅基板(19)形成排出口(14)。另外，蚀刻第一硅基板(17)以形成压力室(12)、流路(13)及流体供给口(16)并与玻璃基板(18)直接接合后，在压力室(12)正上面与具有弹性体(20)的压电薄膜(11)接合。
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公开(公告)号：CN1483225A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN01816412.9
申请日：2001-09-26
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L41/08
CPC分类号： H01L41/1876 , B41J2202/03 , H01L41/0477 , H01L41/29 , H01L41/316
摘要： 本发明涉及控制电介质薄膜的结晶取向性并可以使电气特性等各种特性最佳化的电介质薄膜元件。该电介质薄膜元件(10)具有衬底(11)、形成在该衬底(11)上的第一电极(12)、形成在第一电极(12)上的电介质薄膜(13)、形成在该电介质薄膜(13)上的第二电极(14)并且它是在加热所述衬底(11)的状态下制成的。作为所述衬底(11)的材料，使用有一定热膨胀系数的材料，根据衬底(11)的热膨胀系数来控制该电介质薄膜(13)的结晶取向性。
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