公开(公告)号：CN101395728A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780008090.7

申请日：2007-03-09

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 福岛博司 ,  安田正治 ,  山江和幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/5275 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明的发光元件包括：半导体层(1)，包含发光层(12)；凹凸部(14)，由凹凸构成，该凹凸，以比从发光层(12)射出的光在半导体层(1)中的波长大的间距形成于半导体层(1)的光取出面上；以及反射层，形成于与光取出面相反的面上，该反射层的反射率在90％以上。在具有这种结构的发光元件中，通过反射层与凹凸部的相乘效果，可高效地取出光。

公开(公告)号：CN102326270A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080009000.8

申请日：2010-02-23

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 村井章彦 ,  安田正治 ,  岩桥友也 ,  山江和幸

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/10 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种发光器件，其包括：安装基板和LED芯片，所述LED芯片包括：n-型氮化物半导体层、氮化物发光层、p-型氮化物半导体层、阳电极和阴电极。所述氮化物发光层设置在n-型氮化物半导体层上。所述p-型氮化物半导体层设置在氮化物发光层上。从p-型氮化物半导体层观察时，阳电极位于氮化物发光层的相反侧。阴电极设置在n-型氮化物半导体层上。安装基板的导体图案通过凸点与阴电极和阳电极接合。LED芯片具有电介质层。所述电介质层形成为至少一个岛并且位于p-型氮化物半导体层和阳电极之间。p-型氮化物半导体层具有与凸点交叠的第一区域。电介质层不形成于第一区域内。

公开(公告)号：CN101395728B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200780008090.7

申请日：2007-03-09

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 福岛博司 ,  安田正治 ,  山江和幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/5275 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明的发光元件包括：半导体层(1)，包含发光层(12)；凹凸部(14)，由凹凸构成，该凹凸，以比从发光层(12)射出的光在半导体层(1)中的波长大的间距形成于半导体层(1)的光取出面上；以及反射层，形成于与光取出面相反的面上，该反射层的反射率在90％以上。在具有这种结构的发光元件中，通过反射层与凹凸部的相乘效果，可高效地取出光。

公开(公告)号：CN102362547A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201080013758.9

申请日：2010-02-22

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 山江和幸 ,  田中健一郎

IPC: H05B33/02 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5036 ,  H01L51/5268

Abstract: 一种发光器件，包括有机电致发光元件(20)和衍射光学元件(30)。所述有机电致发光元件(20)包括阳极层(21)、阴极层(22)，以及置于所述阳极层(21)和所述阴极层(22)之间并且配置为发射具有不同波长的光线的多个发光层(231和232)。所述衍射光学元件(30)设置在由所述有机电致发光元件(20)发射的光线的光路中。所述衍射光学元件(30)被设计为具有不同的光栅图案(311和312)，以衍射分别发射自所述发光层(231和232)的光线，用于减小色差。