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公开(公告)号：CN102203966A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980142895.X
申请日：2009-10-27
申请人： 松下电工株式会社 , 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01S5/0207 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02492 , H01S5/32341
摘要： 本发明的半导体发光元件的制造方法具有：半导体层形成工序、接合工序、槽形成工序、光照射工序、剥离工序和切断工序。在半导体层形成工序中，在具有透光性的第1晶片的上表面形成多层氮化物半导体层。在接合工序中，在多层氮化物半导体层的上表面接合第2晶片。在槽形成工序中，形成从第1晶片的下表面至少到达多层氮化物半导体层的深度的槽。在光照射工序中，隔着第1晶片对多层氮化物半导体层的下表面照射第1光。由此，多层氮化物半导体层与第1晶片之间的接合力降低。在剥离工序中，从多层氮化物半导体层分离第1晶片。在切断工序中，沿着槽切断第2晶片，由此分割成多个半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN101395728A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780008090.7
申请日：2007-03-09
申请人： 松下电工株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L51/5268 , H01L51/5275 , H01L2933/0083
摘要： 本发明的发光元件包括：半导体层(1)，包含发光层(12)；凹凸部(14)，由凹凸构成，该凹凸，以比从发光层(12)射出的光在半导体层(1)中的波长大的间距形成于半导体层(1)的光取出面上；以及反射层，形成于与光取出面相反的面上，该反射层的反射率在90％以上。在具有这种结构的发光元件中，通过反射层与凹凸部的相乘效果，可高效地取出光。
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公开(公告)号：CN102326270A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080009000.8
申请日：2010-02-23
申请人： 松下电工株式会社
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/10 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 公开了一种发光器件，其包括：安装基板和LED芯片，所述LED芯片包括：n-型氮化物半导体层、氮化物发光层、p-型氮化物半导体层、阳电极和阴电极。所述氮化物发光层设置在n-型氮化物半导体层上。所述p-型氮化物半导体层设置在氮化物发光层上。从p-型氮化物半导体层观察时，阳电极位于氮化物发光层的相反侧。阴电极设置在n-型氮化物半导体层上。安装基板的导体图案通过凸点与阴电极和阳电极接合。LED芯片具有电介质层。所述电介质层形成为至少一个岛并且位于p-型氮化物半导体层和阳电极之间。p-型氮化物半导体层具有与凸点交叠的第一区域。电介质层不形成于第一区域内。
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公开(公告)号：CN101395728B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780008090.7
申请日：2007-03-09
申请人： 松下电工株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L51/5268 , H01L51/5275 , H01L2933/0083
摘要： 本发明的发光元件包括：半导体层(1)，包含发光层(12)；凹凸部(14)，由凹凸构成，该凹凸，以比从发光层(12)射出的光在半导体层(1)中的波长大的间距形成于半导体层(1)的光取出面上；以及反射层，形成于与光取出面相反的面上，该反射层的反射率在90％以上。在具有这种结构的发光元件中，通过反射层与凹凸部的相乘效果，可高效地取出光。
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