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公开(公告)号：CN100532248C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200480027286.7
申请日：2004-09-21
申请人： 松下电工株式会社
CPC分类号： G02B26/0816 , B81B3/0086 , B81B2201/033 , B81B2201/045 , B81C1/00484 , B81C2201/0109 , B81C2201/019 , G02B6/3516 , G02B6/3518 , G02B6/3546 , G02B6/355 , G02B6/357 , G02B6/3584 , H02N1/008
摘要： 一种用于制造包括固定地支撑在底座上的固定元件和可动地支撑在所述底座上的可动元件的微机电系统(MEMS)的方法。所述方法采用与下衬底分离的上衬底。所述上衬底在其顶层被选择性蚀刻以在其中形成多个柱，所述柱从所述上衬底的底层一起突出。所述柱包括将被固定到所述下衬底的所述固定元件和仅弹性地支撑于一个或多个所述固定元件以相对于所述固定元件可移动的所述可动元件。所述下衬底在其顶表面形成有至少一个凹陷。然后所述上衬底颠倒结合到所述下衬底的顶部，使得把所述固定元件直接设置在所述下衬底上，并把所述可动元件设置在所述凹陷上方。最后，除去所述上衬底的底层，以从所述底层释放所述可动元件，从而把所述可动元件浮置在所述凹陷上，并允许它们相对于所述下衬底移动，同时保持所述固定元件固定到所述下衬底的顶部。
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公开(公告)号：CN1871713A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480031178.7
申请日：2004-11-11
申请人： 松下电工株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/308
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种发光元件的生产方法，用于生产在透明晶体基板(2)上层积至少包括n型基板支持层(3)及p型基板支持层(4)的发光层的发光元件(1)，该生产方法包括在透明晶体基板(2)或发光层(3)、(4)的至少一部分形成转写层(5)的步骤，该转写层通过所供给的能量软化或固化；将形成有微小凹凸结构(61)的模具(6)按压在转写层(5)上，使该微小凹凸结构(61)转写至转写层(5)的外表面的步骤；基于被转写至转写层(5)的微小凹凸结构，形成防止多重反射的微小凹凸结构的步骤。
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公开(公告)号：CN101395728A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780008090.7
申请日：2007-03-09
申请人： 松下电工株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L51/5268 , H01L51/5275 , H01L2933/0083
摘要： 本发明的发光元件包括：半导体层(1)，包含发光层(12)；凹凸部(14)，由凹凸构成，该凹凸，以比从发光层(12)射出的光在半导体层(1)中的波长大的间距形成于半导体层(1)的光取出面上；以及反射层，形成于与光取出面相反的面上，该反射层的反射率在90％以上。在具有这种结构的发光元件中，通过反射层与凹凸部的相乘效果，可高效地取出光。
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公开(公告)号：CN100472824C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200480031178.7
申请日：2004-11-11
申请人： 松下电工株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/308
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种发光元件的生产方法，用于生产在透明晶体基板(2)上层积至少包括n型基板支持层(3)及p型基板支持层(4)的发光层的发光元件(1)，该生产方法包括在透明晶体基板(2)或发光层(3)、(4)的至少一部分形成转写层(5)的步骤，该转写层通过所供给的能量软化或固化；将形成有微小凹凸结构(61)的模具(6)按压在转写层(5)上，使该微小凹凸结构(61)转写至转写层(5)的外表面的步骤；基于被转写至转写层(5)的微小凹凸结构，形成防止多重反射的微小凹凸结构的步骤。
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公开(公告)号：CN101395728B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780008090.7
申请日：2007-03-09
申请人： 松下电工株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L51/5268 , H01L51/5275 , H01L2933/0083
摘要： 本发明的发光元件包括：半导体层(1)，包含发光层(12)；凹凸部(14)，由凹凸构成，该凹凸，以比从发光层(12)射出的光在半导体层(1)中的波长大的间距形成于半导体层(1)的光取出面上；以及反射层，形成于与光取出面相反的面上，该反射层的反射率在90％以上。在具有这种结构的发光元件中，通过反射层与凹凸部的相乘效果，可高效地取出光。
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公开(公告)号：CN100562971C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200480034906.X
申请日：2004-10-27
申请人： 松下电工株式会社
摘要： 在红外辐射元件(A)中，绝热层(2)沿厚度方向形成于半导体衬底(1)的表面上，其比半导体衬底(1)具有充分小的热导率，加热层(3)形成于绝热层(2)上，其为薄层(平面)形式且比绝热层(2)具有更大的热导率和更大的电导率，用于通电的成对的焊盘(4)形成于发热层(3)上。半导体衬底(1)由硅衬底制成。绝热层(2)和加热层(3)由孔隙率彼此不同的多孔硅层形成，且加热层(3)具有小于绝热层(2)的孔隙率。通过将该红外辐射元件(A)作为气敏传感器的红外辐射源，有可能延长红外辐射源的寿命。
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公开(公告)号：CN102203966A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980142895.X
申请日：2009-10-27
申请人： 松下电工株式会社 , 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01S5/0207 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02492 , H01S5/32341
摘要： 本发明的半导体发光元件的制造方法具有：半导体层形成工序、接合工序、槽形成工序、光照射工序、剥离工序和切断工序。在半导体层形成工序中，在具有透光性的第1晶片的上表面形成多层氮化物半导体层。在接合工序中，在多层氮化物半导体层的上表面接合第2晶片。在槽形成工序中，形成从第1晶片的下表面至少到达多层氮化物半导体层的深度的槽。在光照射工序中，隔着第1晶片对多层氮化物半导体层的下表面照射第1光。由此，多层氮化物半导体层与第1晶片之间的接合力降低。在剥离工序中，从多层氮化物半导体层分离第1晶片。在切断工序中，沿着槽切断第2晶片，由此分割成多个半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN1842885B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200480024593.X
申请日：2004-08-25
申请人： 松下电工株式会社
CPC分类号： G02B6/358 , G02B6/3512 , G02B6/355 , G02B6/357 , G02B6/3584 , G02B6/3596 , G02B26/02 , H01H59/0009 , H01H2001/0047
摘要： 一种静电驱动可锁止致动器系统具有致动器和一对在致动器相对端的侧受动器。致动器弹性地支撑到衬底并当电吸引到侧受动器之一时可沿着两个操作位之间的线性轴移动。提供锁止机构以机械锁止致动器在任一操作位位置上。侧受动器可沿着正常位置和接近致动器的移动位置之间的线性轴朝向或远离致动器移动。两个侧受动器也弹性地支撑到衬底以通过静电吸引到那里移向致动器并通过回弹力远离致动器。相应于侧受动器之一被吸引到致动器，移动的侧受动器通过机械连杆联锁到锁止机构以致解开致动器，并允许致动器从一种操作位向另一种操作位移动以再次锁止在那里。
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公开(公告)号：CN1248039C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN02107812.2
申请日：2002-03-21
申请人： 松下电工株式会社
CPC分类号： G02B6/1225 , B82Y20/00 , G02B2006/12145 , G02F1/0131 , G02F1/0147 , G02F1/292 , G02F1/293 , G02F1/313 , G02F2202/32
摘要： 本发明提供了具有光学晶体的小型偏光装置，它能以可控角度偏转入射到光学晶体上的光束，从光学晶体输出具有预期方向的透射光束。该偏光装置包括：光学晶体，其具有与入射到该光学晶体的光束的波长不同的光禁带波长，和用于给光学晶体施加大量能量的偏转控制器，以偏转入射到光学晶体一侧的光束，和从光学晶体的另一侧提供透射光束，相对入射光束形成预期角度。其中所述光学晶体包括至少两种具有不同折射率的材料，并且这些材料形成周期性的结构。
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公开(公告)号：CN1376941A
公开(公告)日：2002-10-30
申请号：CN02107812.2
申请日：2002-03-21
申请人： 松下电工株式会社
CPC分类号： G02B6/1225 , B82Y20/00 , G02B2006/12145 , G02F1/0131 , G02F1/0147 , G02F1/292 , G02F1/293 , G02F1/313 , G02F2202/32
摘要： 本发明提供了具有光学晶体的小型偏光装置,它能以可控角度偏转入射到光学晶体上的光束,从光学晶体输出具有预期方向的透射光束。该偏光装置包括光学晶体,它设计用来使与光束波长不同的光禁带波长的光入射到光学晶体上,和用于给光学晶体施加大量能量的偏转控制器,以偏转入射到光学晶体一侧的光束,和从光学晶体的另一侧提供透射光束,相对入射光束形成预期角度。
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