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公开(公告)号：CN113286709B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201980088657.9
申请日：2019-01-11
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供具备耐墨性和粘附性优异的喷嘴板的喷墨头及其制造方法、以及能够使用该喷墨头得到高质量的喷墨记录图像的喷墨记录方法。本发明的喷墨头是具备至少具有基板的喷嘴板的喷墨头，其特征在于，上述喷嘴板在上述基板的墨水排出面侧的最表面具有疏液层，在上述基板与上述疏液层之间具有疏液层基底膜，该疏液层基底膜至少含有硅(Si)和碳(C)，并且通过X射线光电子能谱法测定的表面部的Si2p轨道的键能的最大峰值P在由下式(1)表示的范围内，式(1)99.6(eV)≤P≤101.9(eV)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111867843B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201880091416.5
申请日：2018-03-22
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供金属配线与在其上形成的有机保护层的密合性得到大幅改善、该金属配线的墨耐久性提高的喷墨头及其制造方法。本发明的喷墨头是在墨流路内或墨罐内的基板上具备金属配线的喷墨头，其特征在于，在所述金属配线上依次具有基底层及有机保护层，所述基底层的与金属配线接触的界面至少含有金属的氧化物或氮化物，与所述有机保护层接触的界面至少含有硅的氧化物或氮化物。
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公开(公告)号：CN110869213B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201880045420.8
申请日：2018-05-30
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明提高喷嘴基板的射出面侧的与防液剂的反应性剂对于墨的耐受性、防止防液性的降低。喷墨记录装置的喷墨头具备喷嘴基板(40A)。喷嘴基板(40A)为具有以下的喷嘴基板：形成有将墨射出的喷嘴(2411)的基材部(41)、在基材部(41)的射出面侧形成且具有碳氧化硅膜的防液层基底膜(42A)、和在防液层基底膜(42A)的射出面侧形成的防液层(43)。
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公开(公告)号：CN111511560A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201780097915.0
申请日：2017-12-26
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 能够更可靠地抑制流路基板的由墨引起的侵蚀。喷墨头芯片(10)具有喷出墨的喷嘴(111)和设置有与该喷嘴连通并供墨通过的墨流路(121)的流路基板(12)，具备该喷墨头芯片(10)的喷墨头(100)的制造方法包括：制造具有多个通过被分离而成为流路基板的区域的复合基板(12M)的复合基板制造工序；在复合基板的表面以及墨流路的内壁面形成第一保护膜(71a)的第一保护膜形成工序；从复合基板分别分离流路基板的分离工序；以及在通过分离工序而产生的流路基板的分离面中的至少在喷墨头芯片的表面露出的露出面形成第二保护膜(72)的第二保护膜形成工序。
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公开(公告)号：CN110869213A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880045420.8
申请日：2018-05-30
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明提高喷嘴基板的射出面侧的与防液剂的反应性剂对于墨的耐受性、防止防液性的降低。喷墨记录装置的喷墨头具备喷嘴基板40A。喷嘴基板40A为具有以下的喷嘴基板：形成有将墨射出的喷嘴2411的基材部41、在基材部41的射出面侧形成且具有碳氧化硅膜的防液层基底膜42A、和在防液层基底膜42A的射出面侧形成的防液层43。
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公开(公告)号：CN110831769A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201880045374.1
申请日：2018-05-30
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 防止喷嘴基板的射出面侧的拒液性降低。喷墨记录装置的喷墨头具备喷嘴基板(40A)。喷嘴基板(40A)具有：基板部(41)，形成有射出墨的喷嘴(2411)；拒液膜基底层(42A)，形成于基板部(41)的射出面侧，至少在表面具有硅氮化膜或者硅氧氮化膜；以及拒液膜(43)，形成于拒液膜基底层(42A)的射出面侧。
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