公开(公告)号：CN107076716A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201680002983.X

申请日：2016-01-06

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 森田博志 ,  小川祐一 ,  佐佐木友野

IPC: G01N31/00 ,  G01N31/10 ,  G01N31/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: G01N31/12 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12 ,  B08B3/14 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67276

Abstract: 不受金属等混入杂质影响，而简便且稳定地准确测定电子材料的洗净工序中使用的氧化性洗净液中的氧化剂浓度。一种氧化剂浓度的测定方法，其在测定用作电子材料洗净工序的洗净液的试样液中的氧化剂浓度时，使试样液中的氧化剂的至少一部分通过加热等而分解，测定因氧化剂的分解而产生的氧气的释放量，基于该测定值求出试样液的氧化剂浓度。

公开(公告)号：CN104584198A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201380043869.8

申请日：2013-08-19

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 小川祐一 ,  山川晴义

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/08 ,  C23G1/10 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02068 ,  B08B3/10 ,  B08B3/102 ,  C11D3/3947 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0064 ,  C25B1/285 ,  C25B15/08 ,  C25F1/00 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67017

Abstract: 实现对于至少露出一部分TiN的经硅化处理后的半导体基板(100)进行有效的清洗，而不会损伤TiN或硅化层。对于至少露出一部分TiN的经硅化处理后的半导体基板进行清洗时，具有以下工序：过硫酸生成工序，该过硫酸生成工序将清洗用硫酸溶液流通至电解部(2)，并使之循环，通过在所述电解部(2)发生的电解反应，生成规定浓度的过硫酸；溶液混合工序，该溶液混合工序将过硫酸生成工序中获得的含有过硫酸的硫酸溶液和含有一种以上的卤化物离子的卤化物溶液在不流通至电解部(2)的状态下进行混合，混合后生成含有过硫酸的氧化剂浓度为0.001～2mol/L的混合溶液；加热工序，该加热工序对混合溶液进行加热；以及清洗工序，该清洗工序运送加热后的混合溶液，使之接触半导体基板(100)并进行清洗。

公开(公告)号：CN117063264A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202280020131.9

申请日：2022-03-09

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 小川祐一

IPC: H01L21/304

Abstract: 功能性水溶液供给装置(1)具有：补给水制造部(3)，从管路(2)供给超纯水(W)并制造作为洗涤水(W1)的功能性水溶液；储存槽(5)，经配管(4)供给/补给制造的洗涤水；及循环管路(7)，从储存槽向枚叶式洗涤机(6A)、(6B)、(6C)及(6D)供给洗涤水并将未使用的洗涤水返送至储存槽。循环管路分支有供给管(7A)、(7B)、(7C)及(7D)，再分别连接从洗涤机(6A)、(6B)……连通至循环管路(7)的返送管(8A)、(8B)、(8C)及(8D)。洗涤机(6A)、(6B)……的运转计划预先传递至控制机构(9)，由该控制机构控制补给水制造部。根据该功能性水溶液供给装置，向电子部件/电子构件等的洗涤装置等用水点供给作为洗涤水的功能性水溶液。

公开(公告)号：CN114340772A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080060382.0

申请日：2020-09-15

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 小川祐一

IPC: B01F23/40 ,  B01D19/00

Abstract: 本发明提供一种稀溶液制造装置，向超纯水等第一液体中微量添加含导电性赋予物质或氧化还原电位调整物质的第二液体，能够稳定制造规定浓度的稀溶液。稀溶液制造装置通过向第一液体添加含导电性赋予物质和氧化还原电位调整物质中的至少一方的第二液体来制造该第二液体的稀溶液，其中，具备：第一配管(1)，流过所述第一液体；泵(6)，经由第二配管(5)向所述第一配管(1)内添加所述第二液体；脱气配管(8)，从该泵(6)脱气；水质传感器(11)，由导电率计、电阻率计或氧化还原电位计构成；以及控制装置(12)，在该水质传感器(11)的水质检测值变动规定值以上时打开脱气阀(9)。

公开(公告)号：CN108603299B

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201780010114.6

申请日：2017-03-07

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 小川祐一

IPC: C25B15/08 ,  C25B1/30 ,  C25B9/18 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种过硫酸溶液制造供给装置及方法，其能缩短半导体晶片清洗装置中的过硫酸溶液的更换时间。在通过第1电解系统(20)向清洗槽(11)循环供给过硫酸溶液的期间，水和硫酸导入第2电解系统的贮存槽(41)，并且通过泵(44)、配管(45)、电解单元(50)、气液分离器(52)、配管(53)而循环，由此生成过硫酸。在进行化学变化时，在从第1电解系统(20)排液之后，将贮存槽(41)内的过硫酸溶液移送至贮存槽(22)。

公开(公告)号：CN105009258A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480011208.1

申请日：2014-02-28

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 小川祐一

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02068 ,  B08B3/08 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051

Abstract: 一种从具有以Si为构成成分的层的半导体基板上除去铂和/或铂合金的半导体基板的清洗方法，该方法能够不损伤Al或硅化物膜、Si系绝缘膜、Si系基板等而进行有效的清洗。该方法是从具有以Si为构成成分的层的半导体基板上除去铂和/或铂合金的半导体基板的清洗方法，包括：使含有以硝酸和/或过氧化氢为主要溶质的第1溶液与所述半导体基板接触而进行清洗的第1清洗工序，和使含有包含氧化剂的硫酸溶液和卤化物、且温度为25～100℃的第2溶液与经过第1清洗工序的所述半导体基板接触而进行清洗的第2清洗工序。

公开(公告)号：CN101981242A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111052.3

申请日：2009-03-25

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 川胜孝博 ,  小林秀树 ,  小川祐一

IPC: D04H1/72 ,  B01D39/16 ,  B01D71/32 ,  B01D71/34 ,  B01J20/26 ,  C02F1/28 ,  D01D5/04 ,  D04H1/42

CPC classification number: D01D5/0038 ,  B01D39/1623 ,  B01D2239/0631 ,  B01D2239/10 ,  B01J20/26 ,  B01J20/28023 ,  B01J47/127 ,  C02F1/42 ,  C02F2103/04 ,  D01F6/48 ,  D04H1/728 ,  D04H3/02 ,  Y10T442/637

Abstract: 本发明涉及一种含有非电解质聚合物与电解质聚合物且兼具双方性质及优点的杂化聚合物纤维体及其制造方法、和包含该杂化聚合物纤维体的的过滤器。在喷出口(1)与靶(相反表面部)(3)之间，以喷出口(1)侧为正、靶(3)侧为负的方式，施加电压，自喷出口(1)使非电解质聚合物及电解质聚合物的混合溶液朝向靶(3)喷出，在靶(3)上聚集含有非电解质聚合物与电解质聚合物的杂化聚合物纤维体(2)。使用该杂化聚合物纤维体(2)用作流体过滤用的过滤器。