-
公开(公告)号：CN110494959B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201880024524.0
申请日：2018-03-20
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 洗净水供给装置，其具有：超纯水线路(1)，其以定量流通超纯水；制造部(2)，其在该超纯水线路定量添加溶质来制造洗净水；洗净水的贮留槽(4)；洗净机(5A～5N)，其由贮留槽(4)供给洗净水；及，控制器(2a)，其以贮留槽(4)内的水位成为预定范围的方式控制洗净水制造部(2)。
-
公开(公告)号：CN111183118B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201880065236.X
申请日：2018-09-12
申请人： 栗田工业株式会社
摘要： 在向铂系催化剂填充管柱(21～25)中通入含过氧化氢的水并分解去除过氧化氢的方法及装置中，通过在规定时间内停止对一部分管柱的通水，并将该管柱内的铂系催化剂保存在超纯水中，而使过氧化氢去除性能恢复。在该规定时间内，可向已停止该通水的管柱中流入氮气或氢溶解水，也可增加向其它管柱中的通水量。
-
公开(公告)号：CN110494960A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880024560.7
申请日：2018-03-20
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C02F1/42 , C02F1/58
摘要： 洗净水供给装置，其包括：超纯水线路(1)，其以定量流通超纯水；制造部(2)，其在该超纯水线路定量添加溶质，来制造洗净水；洗净水线路(3)，其用于流通洗净水；洗净机(5A～5N)，其由该洗净水线路(3)供给洗净水；溶质去除部(4)，其由洗净水线路(3)导入剩余的洗净水；及回收线路(6)，其用于将溶质已被去除的回收水送回至槽等。
-
公开(公告)号：CN101512725B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200780033165.7
申请日：2007-09-05
申请人： 栗田工业株式会社 , 大日本网屏制造株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G02F1/13 , B08B3/02 , H01L21/304 , B08B3/08 , G11B7/26
CPC分类号： G03F7/423 , H01L21/6708
摘要： 本发明提供一种能够从基板很好地去除抗蚀剂，并且能够再利用在该抗蚀剂的去除中使用过的处理液的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置具有：基板保持装置，其用于保持基板；过硫酸生成装置，其使用硫酸生成过硫酸；混合装置，其对通过所述过硫酸生成装置生成的过硫酸以及与由所述过硫酸生成装置使用的硫酸相比更高温并且更高浓度的硫酸加以混合；以及喷出装置，其将通过所述混合装置混合的过硫酸和硫酸的混合液作为从基板去除抗蚀剂用的处理液，并向保持在所述基板保持装置的基板喷出。
-
公开(公告)号：CN1987457B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200610168085.X
申请日：2006-12-18
申请人： 栗田工业株式会社
摘要： 本发明提供水质评价方法、使用该水质评价方法的超纯水评价装置以及备有该超纯水评价装置的超纯水制造系统，所述水质评价方法以对硅物质的影响度作为指标、简易且高灵敏度地对作为制造半导体或液晶用的洗涤水而使用的超纯水的腐蚀性进行评价。使超纯水制造装置制造的超纯水等试样水与硅物质接触，测定与该硅物质接触后的试样水的溶解氢浓度，算出相对于与该硅物质接触前的上述试样水的溶解氢浓度的提高部分，基于该溶解氢浓度的提高部分，判断所述试样水是否具有腐蚀硅表面的性质。
-
公开(公告)号：CN1309417A
公开(公告)日：2001-08-22
申请号：CN00100891.9
申请日：2000-02-14
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： H01L21/302 , B08B3/04 , C23F4/00
CPC分类号： H01L21/02052
摘要： 为了提供一种能够去除电子元件表面上的金属、有机物和细小颗粒污物,尤其是硅基底上的污物,并且在清洗过程中抑制基底表面粗糙度以原子量级增大。一种清洗电子元件的方法,其是用氧化清洗液清洗,之后用还原清洗液清洗并施加超声振动。
-
公开(公告)号：CN103210476B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201180055008.2
申请日：2011-11-11
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02052 , B08B3/00 , B08B3/02 , B08B3/04 , H01L21/67057
摘要： 将通过清洗液清洗过的硅晶片用碳酸水进行漂洗。根据该硅晶片清洁方法，不存在通过漂洗处理发生静电而发生静电破坏的情形、或者在清洗后的硅晶片表面上通过静电附着垃圾的情形，能够防止硅晶片附着漂洗处理时的金属杂质，并且，能够进行使用在考虑到成本的同时进而没有产生残渣的顾虑的干净的漂洗液的漂洗处理。
-
公开(公告)号：CN101939262A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200880114797.0
申请日：2008-11-04
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： C02F1/42 , B01J47/00 , B01J47/04 , H01L21/304
CPC分类号： C02F9/00 , B01J41/04 , B01J47/04 , B01J49/57 , C02F1/20 , C02F1/32 , C02F1/42 , C02F1/441 , C02F1/444 , C02F1/70 , C02F2001/422 , C02F2001/427 , C02F2103/04
摘要： 本发明提供能稳定地制造硼浓度为1ng/L以下或金属浓度为0.1ng/L以下的超纯水制造装置、使用该超纯水制造装置的超纯水制造方法、电子部件构件类的清洗方法和清洗装置。超纯水制造装置，其中设置有具备阴离子交换树脂和阳离子交换树脂的混床式脱离装置16作为最后段的脱离子装置，作为该阴离子交换树脂，使用确认硼含量为50μg/L-阴离子交换树脂(湿润状态)以下的阴离子交换树脂或者阳离子洗脱量为100μg/L-阴离子交换树脂(湿润状态)的阴离子交换树脂。
-
公开(公告)号：CN101401193B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200780008420.2
申请日：2007-03-12
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , B01D19/00 , B01F1/00 , B08B3/08
CPC分类号： C02F1/70 , B01D19/0036 , B01F3/04269 , B01F2003/04404 , B01F2003/04914 , B08B3/12 , B08B9/0321 , C01B3/501 , C01B2203/0405 , C01B2203/0495 , C02F1/444 , C11D3/0052 , H01L21/67057
摘要： 本发明涉及一种将特定气体溶解于水中的气体溶解洗涤水的制造方法，其特征在于在超过大气压的加压下，将特定气体溶解于水中，形成大气压下的溶解度以上的浓度的气体溶解水，接着减小气体溶解水的压力，去除溶解气体的一部分；一种气体溶解洗涤水的制造装置，该装置包括气体溶解装置(14)，其在超过大气压的加压下将特定气体溶解于水中；气体部分去除装置(15)，其将来自气体溶解装置的气体溶解水减小到低于气体溶解时的压力，去除溶解气体的一部分；采用该气体溶解洗涤水的洗涤装置。不采用真空泵等的减压机构，可安全地制造所需的气体浓度的气体溶解洗涤水，可再利用使用完的气体溶解洗涤水的水和特定气体，可适用于必须要求高度的清洁度的电子部件等的洗涤。
-
公开(公告)号：CN1987457A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610168085.X
申请日：2006-12-18
申请人： 栗田工业株式会社
摘要： 本发明提供水质评价方法、使用该水质评价方法的超纯水评价装置以及备有该超纯水评价装置的超纯水制造系统，所述水质评价方法以对硅物质的影响度作为指标、简易且高灵敏度地对作为制造半导体或液晶用的洗涤水而使用的超纯水的腐蚀性进行评价。使超纯水制造装置制造的超纯水等试样水与硅物质接触，测定与该硅物质接触后的试样水的溶解氢浓度，算出相对于与该硅物质接触前的上述试样水的溶解氢浓度的提高部分，基于该溶解氢浓度的提高部分，判断所述试样水是否具有腐蚀硅表面的性质。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
39 条记录 (耗时 0.026 秒)
