-
公开(公告)号：CN110494959B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201880024524.0
申请日：2018-03-20
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 洗净水供给装置，其具有：超纯水线路(1)，其以定量流通超纯水；制造部(2)，其在该超纯水线路定量添加溶质来制造洗净水；洗净水的贮留槽(4)；洗净机(5A～5N)，其由贮留槽(4)供给洗净水；及，控制器(2a)，其以贮留槽(4)内的水位成为预定范围的方式控制洗净水制造部(2)。
-
公开(公告)号：CN111183118B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201880065236.X
申请日：2018-09-12
申请人： 栗田工业株式会社
摘要： 在向铂系催化剂填充管柱(21～25)中通入含过氧化氢的水并分解去除过氧化氢的方法及装置中，通过在规定时间内停止对一部分管柱的通水，并将该管柱内的铂系催化剂保存在超纯水中，而使过氧化氢去除性能恢复。在该规定时间内，可向已停止该通水的管柱中流入氮气或氢溶解水，也可增加向其它管柱中的通水量。
-
公开(公告)号：CN110494960A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880024560.7
申请日：2018-03-20
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C02F1/42 , C02F1/58
摘要： 洗净水供给装置，其包括：超纯水线路(1)，其以定量流通超纯水；制造部(2)，其在该超纯水线路定量添加溶质，来制造洗净水；洗净水线路(3)，其用于流通洗净水；洗净机(5A～5N)，其由该洗净水线路(3)供给洗净水；溶质去除部(4)，其由洗净水线路(3)导入剩余的洗净水；及回收线路(6)，其用于将溶质已被去除的回收水送回至槽等。
-
公开(公告)号：CN101512725B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200780033165.7
申请日：2007-09-05
申请人： 栗田工业株式会社 , 大日本网屏制造株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G02F1/13 , B08B3/02 , H01L21/304 , B08B3/08 , G11B7/26
CPC分类号： G03F7/423 , H01L21/6708
摘要： 本发明提供一种能够从基板很好地去除抗蚀剂，并且能够再利用在该抗蚀剂的去除中使用过的处理液的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置具有：基板保持装置，其用于保持基板；过硫酸生成装置，其使用硫酸生成过硫酸；混合装置，其对通过所述过硫酸生成装置生成的过硫酸以及与由所述过硫酸生成装置使用的硫酸相比更高温并且更高浓度的硫酸加以混合；以及喷出装置，其将通过所述混合装置混合的过硫酸和硫酸的混合液作为从基板去除抗蚀剂用的处理液，并向保持在所述基板保持装置的基板喷出。
-
公开(公告)号：CN1987457B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200610168085.X
申请日：2006-12-18
申请人： 栗田工业株式会社
摘要： 本发明提供水质评价方法、使用该水质评价方法的超纯水评价装置以及备有该超纯水评价装置的超纯水制造系统，所述水质评价方法以对硅物质的影响度作为指标、简易且高灵敏度地对作为制造半导体或液晶用的洗涤水而使用的超纯水的腐蚀性进行评价。使超纯水制造装置制造的超纯水等试样水与硅物质接触，测定与该硅物质接触后的试样水的溶解氢浓度，算出相对于与该硅物质接触前的上述试样水的溶解氢浓度的提高部分，基于该溶解氢浓度的提高部分，判断所述试样水是否具有腐蚀硅表面的性质。
-
公开(公告)号：CN1309417A
公开(公告)日：2001-08-22
申请号：CN00100891.9
申请日：2000-02-14
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： H01L21/302 , B08B3/04 , C23F4/00
CPC分类号： H01L21/02052
摘要： 为了提供一种能够去除电子元件表面上的金属、有机物和细小颗粒污物,尤其是硅基底上的污物,并且在清洗过程中抑制基底表面粗糙度以原子量级增大。一种清洗电子元件的方法,其是用氧化清洗液清洗,之后用还原清洗液清洗并施加超声振动。
-
公开(公告)号：CN110494960B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201880024560.7
申请日：2018-03-20
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C02F1/42 , C02F1/58
摘要： 洗净水供给装置，其包括：超纯水线路(1)，其以定量流通超纯水；制造部(2)，其在该超纯水线路定量添加溶质，来制造洗净水；洗净水线路(3)，其用于流通洗净水；洗净机(5A～5N)，其由该洗净水线路(3)供给洗净水；溶质去除部(4)，其由洗净水线路(3)导入剩余的洗净水；及回收线路(6)，其用于将溶质已被去除的回收水送回至槽等。
-
公开(公告)号：CN105517960A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480048799.X
申请日：2014-09-30
申请人： 栗田工业株式会社
摘要： 本发明提供一种可稳定地制造微粒经高度去除的高水质的超纯水的超纯水制造装置。本发明的超纯水制造装置，其具有从一次纯水制造超纯水的次系统，在该次系统的最终段中设置有膜装置，其特征在于，该膜装置是以串联的方式设置有多段，并且，第1段的膜装置为UF膜装置、MF膜装置或RO膜装置，最终段的膜装置为UF膜装置或未经离子交换基修饰的MF膜装置。
-
公开(公告)号：CN104995722A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201380057522.9
申请日：2013-10-10
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , B08B3/08
CPC分类号： H01L21/02052 , C02F1/20 , C02F1/78 , C02F2103/346
摘要： 制造出溶存臭氧气体浓度高，而且氧气在使用场所中的气泡化被抑制的臭氧气体溶解水。使用所制造出的臭氧气体溶解水，回避因气泡所引起的洗净不均匀或机器破损的故障而有效率地洗净电子材料。在将臭氧气体及氧气的混合气体和脱气处理水供给至臭氧溶解部使该混合气体溶解于该供水而制造出臭氧气体溶解水时，对供给至臭氧溶解部的混合气体量进行控制，以使在假设混合气体中的臭氧全部分解为氧时的该混合气体中的氧气量和供水中的溶存氧气量的合计，成为所获得的臭氧气体溶解水的使用条件下的氧气的饱和溶解度以下。
-
公开(公告)号：CN101573780A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200780049273.3
申请日：2007-12-04
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70925 , G03F7/70341 , Y10T137/0318
摘要： 本发明提供清洗用液体、清洗方法、液体产生装置、曝光装置以及器件制造方法。曝光装置借助曝光用液体利用曝光光对基板进行曝光。为了清洗曝光装置的至少一部分，将清洗用液体供给到曝光装置。清洗用液体中溶解了饱和浓度以上的规定气体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
39 条记录 (耗时 0.021 秒)