公开(公告)号：CN106847665B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201610905897.1

申请日：2013-11-08

申请人： 斯克林集团公司

发明人： 奥谷学

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/0206 ,  B08B3/04 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68792

摘要： 本发明的基板处理方法包括：冲洗工序，向形成有微细图案且基板保持单元保持为水平姿势的基板的上表面供给冲洗液；有机溶媒供给工序，向基板保持单元保持的基板的包括微细图案的间隙的上表面供给有机溶媒，在该上表面上形成有机溶媒的液膜，将附着于基板的上表面的冲洗液置换为有机溶媒，且有机溶媒是表面张力比冲洗液的表面张力小的规定的液体；高温保持工序，在开始有机溶媒供给工序后执行，使被基板保持单元保持的基板的上表面保持比有机溶媒的沸点高的规定的高温，在基板的包括微细图案的间隙的整个上表面形成有机溶媒的气相膜，在该气相膜的上方形成有机溶媒的液膜；有机溶媒排除工序，从基板保持单元保持的基板的上表面排除有机溶媒的液膜。

公开(公告)号：CN108899266A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810391485.X

申请日：2018-04-27

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 巴德里·N·瓦拉达拉简 ,  桂哲 ,  龚波 ,  安德鲁·约翰·迈凯洛

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02167 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0274

摘要： 本发明涉及用于在金属层上沉积氧化硅的方法和装置。在具有暴露的金属(例如W、Cu、Ti、Co、Ta)层的衬底上沉积氧化硅薄层，而不引起金属的显著氧化。该方法包括：(a)使具有暴露的金属层的衬底与含硅前体接触并将前体吸附在衬底上；(b)从处理室中去除未被吸附的前体；以及(c)使被吸附的前体与在包含氧源(例如，O2、CO2、N2O、O3)和H2的工艺气体中形成的等离子体接触以由含硅前体形成氧化硅，同时抑制金属氧化。可以重复这些步骤，直到形成具有期望厚度的氧化硅膜。在一些实施方式中，使用氧化硅膜来改善随后沉积的碳化硅的核化。

公开(公告)号：CN108231519A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711287659.X

申请日：2017-12-07

申请人： FEI公司

发明人： C·鲁 ,  J·克里斯蒂安 ,  K·玛尼 ,  N·T·弗兰克

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C16/44

CPC分类号： H01J37/30 ,  G01N21/00 ,  H01J37/3056 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01J37/32862 ,  C23C16/4405 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3343

摘要： 用于碳去除的增强带电粒子束工艺的方法和系统。提供了用于增强碳去除的方法和系统，用于降低沉积物中碳杂质含量的相关方法和系统，以及在带电粒子束工艺(并且特别是聚焦离子束方法)中使用前体气体。在优选的实施方案中，前体气体包含硝基乙酸甲酯。在替代的实施方案中，前体气体是乙酸甲酯、乙酸乙酯、硝基乙酸乙酯、乙酸丙酯、硝基乙酸丙酯、硝基乙酸乙酯、甲氧基乙酸甲酯或甲氧基乙酰氯。

公开(公告)号：CN107851591A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201480084026.7

申请日：2014-12-23

申请人： EV ,  集团 ,  E·索尔纳有限责任公司

发明人： F.P.林德纳

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67092 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/68 ,  H01L2021/60067

摘要： 本发明涉及一种用于预固定衬底(1、2)的方法和装置，其中在至少一个表面区域中非晶化所述衬底(1、2)的至少一个衬底表面(1o、2o)，其特征在于，所述衬底(1、2)被定向且接着在所述经非晶化的表面区域处接触并且预固定。

公开(公告)号：CN107680916A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710502806.4

申请日：2017-06-27

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 山川纯逸

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： C25D17/001 ,  B08B3/022 ,  B08B3/04 ,  B08B5/023 ,  C25D21/08 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/2885 ,  H05K3/0085 ,  H05K3/26 ,  H05K2203/075 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67161

摘要： 提供一种减少对衬底表面的抗蚀图案和/或布线等造成的影响且对衬底进行清洗的清洗装置、具有该清洗装置的镀覆装置及清洗方法。清洗装置具有：被处理物的入口；上述被处理物的出口；第1搬送路径，搬送从入口投入的被处理物；第2搬送路径，向与在第1搬送路径中搬送被处理物的方向相反的方向搬送被处理物，与第1搬送路径及上述出口相连；清洗单元，配置在第1搬送路径上，以非接触式对被处理物进行清洗；和干燥单元，配置在第1搬送路径上，以非接触式对被处理物进行干燥。第1搬送路径和第2搬送路径沿上下方向排列地配置。第2搬送路径位于第1搬送路径的上方，在终点与上述出口相连。第2搬送路径作为暂时地保管被处理物的储料器而发挥功能。

公开(公告)号：CN107527794A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710773959.2

申请日：2017-08-31

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 唐浩 ,  左明光 ,  李远 ,  彭浩 ,  许爱春 ,  万先进

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

CPC分类号： H01L21/02068 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

摘要： 本申请实施例提供了一种3D NAND存储器的金属栅制备方法，该方法中在采用液相化学刻蚀方法去除掉层叠结构中的氮化硅层后，在向横向沟槽阵列中的各个横向沟槽内填充金属介质前，去除液相化学刻蚀氮化硅过程中产生的聚集在横向沟槽阵列开口处的刻蚀副产物。因该聚集在横向沟槽阵列开口处的刻蚀副产物被去除，增大了沟槽开口处的尺寸，为后续金属栅填充过程中的反应气体提供了通畅的扩散通道，避免在金属栅填充过程中横向沟槽提前封口，使得反应气体能够不断通入结构深处进行反应沉积，获得良好的金属栅横向填充性能。

公开(公告)号：CN107429418A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580072728.8

申请日：2015-11-12

申请人： 安托士设备系统公司

发明人： 埃里克·舒尔特

IPC分类号： C25D7/12 ,  C25D5/34 ,  C25D5/02 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/2885 ,  C25D5/022 ,  C25D5/34 ,  C25D7/12 ,  C25D7/123 ,  C25D17/00 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885

摘要： 使用还原-化学组成大气压等离子体的下游活性残留物的方法和系统，从而为用简单设备进行预覆镀表面准备提供多个优点。当所述大气压等离子体的下游活性形态撞击基板表面时，可以同时进行三个重要的表面准备过程：1.从所述覆镀基底的表面除去有机残留物。2.从所述覆镀基底的所述表面除去氧化。3.基板上的所有表面都被下游活性残留物高度活化，由此为后续覆镀操作创建可高度润湿的表面。

公开(公告)号：CN107078036A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580058667.X

申请日：2015-11-05

申请人： 应用材料公司

发明人： 艾华 ,  吕疆 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  马伯方 ,  柳尚澔 ,  刘风全 ,  付新宇 ,  叶伟锋

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76879 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上。

公开(公告)号：CN107068598A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710309002.2

申请日：2017-05-04

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 王晨曦 ,  许继开 ,  刘艳南 ,  田艳红 ,  冯智健 ,  周诗承 ,  李思 ,  马竟轩

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02068 ,  H01L21/67115

摘要： 一种利用真空紫外光清洗及活化材料表面的装置，属于半导体制造加工领域。密封箱体的右侧壁上安装有气阀一、气阀二及气阀三，密封箱体的前侧壁上位于左侧设有样品取送窗口一，位于右侧设有样品取送窗口二，样品取送窗口一处密封安装有样品取送窗门一，样品取送窗口二处密封安装有样品取送窗门二，真空紫外灯水平设置并通过灯架安装在密闭箱体内顶部，真空紫外灯下方设置有工作台，气阀一经纯净气体流量控制器与储气瓶的出口连通，气阀二经水蒸气流量控制器与水蒸气发生装置的烧瓶连通，气阀三与密闭加热器的进气口连通，密闭加热器的出气口与真空泵连通。本发明对材料表面清洗及活化的操作流程简单易行，效果显著，并且可用于批量处理。

公开(公告)号：CN104254906B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201380022014.7

申请日：2013-04-26

申请人： 和光纯药工业株式会社

发明人： 川田博美 ,  水田浩德 ,  前泽典明

IPC分类号： H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/36 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

摘要： 本发明的目的在于提供一种钨配线或钨合金配线的耐腐蚀性优异、在化学机械抛光工序后的半导体基板表面、特别是TEOS膜等硅氧化膜表面残存的二氧化硅或氧化铝等研磨微粒(颗粒)的除去性优异的半导体基板用清洗剂、以及半导体基板表面的处理方法。本发明涉及一种半导体基板用清洗剂以及半导体基板表面的处理方法，该半导体基板用清洗剂的特征在于，其为在具有钨配线或钨合金配线和硅氧化膜的半导体基板的化学机械抛光工序的后工序中使用的清洗剂，含有(A)膦酸系螯合剂、(B)分子内具有至少1个烷基或羟基烷基的一元伯胺或一元仲胺和(C)水，pH超过6且小于7。