-
公开(公告)号：CN115769295A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180048255.3
申请日：2021-06-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20
Abstract: 提供一种适于宽灰度显示的显示装置。该显示装置在像素中包括两个驱动晶体管及发光器件，两个驱动晶体管及发光器件串联连接。一个晶体管为p沟道型晶体管，另一个晶体管为n沟道型晶体管，切换地驱动它们。通过具有该结构，可以抑制进行高灰度显示时的栅极‑源极间电压的变动。此外，通过作为n沟道型晶体管使用在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管，可以提高低灰度显示的显示特性。
-
公开(公告)号：CN111418000B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201880077464.9
申请日：2018-11-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G5/00 , G02F1/133 , G09G3/20 , G09G3/3225
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括将第一像素排列为矩阵状的第一像素部及将第二像素排列为矩阵状的第二像素部。首先，形成具有校正显示在第一像素部的图像的功能的第一校正滤波器及具有校正显示在第二像素部的图像的功能的第二校正滤波器。接着，对第一校正滤波器的滤波值、第二校正滤波器的滤波值进行比较。然后，根据比较结果对第一校正滤波器的滤波值进行修正。
-
公开(公告)号：CN116529755A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180072911.3
申请日：2021-10-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06T1/00
Abstract: 提供一种能够短时间进行识别的半导体装置。该半导体装置包括发光装置及摄像装置。摄像装置包括行驱动电路，行驱动电路包括第一至第m锁存电路(m为2以上的整数)及第一至第m寄存电路。第一锁存电路被输入第一起始脉冲信号，第一至第m锁存电路被输入第二起始脉冲信号。从第一至第m‑1寄存电路输出的扫描信号分别被输入到第二至第m锁存电路。第一锁存电路具有基于所保持的数据将第一起始脉冲信号和第二起始脉冲信号中的一个输出到第一寄存电路的功能。第二至第m锁存电路具有基于所保持的数据将扫描信号和第二起始脉冲信号中的一个输出到第二至第m寄存电路的功能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116490914A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180071692.7
申请日：2021-10-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20
Abstract: 涉及一种用来驱动两个不同的电路的共同的半导体装置。本发明是一种能够切换多个信号电位而将其依次输出到外部的半导体装置，可以使配置为矩阵状的两个不同的电路中的一个电路进行所有行工作且使另一个电路进行所有行工作或只特定行工作。例如，在作为驱动安装有传感器元件的显示装置的像素的行驱动器使用该半导体装置的情况下，可以切换而进行所有行的像素中的显示元件的工作与所有行或特定行的像素中的传感器元件的工作。
-
公开(公告)号：CN116324956A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180064067.X
申请日：2021-09-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20
Abstract: 提供一种包括生成PWM信号的像素电路的显示装置。该显示装置在像素中具有生成PWM信号的功能，可以通过比较设置在像素中的两个晶体管的栅极‑源极间电压或通态电阻的工作而生成PWM信号。使用所生成的PWM信号以占空比控制微型LED或有机EL元件等发光器件的发光。由于使用以较少的晶体管数构成的电路生成PWM信号，所以有效于显示装置的高清晰化、大面积化。
-
公开(公告)号：CN116097341A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180058029.3
申请日：2021-07-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20
Abstract: 提供一种具有大范围的阈值电压校正功能的显示装置。在该显示装置中发光器件的驱动晶体管使用p沟道型晶体管，在恒电压供应给栅极的同时在源极‑漏极的路径进行放电，在栅极‑源极间提取Vth。此外，通过漏极的电位为发光器件的正方向电压与阴极电位之和或充分低的电位，即使Vth为正电压也可以继续进行放电。就是说，即使Vth在正电压至负电压的范围产生偏差也可以进行校正。
-
公开(公告)号：CN1855578B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200610077231.8
申请日：2006-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L2251/558 , Y10T428/24942 , Y10T428/2495 , Y10T428/24967
Abstract: 本发明的目标是提供包括有机发光层和有机化合物并具有高发光效率和更小特性恶化的发光装置。在该发光装置中，在衬底上提供了阳极、面向阳极的阴极、在该阳极和阴极之间提供的包括有机化合物的发光层；以及包括有机化合物的载流子传输层。交替地堆叠每个发光层和每个载流子传输层。其中每个载流子传输层的厚度小于每个发光层的厚度。当每个载流子传输层为空穴传输层时，每个发光层具有电子传输性能。当每个载流子传输层为电子传输层时，每个发光层具有空穴传输性能。
-
公开(公告)号：CN1855578A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610077231.8
申请日：2006-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L2251/558 , Y10T428/24942 , Y10T428/2495 , Y10T428/24967
Abstract: 本发明的目标是提供包括有机发光层和有机化合物并具有高发光效率和更小特性恶化的发光装置。在该发光装置中，在衬底上提供了阳极、面向阳极的阴极、在该阳极和阴极之间提供的包括有机化合物的发光层；以及包括有机化合物的载流子传输层。交替地堆叠每个发光层和每个载流子传输层。其中每个载流子传输层的厚度小于每个发光层的厚度。当每个载流子传输层为空穴传输层时，每个发光层具有电子传输性能。当每个载流子传输层为电子传输层时，每个发光层具有空穴传输性能。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.037 seconds)
