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公开(公告)号：CN102401628B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201110287297.0
申请日：2011-09-15
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01B7/30
CPC classification number: G01D11/245 , G01D5/145
Abstract: 本发明涉及一种旋转角度检测单元(1)，其包括具有磁性检测元件(21)、密封本体(30)和导线(22)的IC封装件(2)；以及具有由树脂整体地形成的固定部(42)和支撑部(50)的覆盖部件(4)。所述元件(21)根据在与检测对象(12)连接的磁性产生装置(17)旋转时产生的磁场的变化输出信号。密封本体覆盖元件(21)。导线(22)与元件(21)连接，并且从密封本体伸出。固定部被固定到支撑本体上以使得覆盖部件(4)与支撑本体连接。支撑部(50)支撑封装件(2)以使得所述元件(21)可以输出信号。封装件(2)在其形成之后被压配合到支撑部(50)中，以使得封装件由支撑部(50)以施加到密封本体(30)的一部分外壁上的预定压力支撑。
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公开(公告)号：CN102313064B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201110185838.9
申请日：2011-06-30
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: F16K31/10 , F02B37/186 , F16K31/047 , Y02T10/144 , Y10T137/8242
Abstract: 行程传感器(20)的磁性感测表面(20a)放在第一假想线(KA)和第二假想线(KB)之间的角范围中。第一假想线(KA)是与废气阀门(1)被置于废气阀门(1)的完全闭合程度时磁性可移动体(7)的第一和第二磁体(8a，8b)之间的中心线(MC)相一致的假想线。第二假想线(KB)是与废气阀门(1)被置于废气阀门(1)的完全闭合程度和完全打开程度之间的一半程度时第一和第二磁体(8a，8b)之间的中心线(MC)相一致的假想线。
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公开(公告)号：CN102401628A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110287297.0
申请日：2011-09-15
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01B7/30
CPC classification number: G01D11/245 , G01D5/145
Abstract: 本发明涉及一种旋转角度检测单元(1)，其包括具有磁性检测元件(21)、密封本体(30)和导线(22)的IC封装件(2)；以及具有由树脂整体地形成的固定部(42)和支撑部(50)的覆盖部件(4)。所述元件(21)根据在与检测对象(12)连接的磁性产生装置(17)旋转时产生的磁场的变化输出信号。密封本体覆盖元件(21)。导线(22)与元件(21)连接，并且从密封本体伸出。固定部被固定到支撑本体上以使得覆盖部件(4)与支撑本体连接。支撑部(50)支撑封装件(2)以使得所述元件(21)可以输出信号。封装件(2)在其形成之后被压配合到支撑部(50)中，以使得封装件由支撑部(50)以施加到密封本体(30)的一部分外壁上的预定压力支撑。
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公开(公告)号：CN102353391A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110157547.9
申请日：2011-05-31
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: G01D5/145
Abstract: 本发明公开了一种旋转角探测器(2)，所述旋转角探测器(2)设有框架形状的轭状物(40)，所述轭状物(40)包括平行的第一壁(41)和第二壁(42)。探测对象的旋转轴(z)在所述框架形状的轭状物(40)内部延伸。磁通量向量在垂直于第一壁(41)的方向上是均匀的，因此即使霍尔元件(5)的位置偏离，所述探测到的磁通量密度变化较小。所述探测器(2)的健壮性增强。所述霍尔元件(5)和第二壁(42)的第二内表面(42a)之间的距离(Y2)比所述霍尔元件(5)和第一壁(41)的第一内表面(41a)之间的距离(Y1)短。所述第二内表面(42a)的长度(X2)比所述第一内表面(41a)的长度(X1)长。在所述第二壁(42)附近，能够扩大磁通量向量均匀的区域。因而，健壮性进一步加强。
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公开(公告)号：CN103528496B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201310280784.3
申请日：2013-07-05
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01B7/30
CPC classification number: G01R33/02 , G01R3/00 , G01R33/072 , Y10T29/49004
Abstract: 一种位置检测装置，包括：磁产生器（20、21）、磁检测器（11）、存储器（13）和旋转角计算器（12）。所述旋转角计算器基于从所述磁检测器输出的电压和关系表达式θ=sin‑1((VH‑c)/V0)–b来计算所述磁产生器相对于所述磁检测器的相对旋转角。在所述关系表达式中，所述相对旋转角被定义为θ，从所述磁检测器输出的电压被定义为VH，从所述磁检测器输出的电压的真正最大值被定义为V0，第一真正校正值被定义为b，并且第二真正校正值被定义为c。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103575210B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201310339222.1
申请日：2013-08-06
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: G01D5/145 , G01B7/00 , G01D3/0365 , G01D5/12 , G01D18/00 , G01D21/00 , G01R33/02 , G06F17/40 , G06F19/00
Abstract: 位置检测器包括检测磁通密度的霍尔元件11）和检测霍尔元件（11）的温度的温度检测元件（16）。在旋转角计算处理中，通过将温度检测元件（16）的检测温度t和在参考温度t0下的参考最大电压V0代入a=V0×k(t–t0)来计算温度校正值a。接下来，通过将温度校正值a代入温度特性公式Vt=V0+a来计算校正最大电压Vt。另外，通过将霍尔元件（11）的输出电压VH和校正最大电压Vt代入θ=sin-1(VH/Vt)来计算磁体（20、21）相对于霍尔元件（11）的旋转角θ。因为根据温度来校正该校正最大电压Vt，因此能精确检测旋转角。
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公开(公告)号：CN102749025B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210118726.6
申请日：2012-04-20
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01B7/30
CPC classification number: G01D5/145 , G01D11/245
Abstract: 旋转角传感器(1)包括外壳(3)、被检物体(2，5)、磁产生部分(8)、外壳盖(10)、电路基片(12)、传感IC(20，30)和树脂体(60)。传感IC包括磁检测元件(21，31)、模制体(22，32)和引线(23-25，33-35)。所述磁检测元件按照因被检物体的旋转所产生的磁场变化输出信号。模制体覆盖磁检测元件。每个引线的一端与磁检测元件电连接，每个引线的另一端从模制体伸出并与电路基片电连接。树脂体密封模制体的在磁检测元件和外壳盖之间的一部分、引线和电路基片。
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公开(公告)号：CN103727873A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310463621.9
申请日：2013-10-08
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01B7/30
Abstract: 一种旋转角检测设备（10），具有第一磁轭（40）和第二磁轭（50），第一磁轭（40）的内表面由第一凹曲表面（41）和第二凹曲表面（42）形成，第二磁轭（50）的内表面由第三凹曲表面（51）和第四凹曲表面（52）形成。每个凹曲表面并不在第二方向（D2）上延伸，而是以倾斜的方式向着第一平面（43）或第二平面（53）延伸。第一平面和第二平面相互面对并且相互平行，其间夹置有霍尔元件（61）。在霍尔元件周围的较宽范围上，从第一磁轭泄露到内部空间并且到达第二磁轭的磁通在第二方向上流动。
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公开(公告)号：CN102313064A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110185838.9
申请日：2011-06-30
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: F16K31/10 , F02B37/186 , F16K31/047 , Y02T10/144 , Y10T137/8242
Abstract: 行程传感器(20)的磁性感测表面(20a)放在第一假想线(KA)和第二假想线(KB)之间的角范围中。第一假想线(KA)是与废气阀门(1)被置于废气阀门(1)的完全闭合程度时磁性可移动体(7)的第一和第二磁体(8a，8b)之间的中心线(MC)相一致的假想线。第二假想线(KB)是与废气阀门(1)被置于废气阀门(1)的完全闭合程度和完全打开程度之间的一半程度时第一和第二磁体(8a，8b)之间的中心线(MC)相一致的假想线。
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公开(公告)号：CN103727873B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201310463621.9
申请日：2013-10-08
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01B7/30
Abstract: 一种旋转角检测设备（10），具有第一磁轭（40）和第二磁轭（50），第一磁轭（40）的内表面由第一凹曲表面（41）和第二凹曲表面（42）形成，第二磁轭（50）的内表面由第三凹曲表面（51）和第四凹曲表面（52）形成。每个凹曲表面并不在第二方向（D2）上延伸，而是以倾斜的方式向着第一平面（43）或第二平面（53）延伸。第一平面和第二平面相互面对并且相互平行，其间夹置有霍尔元件（61）。在霍尔元件周围的较宽范围上，从第一磁轭泄露到内部空间并且到达第二磁轭的磁通在第二方向上流动。
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