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公开(公告)号：CN106029566B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201580009408.8
申请日：2015-01-15
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C01B32/205 , C04B35/52 , H01L23/373 , H05K7/20
Abstract: 本发明能通过采用由石墨层层叠而成并且吸水量少的高取向性石墨(10)，来实现一种以不会发生层间剥离的该高取向性石墨(10)为构成成分，且使用时的信赖度高并具有良好散热性的电子设备。
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公开(公告)号：CN105683088B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201480058525.9
申请日：2014-11-28
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C01B32/205
CPC classification number: C01B32/20
Abstract: 本发明为高热扩散率的石墨薄膜的制造方法，其特征在于：对使用含有70摩尔％以上的PMDA的酸二酐成分与含有70摩尔％以上的ODA的二胺成分所获得的厚度为34μm以上42μm以下且双折射率为0.100以上的聚酰亚胺薄膜、或上述聚酰亚胺薄膜经碳化后而成的碳化薄膜，在2400℃以上的温度下进行热处理。
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公开(公告)号：CN107148669A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201580069237.8
申请日：2015-12-18
Applicant: 株式会社钟化
Abstract: 本发明提供：使用特定材料的导热率高并且内部难以产生空隙的石墨层叠体、易传热性及剥离强度好的石墨层叠体、上述石墨层叠体的制造方法、含有上述石墨层叠体的热传输用构造物、无使用温度限制且可稳定使用的棒状热传输体、以及具备棒状热传输体的电子设备。
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公开(公告)号：CN103764558B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201280040904.6
申请日：2012-08-17
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B31/04 , C01B32/20 , C04B35/522 , C04B35/524 , C04B35/62218 , C04B2235/6562 , H01L23/373 , H01L2924/0002 , Y10T428/24628 , Y10T428/24653 , H01L2924/00
Abstract: 本发明通过实施松弛控制步骤，能获得形状得到了控制的石墨膜。该松弛控制步骤为：在自高分子膜的热分解开始温度起至高分子膜的松弛控制温度为止的温度范围下，控制高分子膜的宽度方向上的两端部的温度、以及高分子膜的宽度方向上的中央部的温度。
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公开(公告)号：CN103958405B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201280058698.1
申请日：2012-10-23
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B31/04 , C01B32/20 , H01L23/373 , H01L2924/0002 , Y10T428/24628 , H01L2924/00
Abstract: 本发明中，实施一边对原料石墨膜施压一边加热至2000℃以上来进行热处理的矫正处理步骤，从而通过该矫正处理来控制石墨膜的松弛。通过在矫正处理步骤中使用表面状态相异的多个内芯，能够制作一种在1张膜中具有2种以上发挥各自效果的松弛的石墨膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105102200A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480006911.3
申请日：2014-01-30
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: B32B9/007 , B29C45/0005 , B29C45/14 , B29C45/14811 , B29C2045/0012 , B29K2707/04 , B29L2009/00 , B32B7/02 , B32B9/04 , B32B9/045 , B32B27/308 , B32B27/38 , B32B27/42 , B32B38/00 , B32B2307/51 , B32B2457/00 , C08J5/042
Abstract: 为了防止在制造由石墨膜层积体和树脂所一体形成的树脂成形体时发生石墨膜层积体错位，使用包含以下结构的石墨膜层积体：250℃下的弹性模数为7.0×104Pa以上5.0×107Pa以下的第一固定层与石墨膜的至少一方主面相接触。
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公开(公告)号：CN103193222B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310088168.8
申请日：2008-05-15
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: C09K5/14 , B32B5/18 , B32B7/12 , B32B9/007 , B32B9/045 , B32B27/065 , B32B27/281 , B32B2307/302 , B32B2307/306 , B32B2307/54 , B32B2307/714 , B32B2457/00 , C01B32/20 , H01L23/373 , H01L23/3737 , H01L2924/0002 , H05K7/20481 , Y10T428/24446 , Y10T428/2918 , Y10T428/30 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种石墨膜及石墨复合膜，其兼备优良热扩散性、及在弯曲部分能经得住使用的优良耐弯曲性，从而能够充分解决电子设备、精密设备等的散热问题。本发明的石墨膜的特征在于，在MIT耐弯曲试验中，使用15mm宽的长方形试验片，在折弯夹板的曲率半径R为2mm、左右的折弯角度为135°、折弯速度为90次／分钟、载荷为0.98N的条件下测得的直到折断为止的往返折弯次数为10000次以上。
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公开(公告)号：CN102149633B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN200980135947.0
申请日：2009-09-11
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明能够在卷芯卷绕高分子膜进行热处理的碳质膜的制造方法中防止碳化工序中的原料膜彼此间的熔接，得到长尺寸·大面积的碳质膜。通过减压下及在流通惰性气体的同时的减压下对高分子膜进行热处理，能够防止熔接。减压的范围优选-0.08MPa～-0.01kPa。优选导入惰性气体的同时在-0.08MPa～-0.01kPa的范围的减压下进行碳化。此外，将卷绕于卷芯的高分子膜收容在外筒内，将由(外筒的内径-卷芯的直径)除以2所得的值设为a(mm)、高分子膜的卷厚设为b(mm)时，b除以a而得的值(b/a)在0.2～0.9的范围内。
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公开(公告)号：CN103402915B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201280010613.2
申请日：2012-03-26
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: C01B31/02 , B32B18/00 , C01B32/05 , C01B32/20 , C04B35/522 , C04B35/524 , C04B2237/363 , C04B2237/704 , C04B2237/84 , C08G73/10
Abstract: 本发明的课题在于，在利用高分子热分解法的长尺寸（辊状）的碳质膜的制造中，抑制碳质膜的熔合、波状起伏。一种碳质膜的制造，其特征在于，其是经由将高分子膜在卷成辊状的状态下进行热处理的工序来制造碳质膜的方法，在低于该高分子膜的热分解开始温度的温度下，当制成下述的辊状高分子膜后进行热处理，所述辊状高分子膜在50%截面圆的内侧的部分具有空间（50%截面圆内的空间），所述50%截面圆是以辊状高分子膜的中心为圆周的中心、以相对于高分子膜全长从内侧开始50%的膜长度的位置为圆周上的一点的辊状高分子膜的截面圆，50%截面圆内的空间所占的面积相对于50%截面圆的截面积为25%以上；特别是通过在芯与辊状高分子膜的最内径之间具有空间，上述课题的抑制进一步有效。
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公开(公告)号：CN103764558A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280040904.6
申请日：2012-08-17
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B31/04 , C01B32/20 , C04B35/522 , C04B35/524 , C04B35/62218 , C04B2235/6562 , H01L23/373 , H01L2924/0002 , Y10T428/24628 , Y10T428/24653 , H01L2924/00
Abstract: 本发明通过实施松弛控制步骤，能获得形状得到了控制的石墨膜。该松弛控制步骤为：在自高分子膜的热分解开始温度起至高分子膜的松弛控制温度为止的温度范围下，控制高分子膜的宽度方向上的两端部的温度、以及高分子膜的宽度方向上的中央部的温度。
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