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公开(公告)号:CN111406312B
公开(公告)日:2023-07-18
申请号:CN201880075979.5
申请日:2018-12-20
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L23/29 , H01L23/482 , H01L23/485 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及用于制造半导体封装用绝缘层的方法和使用用于制造半导体封装用绝缘层的方法获得的半导体封装用绝缘层,其可以通过利用磁特性除去在半导体封装用绝缘层的制造期间在绝缘层中产生的孔来改善可靠性并且具有优异的耐热性。
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公开(公告)号:CN115298242A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202180021448.X
申请日:2021-04-16
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本公开内容涉及固化剂、包含固化剂的用于半导体器件的粘合剂组合物、用于半导体器件的粘合剂膜和包括其的半导体封装件,所述粘合剂组合物表现出优异的粘合强度并且由于抑制开裂而具有优异的耐久性。
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