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公开(公告)号:CN111448276B
公开(公告)日:2021-11-30
申请号:CN201980006175.4
申请日:2019-04-17
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J11/06 , C09J7/30 , C09J179/08 , C09J163/00
Abstract: 本公开内容涉及用于接合半导体的粘合剂树脂组合物以及包含其的半导体用粘合剂膜,所述用于接合半导体的粘合剂树脂组合物包含:热塑性树脂;热固性树脂;固化剂;和具有特定结构的化合物。
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公开(公告)号:CN107534020A
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201680023097.5
申请日:2016-09-23
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L23/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L23/482 , H01L23/532 , C09J7/00
Abstract: 本发明涉及在110℃下的触变指数为1.5至7.5的粘合膜,其用于固定第一半导体器件和第二半导体器件,所述第一半导体器件的面积与所述第二半导体器件的面积之比为0.65或更小;使用所述粘合膜来制备半导体器件的方法;以及半导体器件。
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公开(公告)号:CN106414641A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201580005577.4
申请日:2015-12-23
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J133/14 , C09J163/00 , C09J163/04 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J7/02 , H01L23/29
CPC classification number: C09J133/14 , C08L2201/08 , C08L2205/02 , C08L2205/03 , C09J7/22 , C09J7/255 , C09J7/38 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J2201/122 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/11 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L23/295 , C08L63/00 , C08L63/04 , C08K7/18
Abstract: 本发明涉及一种用于接合半导体的粘合性树脂组合物,包括:具有低吸湿率的热塑性树脂、包含联苯类环氧树脂的环氧树脂、以及包含酚树脂的固化剂,其中在所述粘合性树脂组合物的固体含量中所述联苯类环氧树脂的含量为5重量%至25重量%;一种包括所述用于接合半导体的粘合性树脂组合物的固化产物的粘合膜;一种切割晶片接合膜,包含:基底膜、形成于所述基底膜上的压敏粘合层以及形成于所述压敏粘合层上且包含所述用于接合半导体的粘合性树脂组合物的粘合层;以及一种包括所述粘合膜的半导体装置。
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公开(公告)号:CN115298242B
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202180021448.X
申请日:2021-04-16
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本公开内容涉及固化剂、包含固化剂的用于半导体器件的粘合剂组合物、用于半导体器件的粘合剂膜和包括其的半导体封装件,所述粘合剂组合物表现出优异的粘合强度并且由于抑制开裂而具有优异的耐久性。
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公开(公告)号:CN108012564B
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN201780002987.2
申请日:2017-03-28
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L23/14 , C09J11/04 , C09J133/10 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J7/20 , H01L23/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件,其包括:形成在被粘物上的第一半导体元件;以及用于包埋第一半导体元件的粘合剂膜,其中粘合剂膜在高温下满足熔体粘度与重量损失率之间的预定比。
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公开(公告)号:CN105143382B
公开(公告)日:2018-05-18
申请号:CN201480022020.7
申请日:2014-12-12
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J11/08 , C09J11/06 , C09J133/04 , C09J7/30 , H01L21/58
CPC classification number: C09J11/08 , C09J5/00 , C09J7/20 , C09J133/00 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L21/78 , H01L2224/83
Abstract: 本发明涉及一种用于形成切割膜粘合层的组合物、一种包括含有所述组合物的粘合层的切割膜、一种包括切割膜的切割晶片键合膜以及一种使用切割晶片键合膜切割半导体晶片的方法,所述组合物包含:聚合物添加剂、粘结粘合剂和光引发剂,所述聚合物添加剂包括一种或多种选自如下的聚合物:含有(甲基)丙烯酸酯基官能团和非极性官能团的聚合物、含有至少一个氟的(甲基)丙烯酸酯基聚合物和含有反应性官能团的硅改性的(甲基)丙烯酸酯基聚合物,其中聚合物添加剂与粘结粘合剂的重量比为0.01%至4.5%。
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公开(公告)号:CN106459719A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201680001690.X
申请日:2016-04-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J163/00 , C09J161/06 , C09J133/04 , C09J7/02 , H01L21/683
CPC classification number: C09J7/00 , B32B7/12 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B27/38 , B32B2457/14 , C08L63/00 , C09D163/00 , C09J7/10 , C09J7/20 , C09J161/12 , C09J163/00 , C09J163/04 , C09J201/00 , C09J2201/162 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2433/00 , C09J2433/006 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , C09J2467/005 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/00 , H01L24/29 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2924/066 , H01L2924/0665 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , C08L2205/025 , C08L2205/035 , C09J7/255 , C09J161/06 , C08L61/06 , C08L33/04
Abstract: 本发明涉及用于半导体的粘合剂组合物、包含所述用于半导体的粘合剂组合物的用于半导体的粘合膜、包含含有所述用于半导体的粘合剂组合物的粘合层的切割管芯粘结膜、以及使用所述切割管芯粘结膜切割半导体晶片的方法,所述用于半导体的粘合剂组合物包含:玻璃化转变温度为-10℃至20℃的热塑性树脂、含有软化点为70℃或更高的酚树脂的固化剂、固体环氧树脂、和液体环氧树脂,其中固体环氧树脂和液体环氧树脂的总含量相对热塑性树脂的重量比为1.6至2.6。
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公开(公告)号:CN119173604A
公开(公告)日:2024-12-20
申请号:CN202380015667.6
申请日:2023-11-08
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J163/00 , C09J11/04 , C08L61/04 , C08L33/20 , C08L71/00 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及非导电膜、半导体装置及其制造方法。所述非导电膜可以有效地防止在半导体制造过程期间产生空隙,并充分地粘附至半导体元件,从而提供具有优异可靠性的半导体装置。
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公开(公告)号:CN107924912B
公开(公告)日:2020-09-11
申请号:CN201780003020.6
申请日:2017-03-31
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L21/56 , C09J163/00 , C09J133/10
Abstract: 本发明涉及半导体器件,包括:通过倒装芯片连接固定至粘附体上的第一半导体元件;用于包埋粘附体与第一半导体元件之间的空间以及包埋第一半导体元件的粘合层;以及通过粘合层连接至第一半导体元件的第二半导体元件,其中粘合层具有预定的熔体粘度和触变指数。
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