基于Petri网与混沌差分萤火虫算法的3DNoC测试规划方法

    公开(公告)号:CN109102062A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201810927745.0

    申请日:2018-08-15

    Abstract: 本发明公开一种基于Petri网与混沌差分萤火虫算法的3D NoC测试规划方法,首先通过在原型Petri网的基础之上增加时延与带抑止弧的概念,能有效描述测试规划中的IP核调度问题、简化模型;模型建立后,为了在Petri网的变迁发生序列集合中实施高效寻优,对基本萤火虫算法进行了两处改进,即分别采用单维结合多维的混沌优化方法,使基本萤火虫算法具备精细的局部寻优能力,采用与差分进化算法之间的信息共享机制,增强基本萤火虫算法的全局寻优能力。将实验结果与其他测试方法的实验结果进行比较,结果显示本发明测试方法在测试时间与程序运行时间方面都展现出较明显的优势。

    新型四通道CWDM光子晶体滤波器
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118519224A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410646462.4

    申请日:2024-05-23

    Abstract: 本发明提出了一种新型四通道CWDM光子晶体滤波器。将正方形晶格圆介质柱按28×29阵列放置在空气中,尺寸为82.92μm2,通过调节中心缺陷处长方形介质柱的长度和宽度进行选频,在输出波导处构造点缺陷以及增大输出波导两侧的介质柱提高透射率。对该结构反复进行仿真和分析,输出了1455.71nm、1464.02nm、1481.37nm、1495.55nm的谐振波长,均达到99%以上的透射率,并具有较好的品质因数,也给后续光子晶体滤波器的相关研究提供了有效的价值。

    一种电机磁瓦缺陷分类方法

    公开(公告)号:CN113657532B

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202110974305.2

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本发明公开一种电机磁瓦缺陷分类方法,首先,输入端图像通过UPM模块进行定位,通过下采样块提取图像特征,再通过上采样重构图像,生成可能存在缺陷的区域的图像,然后对重构出来的缺陷图像通过堆叠,生成包括缺陷轮廓、缺陷邻域图像和原图像的多通道特征张量。然后,将该特征张量送入DenseNet121‑B分类网络,通过四层数量不等的卷积块进行特征提取,并通过转换层对通道进行挤压激励,强迫模型提取缺陷特征,最终通过Softmax层对前向传播特征进行激活,得到预测类别概率,进而完成缺陷分类。本发明具有更强的分类能力和鲁棒性。

    一种用于光片上网络的混合表面等离子体定向耦合器

    公开(公告)号:CN116953847A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310961327.4

    申请日:2023-08-02

    Abstract: 本发明公开一种用于光片上网络的混合表面等离子体定向耦合器,包括二氧化硅衬底和两个平行邻近的混合表面等离子体波导。其中波导结构模型由矩形有机聚合物纳米线、二氧化硅层、和银层自上而下叠加而成,其中矩形有机聚合物纳米线材料由IPC‑E和聚砜(Polysulfone)制备的主客掺杂型电光聚合物(25%IPC‑E+Polysulfone)(折射率为1.67)。本发明具有尺寸小,优异的传输特性和耦合特性。在一定程度上解决了传统表面等离子体定向耦合器传输损耗偏大、弱耦合条件与实际制作加工难度、难以同时实现较强的场局域性与良好的传输特性的问题,对相关微纳光子器件的研究有借鉴意义,在未来的光片上网络领域将有很好的应用前景。

    一种基于感兴趣区域增强的电机磁瓦缺陷分类方法

    公开(公告)号:CN113687227B

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202110974397.4

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本发明公开一种基于感兴趣区域增强的电机磁瓦缺陷分类方法,首先,构建分类模型,该分类模型由卷积层、特征还原层、最大池化层、4个卷积块、4个带特征还原的转换块和预测层组成;然后,获取电机磁瓦分类训练样本集,并利用电机磁瓦分类训练样本集对所构建的分类模型进行训练,得到训练好的分类模型;最后,采集待检测电机磁瓦的电机磁瓦表面灰度图,并将该电机磁瓦表面灰度图送入到训练好的分类模型中,由此得到待检测电机磁瓦的类别标签。本发明通过对特征张量的特征进行恢复和大范围空间关联,增强了电机磁瓦缺陷分类网络的感兴趣区域,从而提高了模型的分类与抗干扰能力,进而提升分类模型分类性能与鲁棒性。

    一种基于磁隧道结的读逻辑电路
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115064192A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210771643.0

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本发明公开一种基于磁隧道结的读逻辑电路,由磁隧道结器件MTJ1~MTJ2、反相放大器I1~I2、PMOS晶体管PM0~PM5、以及NMOS晶体管NM0~NM4组成。该读逻辑电路包括预充电阶段和放电阶段两个阶段:当控制信号clk为低电平时,读逻辑电路进入预充电阶段;当控制信号clk为高电平时,逻辑读电路进入放电阶段。本发明将预充电电路和放电支路分离开来,有效地降低了读错误率;在预充电阶段,预充电电压的相关节点电压变小,有效的降低了电路的相关功耗。

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