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公开(公告)号：CN111865243B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202010832877.2
申请日：2020-08-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03G3/30
Abstract: 本发明公开一种适用于生物医学信号采集模拟前端的可变增益放大器，包括电容C1、C2，NMOS管M1、M2、M5、M6，PMOS管M3、M4、MFB1、MFB2、MFB3、MFB4，电阻Rcm1、Rcm2、Rs，电流源IL1、IL2，以及跨导放大器A1、A2。NMOS管M1、M2作为输入管，PMOS管M3、M4作为有源负载，电阻Rcm不仅为电路输出共模电压Vcm，而且也同时调整PMOS管M3、M4的栅极电压和输出电压Vout，PMOS管MFB1、MFB2以及跨导放大器A1将输出电压转换为小信号电流输出并与NMOS管M5、M6的栅极相连，形成负反馈网络。本发明能够实现较高的环路增益和低的总谐波失真，拥有较好的线性度，在输入信号幅度0～30mV范围内，最大输入信号幅度对应的总谐波失真不大于0.5％。
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公开(公告)号：CN109842284B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201910168006.2
申请日：2019-03-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种应用于能量收集系统的多能量融合升压电路，包括2个多能量升压单元；每个多能量升压单元各由1个高电压钳位电路、1个低电压钳位支路和1个输出电路构成。2个高电压钳位电路各包括1个电容和1个NMOS管。2个低电压钳位电路各包括1个电容和1个NMOS管。2个输出电路各包括1个PMOS管和1个NMOS管。本发明通过对两种形式的能量进行整合，解决现有技术对单一能量要求严苛问题，降低最低启动电压。本发明使用范围广，可广泛应用在能量收集系统中，降低自启动所需求的电压值。
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公开(公告)号：CN107992159B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201810054560.3
申请日：2018-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开一种三输出低温漂低功耗基准电压源，由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和三输出基准电压产生电路组成。启动电路，用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，产生提供三输出基准电压产生电路的输入电流，为基准电压产生电路提供电流。三输出基准电压产生电路，用于产生低温漂的三个基准电压。本发明能够解决传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数较差，以及功耗较大的问题。
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公开(公告)号：CN107967022B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201810054578.3
申请日：2018-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开一种双输出低温漂基准电压源，由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和双输出基准电压产生电路组成。启动电路，用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，产生提供双输出基准电压产生电路的输入电流，为基准电压产生电路提供电流。双输出基准电压产生电路，产生低温漂的两个基准电压。本发明能解决传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数和电源电压抑制比较差的问题。
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公开(公告)号：CN116719377A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310380367.X
申请日：2023-04-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开一种快速响应无输出电容的三环数字LDO电路，由1个动态比较器、2个控制模块、2个二选一选择器模块、1个延时模块、1个20位双向移位寄存器、1个进退位模块、2个或门、1个16位双向移位寄存器和3组MOS管阵列构成。本发明采用的是两个同步循环和一个异步循环的三环结构，通过三个循环控制三组MOS管阵列，对数字LDO的输出OUT进行调节，并且去除了输出电容，减小了纹波和总体的功耗、提高了电路的瞬态响应以及节省了芯片的面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112968680A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110342556.9
申请日：2021-03-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种差分输出的数控双频低噪声放大器电路，其包括输入阻抗匹配网络、放大级、差分输出级和负载级。与传统独立通道的双频低噪声放大器相比，本发明共用了带源极负反馈共栅放大器，提高了电路的功率增益，同时在芯片的面积、成本以及电路利用率也有明显的提高。与传统独立通道的双频低噪声放大器相比，本发明采用开关控制偏置电压的关断，设计难度变低，设计的灵活性变强，使电路在各个频段上得到良好的噪声性能和阻抗匹配效果。本发明通过开关控制对频段通路的选择，有效的降低了系统的功耗。
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公开(公告)号：CN108566349A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810115193.3
申请日：2018-02-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04L25/03
Abstract: 本发明公开一种高速低抖动模拟均衡器，由2个负载网络、2个均衡电路、去抖电路和反馈电路组成。高频均衡电路与低频均衡电路呈串联连接架构，产生两个零点和四个极点，使得高频增益与低频增益之间的差值增大，可以对衰减较大的信道形成较好的均衡效果。去抖电路与低频均衡电路呈并联连接架构，高频均衡电路的输出信号通过去抖电路对通过低频均衡电路的信号进行补偿，减小低频均衡电路输出信号的过零抖动。反馈电路取低频均衡电路的输出作为输入，输出对高频均衡电路的输出进行补偿，减小差分信号的零点抖动。本发明具有均衡速率高，对强衰减信道补偿显著，输出信号抖动小的特点。
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公开(公告)号：CN105738990B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201610281035.6
申请日：2016-04-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种强透射特性的等离激元波导滤波器，属于微纳光电子领域，包括光纤衬底、金属膜和电介质层，光纤衬底设置在金属膜的正下方，电介质层铺设在金属膜的上表面，金属膜上均匀排列设置有N个单位孔阵列结构，其中，每个单位孔阵列结构的中心设置有一个纳米狭缝；纳米狭缝包括一个方形孔和四个圆形孔；方形孔和四个圆形孔形成花朵形；其中两个圆形孔与方形孔两边相连接，水平设置，两个圆形孔圆心与方形孔中心在一条直线上，关于方形孔对称；另外两个圆形孔与方形孔另外两边相连接，竖直设置，两个圆形孔圆心与方形孔中心在一条直线上；每个圆形孔均与其中两个圆形孔两两相连接；纳米狭缝贯通于金属膜和电介质层的上下表面。
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公开(公告)号：CN106843358B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710170849.7
申请日：2017-03-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。本发明利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，来抑制电源噪声。此外，本发明不仅具有芯片面积小、功耗低，仅为纳瓦量级；而且具有高电源抑制比，低温漂系数和低电源电压调整率的优点，且没有使用电阻、二极管以及三极管，与标准CMOS工艺兼容，有效的缩小了版图面积，并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN107272804A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710611991.0
申请日：2017-07-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 本发明公开一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源，由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成。启动电路用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，分别用于产生具有正温度系数电流和具有负温度系数电流。基准电压产生电路用于产生低温漂的基准电压，采用共源共栅电流镜，从PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路中复制电流并进行叠加求和，产生零温漂基准电流，基准电压产生电路输出电压即为整个基准电压源输出电压Vref。本发明能够大大提高基准电压源的精度。
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