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公开(公告)号：CN205792494U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620523513.5
申请日：2016-06-01
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： H03K5/22
摘要： 本实用新型公开一种正反馈隔离动态锁存比较器，包括交叉耦合输入单元、输入复位单元、CMOS隔离开关单元、交叉耦合锁存结构单元、锁存复位单元、输出整形单元和正反馈单元。交叉耦合输入将输入电压信号转换成电流，交叉耦合锁存结构和锁存复位完成比较功能；CMOS隔离开关将交叉耦合输入和交叉耦合锁存结构在复位阶段隔离，降低踢回噪声的影响；输入复位在复位阶段将交叉耦合输入的输出端复位；正反馈由输出整形的输出控制，在比较阶段增大放电电流；CLK和NCLK为两相不交叠时钟，为整个动态锁存比较器提供时序。本实用新型能够显著提高动态锁存比较器的速度和精度，并使得功耗有所改善。
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公开(公告)号：CN206696736U
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201720414674.5
申请日：2017-04-19
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本实用新型公开一种全共栅共源基准电压源，包括并接于电源VDD与地之间的启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路依次连接；启动电路输出端与基准电流源电路连接，用于电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点；基准电流源电路的输出端与温度补偿电路连接，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，用于产生基准电流；温度补偿电路，用于产生低温漂的基准电压，采用共源共栅电流镜，从基准电流源电路中复制电流，温度补偿电路输出电压即为该基准电压源输出电压Vref。本实用新型为超低功耗全cascode基准电压源，更好的抑制电源噪声。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204790050U
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201520538799.X
申请日：2015-07-23
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G02B5/20
摘要： 本实用新型为内嵌矩形腔镜像对称楔形金属狭缝阵列的等离激元滤波器，介质基底表面附有狭缝阵列结构金属膜，所述狭缝阵列结构为内嵌矩形腔楔形金属狭缝阵列结构，每个周期左右镜像对称，两个相接的内嵌矩形腔楔形金属狭缝水平中分面上下镜像对称，楔形相接处为楔形的短底边，即狭缝的最窄处。腔体内填充介质为空气，平面光垂直金属膜表面入射。狭缝结构在X向为20～50个周期，单位周期宽度T为400～600nm，金属膜厚度H＝T。狭缝入或出射口宽度为楔形长底边W＝(0.4～0.6)T。楔形短底边Wmin＝(0.2～0.7)W。内嵌矩形腔腔体宽度L，W≤L≤H-50nm，腔体高度D＝60～140nm。本新型透射能力增强；可见光波段形成禁带；调整矩形腔腔体可调控的禁带。
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公开(公告)号：CN205139757U
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201520900615.X
申请日：2015-11-12
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本实用新型公开一种亚阈值全CMOS基准电压源，启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点，进入正常工作状态。亚阈值运算放大器保证低功耗的同时，提供更大的增益，提高电源电压抑制比。纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流，抑制电源噪声，为基准电压产生电路提供电流偏置。基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差，通过相互调节，得到一个与温度无关的参考电压。本实用新型未使用无源电阻、二极管或者三极管，与标准CMOS工艺兼容，大大减小了版图面积，降低了生产成本，功耗低，同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。
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公开(公告)号：CN205049772U
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201520802224.4
申请日：2015-10-16
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G02B5/00
摘要： 本实用新型公开了一种周期性孔阵列结构的等离激元传感器，包括金属膜，所述金属膜上均匀排列设置有N个周期的单位孔阵列结构，每个周期的单位孔阵列结构为在金属膜的中心处开设有一中心孔，在中心孔的外部对称设有一对连接孔，所述连接孔均通过刻蚀于金属膜上的纳米狭缝与中心孔相连接，且中心孔、连接孔和纳米狭缝一体成型并贯通于金属膜的上下表面，在中心孔、连接孔及纳米狭缝的内部空间填充有介质层，其中所述N≥2的正整数。本实用新型通过周期孔阵列结构及加入纳米狭缝技术，使制得传感器与现有技术相比，具有光透射率高、体积小巧、制作简单的特点。
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公开(公告)号：CN206573970U
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201720277052.2
申请日：2017-03-21
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本实用新型公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。本实用新型利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，来抑制电源噪声。此外，本实用新型不仅具有芯片面积小、功耗低，仅为纳瓦量级；而且具有高电源抑制比，低温漂系数和低电源电压调整率的优点，且没有使用电阻、二极管以及三极管，与标准CMOS工艺兼容，有效的缩小了版图面积，并降低生产成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205620849U
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201620429118.0
申请日：2016-05-12
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本实用新型提供一种全CMOS基准电压源，属于电压源技术领域，包括启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路；启动电路的输出端分别与基准电流产生电路和基准电压产生电路连接；基准电流产生电路的输出端与基准电压产生电路连接；基准电压产生电路的输出端为该基准电压源的输出端；启动电路和基准电流产生电路同时接电源VDD，启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路同时接地GND。本实用新型仅为纳瓦量级、且未使用电阻、BJT和二极管，不仅能消除温度变化的影响，还能与标准CMOS工艺完全兼容，同时具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点，有效降低了系统成本。
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公开(公告)号：CN205375264U
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201620048845.2
申请日：2016-01-19
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本实用新型公开了一种无Bipolar晶体管的CMOS基准电压源，包括并接于电源VDD与地GND之间的启动电路、CTAT电压产生电路、PTAT电压产生电路和电流叠加电路；其中，启动电路的输出端与CTAT电压产生电路连接，用于在电源上电时，使基准电压源摆脱简并偏置点；CTAT电压产生电路的输出端与电流叠加电路连接；PTAT电压产生电路的输出端与电流叠加电路连接；电流叠加电路用于将CTAT电压产生电路和PTAT电压产生电路中产生的电流进行叠加，得到一个具有零温漂的电流源，电流源经一有源支路产生基准电压Vref。采用上述组成的CMOS基准电压源，未使用BJT和二极管，不仅能消除温度变化的影响，还能与标准CMOS工艺完全兼容、有效降低了系统成本，并具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点。
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公开(公告)号：CN204882920U
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201520608704.7
申请日：2015-08-13
申请人： 桂林电子科技大学
IPC分类号： G02B5/20
摘要： 本实用新型为内嵌金属圆柱的孔阵列周期结构的等离激元滤波器，金属膜有排列成为孔阵列的贯通金属膜的多个相同的圆孔，孔内介质为空气，单位周期的长宽相等。平面光由上或下垂直入射。每个孔中均嵌有一个金属圆柱，金属圆柱的直径小于孔径，二者有间隙，较佳为二者中心线重合。圆柱高度小于或等于孔的高度，圆柱的顶面和底面均不超出金属膜的上、下表面，较佳为柱顶面与膜的上表面相平齐。当圆柱的高度小于孔高度，下方加调整位置的介质衬垫。介质衬垫与金属圆柱直径相同的介质圆柱，且与金属圆柱中心线重合。本新型与现有孔阵列等离激元滤波器相比，光透射率增强，调节金属圆柱的材质、位置、半径、高度结构参数，可选择透射峰的位置。
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