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公开(公告)号：CN112433442A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011399617.7
申请日：2020-12-01
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本申请提供一种掩模版图案修正方法、装置、计算机设备及可读存储介质，涉及半导体制程技术领域。本申请通过对待修正掩模版图案中各掩模图案降序地进行对称性能排序，并依次针对得到的图案排序结果中每个图案次序，确定该图案次序处的校验掩模版图案以及包括该图案次序及其以前的掩模图案的漂移校准图案。接着，根据该漂移校准图案在该校验掩模版图案的真实曝光图形轮廓及仿真曝光图形轮廓中的轮廓分布状况，对该真实曝光图形轮廓进行漂移补偿后构建OPC模型，并通过构建的模型输出下一图案次序处的校验掩模版图案，从而实现步进式建模并在每次建模时通过轮廓漂移补偿提升图案矫正精准度，确保最终输出的目标掩模版图案能够达到预期曝光效果。
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公开(公告)号：CN112230507A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011137210.7
申请日：2020-10-22
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本申请提供一种光学邻近矫正模型构建方法、装置及计算机设备，涉及半导体制造技术领域。本申请通过对包括有待校验掩膜图案及对应的至少一种基础掩膜图案的待测掩膜板图案进行真实曝光试验及曝光模拟仿真，而后根据得到的基础掩膜图案的第一曝光图案尺寸信息、待校验掩膜图案的第二曝光图案轮廓信息，及待校验掩膜图案的仿真曝光图案轮廓信息，将待校验掩膜图案在真实曝光与光学仿真下分别对应的整体曝光轮廓状况结合到目标电路图案的光学邻近矫正模型构建过程中，使最终得到的模型直接具有较高的矫正预测精准度，无需反复调整待校验掩膜图案进行真实曝光试验来改善模型的矫正预测精准度，从而减少模型构建成本及模型构建时长。
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公开(公告)号：CN112099308A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011136648.3
申请日：2020-10-22
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本申请提供一种衰减相移掩模版及其制程方法，涉及半导体制程技术领域。本申请通过提供包括相对设置的第一表面及第二表面的透明基板，接着在透明基板的第一表面上形成遮光膜层，并遮光膜层上蚀刻出用于表示目标掩模图案的图案沟槽，得到待处理掩模结构，而后在待处理掩模结构的与第二表面相背离的表面上沉积生长相移层，最后对生长出的相移层进行蚀刻，使残留的相移层仅附着在图案沟槽的槽壁上，使得到的衰减相移掩模版与传统衰减相移掩模版结构明显不同，无需担心相移层在蚀刻操作下会在不同位置处表现出不同的厚度尺寸，以确保制备出的衰减相移掩模版能够达到预期衰减数值，提升掩模版制备良品率。
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公开(公告)号：CN112230507B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202011137210.7
申请日：2020-10-22
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本申请提供一种光学邻近矫正模型构建方法、装置及计算机设备，涉及半导体制造技术领域。本申请通过对包括有待校验掩膜图案及对应的至少一种基础掩膜图案的待测掩膜板图案进行真实曝光试验及曝光模拟仿真，而后根据得到的基础掩膜图案的第一曝光图案尺寸信息、待校验掩膜图案的第二曝光图案轮廓信息，及待校验掩膜图案的仿真曝光图案轮廓信息，将待校验掩膜图案在真实曝光与光学仿真下分别对应的整体曝光轮廓状况结合到目标电路图案的光学邻近矫正模型构建过程中，使最终得到的模型直接具有较高的矫正预测精准度，无需反复调整待校验掩膜图案进行真实曝光试验来改善模型的矫正预测精准度，从而减少模型构建成本及模型构建时长。
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公开(公告)号：CN113066724A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110275282.6
申请日：2021-03-15
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
摘要： 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管及其制作方法，对至少一个所述第二光刻胶层进行曝光显影，以在所述第二光刻胶层上形成第三沟槽，所有所述第三沟槽沿所述第一方向排列；其中，在所述第一方向上，所述第三沟槽的宽度与所述第一光刻胶层在所述第一沟槽侧边所有实体部的宽度相同；以及，在所述第一方向上，所述第二光刻胶层在所述第三沟槽侧边的实体部的宽度相同或不同。进而，在去除牺牲层后以第二光刻胶层为掩膜制作鳍部，使得制作出的所有鳍部之间间距相同，且所有鳍部的线宽相同或至少一个鳍部的线宽与其余鳍部的线宽不同。由此优化鳍式场效应晶体管的制作工艺，进而使得鳍式场效应晶体管的鳍部的线宽可调。
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公开(公告)号：CN112882339A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110073642.4
申请日：2021-01-19
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： G03F1/38
摘要： 一种掩模版及其制备方法，涉及集成电路制造技术领域。该掩模版的制备方法包括以下步骤：在透光衬底的主图形结构上形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行曝光和显影，以在第二光刻胶层上形成第一遮挡结构，第一遮挡结构覆盖主图形结构，且第一遮挡结构具有至少一个位于主图形结构的相邻两个子结构之间的通孔；在第一遮挡结构上形成氧化物层；对氧化物层和第一遮挡结构进行刻蚀，并保留填充于通孔内的氧化物层以作为散射条，主图形结构和散射条共同在透光衬底上形成掩模图形。该掩模版由上述的掩模版的制备方法制成。该掩模版的制备方法能够改善掩模版上散射条易倒塌的问题，进而提高掩模版的制备良率。
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公开(公告)号：CN112749424A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202110049978.7
申请日：2021-01-14
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种光刻胶的轮廓三维建模方法、系统和可读存储介质，涉及半导体技术领域。光刻胶的轮廓三维建模方法包括：多次收集规律图型在多个位置的光刻胶轮廓；将光刻胶轮廓重叠在一起，形成复数轮廓；获取复数轮廓的白边宽度和差异量；根据白边宽度和差异量，建立光刻胶三维模型。这样，可以从复数轮廓的灰阶图像中获取白边宽度和差异量，根据白边宽度和差异量，即可得出光刻胶侧墙的三维尺寸信息，从而建立光刻胶三维模型，不需要再单独调整系统参数来收集光刻胶侧墙的三维尺寸信息，能够显著提高建模效率和精度。而且，建立的光刻胶三维模型能够用于预测其它图型中光刻胶的三维尺寸。
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公开(公告)号：CN214151708U
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202023284034.8
申请日：2020-12-30
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
摘要： 本实用新型提供一种掩模板条码扫描装置和光刻机，涉及光刻机技术领域，掩模板条码扫描装置包括承载台、支架、驱动组件、读码机和保护管道，承载台具有用于承载掩模板的承载面，支架固定设置在承载台的一侧，驱动组件设置在支架上，并延伸至承载台上方，读码机与驱动组件连接，并与承载面相对设置，用于在驱动组件的带动下相对承载面运动，保护管道设置在承载台的一侧，用于向读码机和承载面之间输送保护气体，以防止灰尘落在掩模板上。相较于现有技术，本实用新型能够实现移动扫码，对掩模板的条形码位置精度要求低，避免出现无法读码的情况，同时能够防止灰尘掉落在掩模板上。
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公开(公告)号：CN213212111U
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202021575839.5
申请日：2020-07-31
申请人： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 本实用新型实施例提供一种光刻结构和半导体结构，涉及半导体技术领域。半导体结构包括光刻结构，光刻结构包括抗反射层、在抗反射层上形成的热缩材料层、在热缩材料层上形成的平坦层和在平坦层上形成的光刻胶层。这样，通过在光刻胶层的下方先涂布热缩材料层，形成的光刻结构再经过后续的曝光、显影，在光刻胶层上形成光刻图案，再经过硬烤之后，热缩材料层经过均匀收缩，能够使已形成的光刻图案进一步精细化，以便于后续工艺根据光刻图案形成更精细化的微缩图案。所以，本实用新型实施例提供的光刻结构和半导体结构能够用于形成更精细化的微缩图案，为形成微缩图案创造了结构基础，并且能够运用于利用光刻工艺制作的半导体器件中。
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