公开(公告)号：CN104124332B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201410229650.3

申请日：2014-05-27

Applicant: 浙江大学

Inventor： 朱铁军 ,  付晨光 ,  赵新兵

IPC: H01L35/18 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明公开了一种高优值的P型FeNbTiSb热电材料，原料组成为FeNb1‑xTixSb，其中，x＝0.06～0.24。本发明还公开了所述的P型FeNbTiSb热电材料的制备方法，首先按组成为FeNb1‑xTixSb的化学剂量比称取原料铁、铌、钛和锑，氩气保护下，经熔炼得到铸锭；将铸锭粉碎成颗粒，再经烧结得到所述的P型FeNbTiSb热电材料。本发明的制备工艺简单、生产周期短，生产效率高；制备得到的P型FeNbTiSb热电材料高温稳定性好，构成该材料的元素在地壳含量丰富，工业化成本较低；其最大zT值在1100K时达到1.1，这是目前Half‑Heusler体系中获得的最高性能。

公开(公告)号：CN117706310A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202310794162.6

申请日：2023-06-30

Applicant: 浙江大学

Inventor： 付晨光 ,  陈梦朝 ,  朱铁军

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及热电器件测试领域，公开一种块体能斯特器件输出性能的测试装置和方法，该装置包括电阻片、铜片、热电偶、待测器件、多级制冷片和水冷铜柱；电阻片和多级制冷片分别连接电源进行制热和制冷；待测器件与铜片接触面设有热电偶进行温度监控，待测器件两端连接电压表和数字源表进行数据测量，待测器件处于磁场中；所述水冷铜柱通过穿插的冷却水管带走热量。本发明采用铜片保证热端和冷端的温度均匀，可以测量大尺寸甚至厘米级的待测器件，并利用多级制冷片和水冷铜柱在器件的两端构筑较大温差，能够测定不同磁场和温差条件下块体能斯特器件的输出性能。

公开(公告)号：CN114686723A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210284203.2

申请日：2022-03-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 朱铁军 ,  李艾燃 ,  付晨光

IPC: C22C12/00 ,  B22F1/142 ,  B22F3/14 ,  B22F9/04 ,  C22C1/04 ,  H01L35/20

Abstract: 本发明涉及新材料的合成与制备，公开一类镁基半赫斯勒合金材料及其制备方法。原料组成为Mg1‑xMxNiSb，其中，M＝Ti或Zr或Hf，x表示原子百分比，0

公开(公告)号：CN104681706A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510073138.9

申请日：2015-02-12

Applicant: 浙江大学

Inventor： 朱铁军 ,  付晨光 ,  赵新兵

IPC: H01L35/18 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/18

Abstract: 本发明公开了一种高优值的P型FeNbHfSb热电材料，原料组成为FeNb1-xHfxSb，其中，x＝0.06～0.2。本发明还公开了所述的P型FeNbHfSb热电材料的制备方法，首先按组成为FeNb1-xHfxSb的化学剂量比称取原料铁、铌、铪和锑，氩气保护下，经熔炼得到铸锭；将铸锭粉碎成颗粒，再经烧结得到所述的P型FeNbHfSb热电材料。本发明的制备工艺简单、生产周期短，生产效率高；制备得到的P型FeNbHfSb热电材料高温稳定性好，构成该材料的元素在地壳含量丰富，工业化成本较低；其最大zT值在1200K时达到1.45，这是目前Half-Heusler体系中获得的最高性能。