公开(公告)号：CN118992987A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410079496.X

申请日：2024-01-19

Applicant: 浙江大学

Inventor： 朱铁军 ,  汪越楚 ,  付晨光 ,  李艾燃

IPC: C01B19/00

Abstract: 本发明公开了一种实现银硫基塑性无机半导体超高塑性变形量的制备方法，包括对银硫基材料冷加工；在惰性气体氛围下或真空环境下，将冷加工后的银硫基材料进行退火；重复上述步骤得到超高变形量的银硫基塑性无机半导体材料；该银硫基材料为Ag2‑xCuxS1‑yMy，其中，M为Se和/或Te，x＝0‑0.5，y＝0.3‑0.8。本发明还公开了利用该方法制得的银硫基类塑性无机半导体，该银硫基类塑性无机半导体材料具有超高的塑性变形量。

公开(公告)号：CN114686723B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210284203.2

申请日：2022-03-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 朱铁军 ,  李艾燃 ,  付晨光

IPC: C22C12/00 ,  B22F1/142 ,  B22F3/14 ,  B22F9/04 ,  C22C1/04 ,  H01L35/20

Abstract: 本发明涉及新材料的合成与制备，公开一类镁基半赫斯勒合金材料及其制备方法。原料组成为Mg1‑xMxNiSb，其中，M＝Ti或Zr或Hf，x表示原子百分比，0

公开(公告)号：CN116200831B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202310420880.7

申请日：2023-04-19

Applicant: 浙江大学

Inventor： 付晨光 ,  陈梦朝 ,  朱铁军

IPC: C30B29/52 ,  C30B28/04

Abstract: 本发明涉及热电材料技术领域，公开一类钴基全赫斯勒合金材料其制备方法和多晶体器件，所述钴基全赫斯勒合金材料为多晶体，化学式为Co2MnY1‑xZx，其中，Y＝Ga或Al，Z＝Si、Ge、Sn、Al、Ga、In中任一种，Y与Z不同，x表示原子百分比，0

公开(公告)号：CN116200831A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310420880.7

申请日：2023-04-19

Applicant: 浙江大学

Inventor： 付晨光 ,  陈梦朝 ,  朱铁军

IPC: C30B29/52 ,  C30B28/04

Abstract: 本发明涉及热电材料技术领域，公开一类钴基全赫斯勒合金材料其制备方法和多晶体器件，所述钴基全赫斯勒合金材料为多晶体，化学式为Co2MnY1‑xZx，其中，Y＝Ga或Al，Z＝Si、Ge、Sn、Al、Ga、In中任一种，Y与Z不同，x表示原子百分比，0

公开(公告)号：CN116191939A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310311988.2

申请日：2023-03-28

Applicant: 浙江大学

Inventor： 朱铁军 ,  刘凯 ,  付晨光

IPC: H02N11/00 ,  H05B45/38 ,  G01K1/024

Abstract: 本发明涉及物联网供电技术领域，具体公开一种全天候无源自供电器件及其制备方法和应用。器件依次包括耦合连接的冷端模块、热电器件、导热模块、热端模块和热交换器；通过辐射制冷材料沉积在导热片上形成用于散发热量的冷端模块；通过光热材料沉积在导热片上形成用于吸收热量的热端模块；导热模块用于吸收储存热端模块的热量，热电器件利用冷端模块和导热模块的温差发电，并引出电极导线；热交换器用于储存热量，以降低外界环境因素对于器件性能造成的波动。本发明利用辐射制冷和光热效应，实现了全天候可持续的性能输出，成功应用于全天候自供电LED灯和全天候物联网无线温度传感设备。

公开(公告)号：CN115697011A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211332147.1

申请日：2022-10-28

Applicant: 浙江大学

Inventor： 朱铁军 ,  范武升 ,  赵新兵 ,  付晨光

IPC: H10N10/01 ,  H10N10/17 ,  H10N10/80 ,  A61B5/256 ,  A61B5/28 ,  H05B45/38

Abstract: 本发明公开一种柔性可穿戴热电器件及其制备方法和应用，包括步骤：将p型和n型块体热电材料切割成热电片，按p‑n交替的方式粘贴固化得到热电片复合柱体，经两次垂直切割、交替粘贴得到热电臂阵列柱体、微型热电臂阵列，沉积电极得到微型热电器件单元；将所述微型热电器件单元排列在所述与单元具有相同高度模具的凹槽内，向凹槽内倒入柔性粘接剂，固化脱模得到热电器件单元阵列，封装成柔性可穿戴热电器件。本发明经过特殊结构的设计获得无需柔性基底维持器件的可穿戴性，热电器件本身直接与热源接触，减少器件的热损失，优化器件输出性能，器件输出功率不低于100μW，输出电压不低于50mV。

公开(公告)号：CN104681706B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510073138.9

申请日：2015-02-12

Applicant: 浙江大学

Inventor： 朱铁军 ,  付晨光 ,  赵新兵

IPC: H01L35/18 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/18

Abstract: 本发明公开了一种高优值的P型FeNbHfSb热电材料，原料组成为FeNb1‑xHfxSb，其中，x＝0.06～0.2。本发明还公开了所述的P型FeNbHfSb热电材料的制备方法，首先按组成为FeNb1‑xHfxSb的化学剂量比称取原料铁、铌、铪和锑，氩气保护下，经熔炼得到铸锭；将铸锭粉碎成颗粒，再经烧结得到所述的P型FeNbHfSb热电材料。本发明的制备工艺简单、生产周期短，生产效率高；制备得到的P型FeNbHfSb热电材料高温稳定性好，构成该材料的元素在地壳含量丰富，工业化成本较低；其最大zT值在1200K时达到1.45，这是目前Half‑Heusler体系中获得的最高性能。

公开(公告)号：CN104124332A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410229650.3

申请日：2014-05-27

Applicant: 浙江大学

Inventor： 朱铁军 ,  付晨光 ,  赵新兵

IPC: H01L35/18 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明公开了一种高优值的P型FeNbTiSb热电材料，原料组成为FeNb1-xTixSb，其中，x＝0.06～0.24。本发明还公开了所述的P型FeNbTiSb热电材料的制备方法，首先按组成为FeNb1-xTixSb的化学剂量比称取原料铁、铌、钛和锑，氩气保护下，经熔炼得到铸锭；将铸锭粉碎成颗粒，再经烧结得到所述的P型FeNbTiSb热电材料。本发明的制备工艺简单、生产周期短，生产效率高；制备得到的P型FeNbTiSb热电材料高温稳定性好，构成该材料的元素在地壳含量丰富，工业化成本较低；其最大zT值在1100K时达到1.1，这是目前Half-Heusler体系中获得的最高性能。

公开(公告)号：CN119789762A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411900433.2

申请日：2024-12-23

Applicant: 浙江大学

Inventor： 朱铁军 ,  武云笑 ,  付晨光

IPC: H10N10/852 ,  H10N10/01 ,  C25D3/56 ,  C25D5/54

Abstract: 本发明公开一种碲化铋基热电器件的界面阻挡层及其制备方法和应用，所述界面阻挡层为Ni‑Co‑W合金镀层，其中Ni元素摩尔占比为70‑93％，Co元素摩尔占比为6‑25％，W元素摩尔占比为1‑5％。在N型或P型碲化铋基材料上通过电化学沉积制备而成。本发明提供的Ni‑Co‑W界面阻挡层具有良好的热稳定性，能够提高热电器件的使用寿命，长时间高温环境下，可有效抑制界面阻挡层和热电材料之间的反应，从而降低热电器件在高温服役下的界面电阻，提高器件的输出性能。

公开(公告)号：CN114284421A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111625105.2

申请日：2021-12-28

Applicant: 浙江大学

Inventor： 朱铁军 ,  熊博文 ,  付晨光

IPC: H01L35/04 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34 ,  C01G51/00 ,  C01B33/06

Abstract: 本发明涉及热电材料，公开一种ZrCoSb基Half‑Heusler热电材料的电极、热电器件及制备方法和应用，所述电极为CoSi2电极，与n型(MxZr1‑x)1‑yNbyCoSb或p型MaZr1‑aCoSb1‑bSnb经预压后进行放电等离子体烧结制备得到热电器件。本发明所选用的CoSi2电极具有近于纯金属的电导率且与ZrCoSb基Half‑Heusler合金热膨胀系数相近，用CoSi2电极连接ZrCoSb基Half‑Heusler合金材料制备的热电器件的接触电阻很小，低于1μΩ·cm2，界面电阻对器件性能的影响可忽略，有利于充分发挥热电材料的热电转换效率，可应用于热电池、冷却器等领域。