公开(公告)号：CN109860334B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201910038378.3

申请日：2019-01-16

申请人： 晶科能源科技(海宁)有限公司 ,  浙江晶科能源有限公司

发明人： 王钊 ,  杨洁 ,  郑霈霆 ,  孙海杰 ,  朱佳佳 ,  陈石 ,  冯修 ,  郭瑶 ,  於琳玲 ,  朱思敏

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/223

摘要： 本发明涉及一种磷扩散方法，特别涉及一种匹配HF/HNO3体系选择性刻蚀的高质量磷扩散方法，属于晶体硅太阳能电池技术领域。该方法包括以下步骤：（1）进管；（2）升温至第一温度；（3）氧化；（4）沉积磷源；（5）升温至第二温度，所述第二温度高于所述第一温度；（6）推结，（7）第二次沉积磷源：推结后进行第二次磷源沉积，在所述硅片表面形成第二磷扩散；（8）降温出管。本发明高质量磷扩散方法在降低刻蚀减重的情况下，保证刻蚀区域方阻适中，表面磷掺杂浓度较低。同时，刻蚀区和非刻蚀区台阶降低，有利于后续氮化硅薄膜的钝化。

公开(公告)号：CN110098283A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910338924.5

申请日：2019-04-25

申请人： 晶科能源科技(海宁)有限公司 ,  浙江晶科能源有限公司

发明人： 王钊 ,  杨洁 ,  郑霈霆 ,  孙海杰 ,  朱佳佳 ,  陈石 ,  冯修 ,  郭瑶 ,  於琳玲 ,  朱思敏

IPC分类号： H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种新型离子注入工艺，特别涉及一种匹配激光选择性掺杂的离子注入磷扩散方法。该方法包括以下步骤：①在制绒后的P型硅片表面第一次离子注入磷，选择注入低剂量的磷，注入同时选择高加速电压；②退火激活+推结，使形成的磷扩散结表面掺杂浓度低，有效磷掺杂浓度分布随深度变化较为平缓，形成方阻为140-180ohm/sq的轻扩区；③第二次磷离子注入：本次注入剂量高磷的磷，目的是在硅片近表面形成高浓度的磷扩散层；④激光掺杂：激光选择性激活第二次离子注入的磷；⑤清洗。本发明通过降低电池磷扩散结内复合，提升磷扩散方阻均匀性和减少电池串联电阻损失，进一步提升PERC电池效率。

公开(公告)号：CN109698254A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811603015.1

申请日：2018-12-26

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

发明人： 朱佳佳 ,  郑沛霆 ,  杨洁 ,  孙海杰 ,  王钊 ,  郭瑶 ,  於玲琳 ,  朱思敏

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/028

摘要： 本发明公开了一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，包括：对硅片进行硼扩散形成正面BSG层和背面BSG层；去除背面BSG层，并对硅片进行氧化形成氧化层；在硅片的氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层表面沉积掩膜层；将硅片浸入HF溶液中去除硅片正面的掩膜层绕镀；将硅片浸入碱溶液中去除硅片正面的多晶硅层绕镀；去除掩膜层和正面BSG层。通过在硅片上进行硼扩散形成BSG层，将背面的BSG层去除，对硅片进行氧化，与后续沉积的多晶硅层形成特殊结构，在多晶硅层表面设置掩膜层与正面BSG层作为保护层，在HF酸溶液中去除掩膜层绕镀，在碱溶液中去除多晶硅层绕镀，最后去除掩膜层和正面BSG层，减少了遮光面积，提高了电池效率，解决了外观不良问题，提高了电池性能。