公开(公告)号：CN109713051A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811603014.7

申请日：2018-12-26

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

发明人： 朱佳佳 ,  郑沛霆 ,  杨洁 ,  孙海杰 ,  王钊 ,  郭瑶 ,  於玲琳 ,  朱思敏

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种光伏电池接触结构以及制造方法，其中光伏电池接触结构以及制造方法包括：步骤1，在硅片主体的正面钝化层上印刷正面烧穿性浆料层，正面烧穿性浆料层的预定点位置处穿过钝化层与硅片的主体部分连接；步骤2，在正面烧穿性浆料层的表面印刷正面非烧穿性浆料层；步骤3，对硅片主体进行烧结。通过采用正面烧穿性浆料层的预定点位置处穿过钝化层与硅片的主体部分连接，使得将现有的浆料印刷后形成的线接触金属-半导体结构，改变为点接触的金属-半导体结构，接触面积小，实现低损伤金属接触结构，双层浆料结构保证接触电阻的同时，复合低，对于硅片主体的破坏更小，可以充分发挥单晶硅或多晶硅的性能，提高电池的效率。

公开(公告)号：CN109461782A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811593694.9

申请日：2018-12-25

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

发明人： 孙海杰 ,  郑霈霆 ,  杨洁 ,  郭瑶 ,  王钊 ,  朱思敏

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种P型背接触型太阳能电池及其制作方法，在P型半导体衬底的背面上设置多个N+型半导体结构，在N+型半导体结构之间设置第一电极，所述第一电极中的金属原子扩散到所述背面内，形成P+半导体结构，无需对P型半导体衬底进行磷扩散以及硼扩散，即可在背面形成交替排布的N+型半导体结构与P+半导体结构，制作工艺简单，制作成本低。将第一电极以及第二电极均设置在背面，正面无需设置电极，从而避免了正面设置电极对光造成的反射问题，提高了光的利用率，进而提高了光电转换效率。而且位于背面上的N+型半导体结构相对于传统通过扩散形成于背面内的P+掺杂区，具有更好的表面钝化效果，可以进一步提高光电转换效率。

公开(公告)号：CN111048625B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201911368196.9

申请日：2019-12-26

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

发明人： 王钊 ,  张昕宇 ,  杨洁 ,  郑霈霆 ,  孙海杰 ,  朱思敏 ,  陈石

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明公开了一种钝化接触P型电池的制备方法，通过设置两层N+POLY结构，在通过选择性刻蚀的方式，在刻蚀区形成非金属覆盖区保留第一N+POLY结构，金属覆盖区保留在第一N+POLY结构、第二N+POLY结构，替换现有的单纯的氮化硅钝化，极大的降低电池正面的表面复合，使得其正面复合电流大幅下降，从而使得电池的开路电压得到明显提升，提高电池的效率以及电池的性能，而且采用现有的设备即可完成所有工艺，无需添加新的设备，增加的电池成本较少。

公开(公告)号：CN111048625A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201911368196.9

申请日：2019-12-26

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

发明人： 王钊 ,  张昕宇 ,  杨洁 ,  郑霈霆 ,  孙海杰 ,  朱思敏 ,  陈石

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明公开了一种钝化接触P型电池的制备方法，通过设置两层N+POLY结构，在通过选择性刻蚀的方式，在刻蚀区形成非金属覆盖区保留第一N+POLY结构，金属覆盖区保留在第一N+POLY结构、第二N+POLY结构，替换现有的单纯的氮化硅钝化，极大的降低电池正面的表面复合，使得其正面复合电流大幅下降，从而使得电池的开路电压得到明显提升，提高电池的效率以及电池的性能，而且采用现有的设备即可完成所有工艺，无需添加新的设备，增加的电池成本较少。

公开(公告)号：CN109698254A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811603015.1

申请日：2018-12-26

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

发明人： 朱佳佳 ,  郑沛霆 ,  杨洁 ,  孙海杰 ,  王钊 ,  郭瑶 ,  於玲琳 ,  朱思敏

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/028

摘要： 本发明公开了一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，包括：对硅片进行硼扩散形成正面BSG层和背面BSG层；去除背面BSG层，并对硅片进行氧化形成氧化层；在硅片的氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层表面沉积掩膜层；将硅片浸入HF溶液中去除硅片正面的掩膜层绕镀；将硅片浸入碱溶液中去除硅片正面的多晶硅层绕镀；去除掩膜层和正面BSG层。通过在硅片上进行硼扩散形成BSG层，将背面的BSG层去除，对硅片进行氧化，与后续沉积的多晶硅层形成特殊结构，在多晶硅层表面设置掩膜层与正面BSG层作为保护层，在HF酸溶液中去除掩膜层绕镀，在碱溶液中去除多晶硅层绕镀，最后去除掩膜层和正面BSG层，减少了遮光面积，提高了电池效率，解决了外观不良问题，提高了电池性能。

公开(公告)号：CN109888054A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910038373.0

申请日：2019-01-16

申请人： 晶科能源科技(海宁)有限公司 ,  浙江晶科能源有限公司

发明人： 王钊 ,  杨洁 ,  郑霈霆 ,  孙海杰 ,  朱佳佳 ,  陈石 ,  冯修 ,  郭瑶 ,  於琳玲 ,  朱思敏

IPC分类号： H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种选择性发射极的制备方法，特别涉及一种光伏电池无损伤选择性发射极的制备方法，属于晶体硅太阳能电池技术领域。该方法包括以下步骤：（1）进管；（2）升温至第一温度；（3）沉积磷源；（4）升温至第二温度；（5）推结；（6）降温；（7）沉积磷源；（8）降温出管。本发明方法得到的无损伤选择性发射极可应用于现如今可量产的高效PERC电池，PERC电池由于其优异的背面钝化和激光开槽工艺，其量产效率已接近22%。本发明制得的无损伤选择性发射极应用于PERC电池后，通过降低电池磷扩散结内复合，可以提升磷扩散方阻均匀性和减少电池串联电阻损失，进一步提升PERC电池效率。

公开(公告)号：CN118198165A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202211569073.3

申请日：2022-12-07

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源股份有限公司

发明人： 王钊 ,  郑霈霆 ,  杨洁 ,  朱佳佳 ,  朱思敏

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/048 ,  H01L31/18

摘要： 本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底表面具有金属图案区域以及非金属图案区域，非金属图案区域包括相邻接的第一区以及第二区，第二区远离第一区的一侧与金属图案区域相邻接，第一区的基底表面低于金属图案区域的基底表面，第二区的基底表面不低于第一区的基底表面，且不高于金属图案区域的基底表面；第一区以及第二区的基底内具有掺杂层，基底露出掺杂层顶面；第一钝化接触结构，覆盖于金属图案区域的基底表面，包括层叠的至少一层第一隧穿层以及至少一层第一掺杂导电层。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN110148558A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910338929.8

申请日：2019-04-25

申请人： 晶科能源科技(海宁)有限公司 ,  浙江晶科能源有限公司

发明人： 王钊 ,  杨洁 ,  郑霈霆 ,  孙海杰 ,  朱佳佳 ,  陈石 ,  冯修 ,  郭瑶 ,  於琳玲 ,  朱思敏

IPC分类号： H01L21/265

摘要： 本发明提供一种匹配HF/HNO3体系选择性刻蚀的离子注入磷扩散方法，该方法可制备高质量的磷扩散选择性发射极，以提升太阳能电池转换效率。该离子注入方法制备的磷扩散选择性发射极适用于N型高效电池生产，磷扩散结作为N型电池的背结，降低其非金属接触区域的表面磷浓度，降低该区域的俄歇复合，提升电池的开路电压，同时保证金属覆盖区域的表面磷浓度较高，降低金属-硅片接触的欧姆电阻，提升电池的填充因子，最终提升太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN109860334A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910038378.3

申请日：2019-01-16

申请人： 晶科能源科技(海宁)有限公司 ,  浙江晶科能源有限公司

发明人： 王钊 ,  杨洁 ,  郑霈霆 ,  孙海杰 ,  朱佳佳 ,  陈石 ,  冯修 ,  郭瑶 ,  於琳玲 ,  朱思敏

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/223

摘要： 本发明涉及一种磷扩散方法，特别涉及一种匹配HF/HNO3体系选择性刻蚀的高质量磷扩散方法，属于晶体硅太阳能电池技术领域。该方法包括以下步骤：（1）进管；（2）升温至第一温度；（3）氧化；（4）沉积磷源；（5）升温至第二温度，所述第二温度高于所述第一温度；（6）推结，（7）第二次沉积磷源：推结后进行第二次磷源沉积，在所述硅片表面形成第二磷扩散；（8）降温出管。本发明高质量磷扩散方法在降低刻蚀减重的情况下，保证刻蚀区域方阻适中，表面磷掺杂浓度较低。同时，刻蚀区和非刻蚀区台阶降低，有利于后续氮化硅薄膜的钝化。

公开(公告)号：CN109860334B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201910038378.3

申请日：2019-01-16

申请人： 晶科能源科技(海宁)有限公司 ,  浙江晶科能源有限公司

发明人： 王钊 ,  杨洁 ,  郑霈霆 ,  孙海杰 ,  朱佳佳 ,  陈石 ,  冯修 ,  郭瑶 ,  於琳玲 ,  朱思敏

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/223

摘要： 本发明涉及一种磷扩散方法，特别涉及一种匹配HF/HNO3体系选择性刻蚀的高质量磷扩散方法，属于晶体硅太阳能电池技术领域。该方法包括以下步骤：（1）进管；（2）升温至第一温度；（3）氧化；（4）沉积磷源；（5）升温至第二温度，所述第二温度高于所述第一温度；（6）推结，（7）第二次沉积磷源：推结后进行第二次磷源沉积，在所述硅片表面形成第二磷扩散；（8）降温出管。本发明高质量磷扩散方法在降低刻蚀减重的情况下，保证刻蚀区域方阻适中，表面磷掺杂浓度较低。同时，刻蚀区和非刻蚀区台阶降低，有利于后续氮化硅薄膜的钝化。