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公开(公告)号:CN111534270B
公开(公告)日:2023-08-01
申请号:CN202010419211.4
申请日:2020-05-18
申请人: 深圳市化讯半导体材料有限公司
IPC分类号: C09J179/08 , C09J177/00 , C09J181/02 , C09J181/06 , C09J171/10 , C09J11/04 , H01L21/683
摘要: 本发明提供了一种激光剥离材料及其制备方法和应用,所述激光剥离材料以其总质量为100%计,包括主体树脂1‑40%、吸光剂0.1‑10%和溶剂55‑98%,所述主体树脂包括聚砜、聚酰胺、聚酰胺酸、聚酰亚胺、马来酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚苯并咪唑、聚丙烯腈、聚醚醚酮、聚苯醚砜、聚苯并噁唑、聚苯硫醚或聚醚酮中的任意一种或至少两种的组合。本发明所述的激光剥离材料耐化性好、耐热性优良,同时其对激光的吸收率高,可以实现低能量激光脱粘的技术效果,有效避免了激光对器件层的损伤。另外,本发明所述激光剥离材料应用于制备多层超薄柔性器件时,其剥离层厚度小,激光扫描后清洗容易,无材料残留。
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公开(公告)号:CN113467201A
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN202110879426.9
申请日:2021-08-02
申请人: 深圳市化讯半导体材料有限公司
IPC分类号: G03F7/42
摘要: 本发明提供一种光刻胶的清洗方法。所述清洗方法包括如下步骤:(1)将基板包含光刻胶的一面置于紫外光下老化,得到经老化处理的基板;(2)使用光刻胶清洗剂对步骤(1)得到的经老化处理的基板进行清洗,完成基板上光刻胶的清洗;所述光刻胶清洗液包括如下重量份数的组分:季胺氢氧化物1~20份、醇胺1~10份、表面活性剂0.01~10份和溶剂60~98份。本发明通过采用对包含光刻胶基板的先进行紫外光照射老化处理,再使用光刻胶清洗剂进行清洗的方法,在不增大光刻胶清洗剂碱性且不使用其他腐蚀抑制剂的情况下,完成基板上光刻胶的清洗,得到了表面无光刻胶残留、无腐蚀的基板。
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公开(公告)号:CN112898853A
公开(公告)日:2021-06-04
申请号:CN202110144463.5
申请日:2021-02-02
申请人: 深圳市化讯半导体材料有限公司
IPC分类号: C09D139/06 , C09D129/04 , C09D101/28 , C09D5/32 , C09D5/08 , C09D7/48 , C09D7/63
摘要: 本发明涉及一种激光切割保护液及其制备方法和应用,所述激光切割保护液按照重量百分数包括如下组分:水溶性树脂1%‑20%,溶剂1%‑30%,保湿剂0.5%‑5%,水溶性紫外吸收剂0.1%‑1%,水溶性抗氧剂0.1%‑0.5%,水溶性红色色素2%‑10%,pH调节剂1%‑2%,防腐蚀剂0.1%‑0.2%和水至100%;所述溶剂的沸点高于145℃;所述保湿剂包括含有两个或两个以上羟基的醇类。本发明所述激光切割保护液具有优异的耐热性,可以适应多种激光切割保护的应用需求,能节约设备及物料成本。
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