一种用于焊接变形三维非接触式测量的精确定位方法

    公开(公告)号:CN102288123B

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201110175456.8

    申请日:2011-06-27

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01B11/16

    摘要: 本发明涉及一种用于焊接变形三维非接触式测量的精确定位方法,其包括以下步骤:1)在板材上横向、竖向分别划出若干相互平行的直线;在横向与竖向直线的各交点中,选取标识点,在标识点的位置钻盲孔放置钢珠;使用显像剂对板材和钢珠进行喷涂;2)利用三维激光扫描仪对放置钢珠的板材进行扫描,得到钢珠及其板材焊接前的点云文件;3)将钢珠取下,清除显像剂,对板材进行焊接;4)焊接结束后,再次将钢珠放置在盲孔的位置,使用显像剂对板材和钢珠进行喷涂;5)利用三维激光扫描仪对堆焊试验后的板材和钢珠再次进行扫描,得到钢珠及其板材焊接变形后的点云文件;6)对焊接前、后的点云文件进行数据处理,得到标识点在焊接前、后的三维坐标值,进而计算板材的位移和焊接变形量。

    一种逐层减薄少层二维过渡金属硫化物的方法

    公开(公告)号:CN113471079B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202110534996.4

    申请日:2021-05-17

    申请人: 清华大学

    发明人: 赵海燕 裴家云

    摘要: 本发明公开了一种逐层减薄少层二维过渡金属硫化物(TMDCs)的方法,包括以下步骤:将TMDCs材料转移到目标基底上;对TMDCs材料的层数进行测定;选定少层TMDCs材料的区域,对选定区域的少层TMDCs材料进行激光扫描辐照,采用逐层减薄的方式实现对少层TMDCs材料的层数和厚度的精确控制,选定区域的少层TMDCs材料的层数在4层以内。本发明通过激光辐照逐层减薄的方式实现了对少层TMDCs材料层数厚度的精确控制,且能够获得高质量的产品;另外,本发明可以任意选取加工区域,即在样品表面任意位置进行加工减薄,且对别的区域影响很小,相较而言,本方法更快速,更具柔性和可控性。

    制备碳化中间相沥青的方法

    公开(公告)号:CN114369475B

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202111433653.5

    申请日:2021-11-29

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: C10B55/02

    摘要: 本发明公开了一种制备碳化中间相沥青的方法,所述方法包括:提供中间相沥青片;将所述中间相沥青片固定在基底和单晶片中间,所述单晶片的相对的两端均设有加压部件,所述加压部件可拆卸的安装在所述基底上,所述加压部件用于向所述单晶片施加压力,所述单晶片能够将压力传递到所述中间相沥青片;使用CO2激光器照射所述中间相沥青片。由此,本发明通过调整CO2激光器的参数,可以调整照射到中间相沥青片上的温度,通过调节加压部件可以调节压力,本发明方法可以更方便的在反应过程中调节温度和压力,本发明方法还具有成本低、调节灵活性高、生产效率高的优点,有利于大规模的工业化生产。

    用于单分子测序的纳米孔装置及其使用方法、制作方法

    公开(公告)号:CN103820311A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201410067413.1

    申请日:2014-02-26

    申请人: 清华大学

    发明人: 赵海燕 吴鑫

    IPC分类号: C12M1/34 G01N27/26

    摘要: 本发明提供了一种用于单分子测序的纳米孔装置及其使用方法、制作方法,应用于单分子测序装置中,所述单分子测序装置包括正负电解池,所述纳米孔装置用于分隔所述正负电解池。本发明将固态纳米孔和石墨烯纳米孔结构相结合形成三明治结构,一方面由于三明治结构中固态酒杯形沟槽的存在,可以延伸石墨烯纳米孔的直径,保证生物分子在较低的电压下仍然可以有较高的被捕获率,这样可以通过降低电压对单分子通过石墨烯纳米孔的过程进行速度控制,解决当前纳米孔单分子测序的过程中生物分子穿孔过快的问题,提高单分子通孔过程中的时间分辨率,另一方面该装置最终进行检测的是石墨烯纳米孔,保证单分子检测具有好的分辨效果。

    用低频脉冲磁处理降低钢铁工件中内应力的方法及其装置

    公开(公告)号:CN1270234A

    公开(公告)日:2000-10-18

    申请号:CN00105940.8

    申请日:2000-04-21

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: C21D10/00

    摘要: 本发明属金属材料处理技术领域,其方法是将待处理的钢铁工件置于一磁场强度为周期性变化的磁场中,磁场由电源输出的具有低频脉冲波形的励磁电流通过磁化器而产生,低频脉冲波形为具有较陡峭的前后沿的间歇梯形波。其装置包括输出具有低频脉冲波形的励磁电流的电源及该电源的输出端相连的磁化器。本发明能有效地降低内应力,方便易行,不需昂贵的设备及消耗大量燃料,成本低且无污染,可大幅度降低其内应力,以使结构能安全地工作。

    用于陶瓷加工的高均匀性微波多模应用腔

    公开(公告)号:CN1268017A

    公开(公告)日:2000-09-27

    申请号:CN00106174.7

    申请日:2000-04-28

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H05B6/80 C04B35/64

    摘要: 本发明属于材料加工工艺及设备技术领域。本发明包括封闭的微波加热腔体,安装在该腔体底板下的3db移相桥波导,所说的波导和加热腔体的公共壁上开有作为耦合元件的槽孔,以及设置在该腔体内的保温结构。本发明大大提高了微波加热的均匀性,使微波能够烧结均匀致密的陶瓷产品,同时免除了为增加均匀性而采用的机械式旋转机构,具有加热均匀性好,无微波泄漏,无噪音等优点。

    表面增强拉曼基底、制备方法及待分析物检测方法

    公开(公告)号:CN118111970B

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410120247.0

    申请日:2024-01-29

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01N21/65

    摘要: 本发明涉及拉曼检测领域,提供一种表面增强拉曼基底、制备方法及待分析物检测方法。拉曼增强底制备方法包括:制备二维材料;将二维材料转移至衬底;通过氧等离子体辐照二维材料远离衬底的一侧,并通过控制氧等离子体的辐照参数,以调控二维材料的结构;获得表面增强拉曼基底。如此能向二维材料引入缺陷,改变二维材料的结构,从而改变二维材料的极性及能级位置,提高二维材料的吸光度,增强材料中光‑物质相互作用,改善二维材料固有的超低光吸收率和电子态密度的劣势,从而得到高性能表面增强的表面增强拉曼基底,进而在对待分析物进行检测的过程中,能够使表面增强拉曼基底和探针分子间的共振效应加强,从而得到高灵敏度和可靠的表面增强器件。

    煤焦油基薄膜电子器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN114309927A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111444516.1

    申请日:2021-11-30

    申请人: 清华大学

    摘要: 本发明公开了一种煤焦油基薄膜电子器件及其制备方法,其中,该方法包括:将煤焦油与有机溶剂混合,得到煤焦油溶液;将煤焦油溶液施加在第一基底上形成煤焦油薄膜;将煤焦油薄膜加热氧化;对氧化后煤焦油薄膜的上层区域进行激光打印形成图案,同时打印区域碳化;去除薄膜上的未碳化区域,得到具有图案的碳化层,其中,未碳化区域包括氧化后煤焦油薄膜上未进行激光打印的区域和氧化后煤焦油薄膜上进行激光打印的下层区域;将具有图案的碳化层转移至第二基底上,得到煤焦油基薄膜电子器件。该方法将煤焦油作为原料直接加工薄膜电子器件,提高了煤焦油产品的附加值,生产流程符合绿色生产的概念,且制得的煤焦油基薄膜电子器件具有良好的电学性能。

    一种以温度为控制变量的焊接数值模拟计算方法

    公开(公告)号:CN101559511B

    公开(公告)日:2011-12-28

    申请号:CN200910085488.1

    申请日:2009-05-22

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: B23K9/095 G05B19/04

    摘要: 本发明涉及一种以温度为控制变量的焊接数值模拟计算方法,包括以下步骤:1)将焊接温度场分布整理成时间和空间的函数:T(x,y,z,t)=f(x)f(y)f(z)f(t);2)将得到的温度分布函数T(x,y,z,t)=f(x)f(y)f(z)f(t)作为热学边界条件,以子程序的形式添加到焊接结构的力学分析模型中;3)计算模型的焊接残余应力和残余变形。本发明将焊接模拟中的控制变量由热量转变为温度,并将合适的温度分布以分段形式添加到力学分析模型上进行应力和变形的分析,可以将结构焊接的力学数值分析时间减少到采用移动热源法所用时间的10%以内。本发明可以广泛用于焊缝长度大、数量多、道次多的焊接结构,在工程上的推广引用具有极其重要的作用。

    用于陶瓷加工的高均匀性微波多模应用腔

    公开(公告)号:CN1119921C

    公开(公告)日:2003-08-27

    申请号:CN00106174.7

    申请日:2000-04-28

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H05B6/80

    摘要: 本发明属于材料加工工艺及设备技术领域。本发明包括封闭的微波加热腔体,安装在该腔体底板下的3db移相桥波导,所说的波导和加热腔体的公共壁上开有作为耦合元件的槽孔,以及设置在该腔体内的保温结构。本发明大大提高了微波加热的均匀性,使微波能够烧结均匀致密的陶瓷产品,同时免除了为增加均匀性而采用的机械式旋转机构,具有加热均匀性好,无微波泄漏,无噪音等优点。