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公开(公告)号：CN112599587A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011443412.4
申请日：2020-12-08
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明属于功率半导体器件测试领域，特别涉及一种具有缓冲层结构的半导体器件，包括依次设置的第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域、第三掺杂剂区域，还包括择一或多个组合设置的上掺杂剂区域、下掺杂剂区域、中部掺杂剂区域；所述上掺杂剂区域位于第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域之间；所述下掺杂剂区域位于第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域之间；所述中部掺杂剂区域位于第二掺杂剂区域中间，本发明的优点在于，能够实现较小的漏电流，从而提高器件的耐压能力，以及可运行的最高结温，增大器件的通流能力。
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公开(公告)号：CN112067877A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010783194.2
申请日：2020-08-06
Applicant: 清华大学
IPC: G01R19/00 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了一种用于测试门极电流的功率半导体器件，包括功率半导体芯片和管壳，所述功率半导体芯片包括多个第一绝缘层和多个子门极环形电极，所述第一绝缘层将功率半导体芯片的门极公共金属区分割为多个子门极公共金属区，所述多个子门极公共金属区分别与多个子门极环形电极一一对应连接；所述管壳包括多个子门极接触环和多个子绝缘座内金属环，并均与所述多个子门极环形电极一一对应设置；所述管壳门极槽外侧的阴极铜块上设置有多个方形槽，所述多个方形槽中均设置有门极引出条，以分别引出相应子门极环形电极上的门极电流。上述功率半导体器件能够有效地引出对功率半导体芯片内部不同阴极条形区域的门极电流，从而达到测量的目的。
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公开(公告)号：CN109600966B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201811436322.5
申请日：2018-11-28
Applicant: 清华大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
Abstract: 本发明提供了一种可用于固态式直流断路器的散热装置，所述散热装置包括散热组件；所述散热组件包括基座、热管和散热片，所述热管的一端和所述基座连接，所述热管的另一端贯穿套接在所述散热片中；所述基座内设置有空腔，所述空腔的上下端均设置有固定板。本发明通过一组散热组件对应一组电力电子阀组，提高了散热装置的散热效果。
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公开(公告)号：CN110912073A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811082363.9
申请日：2018-09-17
Abstract: 本发明提供了一种针对电力电子器件损坏时间演化规律的观测系统，所述观测系统包括主电路、电流切除支路和控制单元，其中：所述主电路，包括串联连接的电源、负载电感、第一故障切除器件、和观测器件接口，其中所述观测器件接口用于安装待观测的电力电子器件；所述电流切除支路，包括第二故障切除器件，并且所述电流切除支路与所述主电路中串联的第一故障切除器件和观测器件接口并联连接；所述控制单元，与所述主电路中的所述第一故障切除器件和所述电流切除电路中的第二故障切除器件连接，并能够与所述待观测的电力电子器件连接。本发明的观测系统能够对电力电子器件的损坏时间演化规律实现观测。
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公开(公告)号：CN110907786A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811083979.8
申请日：2018-09-17
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种对物理封装晶闸管器件的电热耦合特性进行测量方法，所述方法包括：步骤1、物理封装晶闸管器件进行恒温处理，以达到预定温度；步骤2、利用测量回路测量所述物理封装晶闸管的以下参数中的一个或多个：门阴极电压、门阴极电流、阳极电流和阴阳极电压；步骤3、将所述预定温度增加一定的温度值，返回步骤2；步骤4、基于获得的上述参数进行拟合，以形成拟合曲线。本发明提供的测量方法实现了对IGCT/ETO等器件的电热耦合特性进行测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109686786A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811615517.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/74 , H01L21/332
CPC classification number: H01L29/74 , H01L29/0839 , H01L29/66363
Abstract: 本发明提供了一种集成门极换流晶闸管，依次包括p基区、n基区、n+缓冲层、p+发射极，还包括设于p+发射极的阳极、设于p基区上的门极、设于p基区上的n+发射极梳条和设于n+发射极梳条上的阴极，该集成门极换流晶闸管在芯片层面具有区域隔离的阴极结构，进一步具有与之配套的封装和门极驱动电路，抑制安全工作区域边界附近不同阴极区域间的电流汇聚效应，拓展器件的安全工作区域。本发明还提供一种集成门极换流晶闸管的制备方法。
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公开(公告)号：CN109600966A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811436322.5
申请日：2018-11-28
Applicant: 清华大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
Abstract: 本发明提供了一种可用于固态式直流断路器的散热装置，所述散热装置包括散热组件；所述散热组件包括基座、热管和散热片，所述热管的一端和所述基座连接，所述热管的另一端贯穿套接在所述散热片中；所述基座内设置有空腔，所述空腔的上下端均设置有固定板。本发明通过一组散热组件对应一组电力电子阀组，提高了散热装置的散热效果。
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公开(公告)号：CN112909986B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110164454.2
申请日：2021-02-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种模块化多电平换流器子模块及其控制方法，所述子模块包括：上下管主电路，上下管主电路包括上管半导体器件S1和下管半导体器件S2*；所述上管半导体器件S1反并联第一开关器件D1；上管半导体器件S1的第二电极连接下管半导体器件S2*的第一电极；所述上管半导体器件S1的第一电极连接直流电容CDC的一端；下管半导体器件S2*反并联第二开关器件D2*；下管半导体器件S2*的第二电极连接直流电容CDC的另一端；所述下管半导体器件S2*中设有中心可控击穿区域。本发明的模块化多电平换流器子模块完全省略传统MMC模块方案中的出口处的旁路晶闸管，从而降低子模块制造的体积和成本并简化系统的运行控制方案。
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公开(公告)号：CN110911482B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN201811083986.8
申请日：2018-09-17
IPC: H01L29/744
Abstract: 本发明提供一种门极换流关断晶闸管通态损耗改进方法，所述方法包括，所述方法通过工艺控制降低所述门极换流关断晶闸管的导通压降，从而减小所述晶闸管通态损耗；所述降低所述门极换流关断晶闸管的导通压降包括：降低门极换流关断晶闸管的硅的等效体电阻从而降低通态压降，和/或降低硅与两侧的金属块的接触压降。本发明的方法能够延长晶闸管使用寿命，增强了电子电路长期工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN110907787B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201811084141.0
申请日：2018-09-17
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种IGCT驱动电路高温特性批量检测装置及方法。装置包括高温测试箱体、多路隔离供电装置、多路信号检测装置和动作控制装置；所述高温测试箱体为批量IGCT驱动电路提供高温筛选环境；所述高温测试箱体通过信号反馈通道与所述多路信号检测装置相连接；所述高温测试箱体通过隔离供电通道与所述多路隔离供电装置相连接；所述动作控制装置分别与所述多路隔离供电装置和动作控制装置相连接。本公开所述装置及方法可以高效批量测试IGCT驱动电路高温，以便发现器件故障，提高安全性。
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