一种三维NaYF4上转换发光微米花及其制备方法

    公开(公告)号:CN112574749B

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202011464669.8

    申请日:2020-12-11

    Abstract: 本发明公开一种三维NaYF4上转换发光微米花及其制备方法,其中,三维NaYF4上转换发光微米花的制备方法包括以下步骤:S10、向含有Y3+、Yb3+和Er3+的初始溶液中加入乙醇胺,得前驱体溶液;S20、向前驱体溶液中加入NaBF4,并调节pH值为9~10,得到胶状溶液;S30、将胶状溶液在100~120℃条件下加热40~60min,然后分离、洗涤、干燥,即可得到三维NaYF4上转换发光微米花。该制备方法所需时间短且反应温度较低,适用于大规模生产;且最终制备得到了粒径均匀、发光性能良好、颜色可调的三维NaYF4上转换发光微米花,由于三维立体形貌的微米颗粒具有大的比表面积和复杂结构,更容易附着到生物细胞和病毒表面,因此,将其应用于生物成像和光动力治疗领域,效果较佳。

    一种三层纳米棒阵列异质结结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN114284372A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202111447082.0

    申请日:2021-11-30

    Abstract: 本发明公开一种三层纳米棒阵列异质结结构及其制备方法,涉及某技术领域。其中,所述三层纳米棒阵列异质结结构包括依次层叠设置的SnO2纳米棒阵列层、TiO2纳米棒阵列层和ZnO纳米棒阵列层。本发明通过构建三层纳米棒阵列、以及对每层纳米棒阵列中材料的合理选择,一方面使所述异质结结构具有梯度能带结构,从而能加速光生电子和空穴的分离,另一方面通过将每层设计为一维的纳米棒阵列结构,为光生载流子的传输提供了高速通道,两者协同作用,共同提高了电荷传输效率,使所述三层纳米棒阵列异质结结构的光电化学性能优异;此外,该三层纳米棒阵列异质结结构还具有比表面积大的特点,因此其对光的利用率高。

    基于有序SnO2纳米棒阵列的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN111739961B

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202010547524.8

    申请日:2020-06-16

    Abstract: 本发明涉及太阳能电池领域,具体而言,涉及一种基于有序SnO2纳米棒阵列的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法,包括导电基底、沉积于导电基底表面的SnO2晶种层、生长在SnO2晶种层表面的SnO2纳米棒阵列、沉积于SnO2纳米棒的间隙中和SnO2纳米棒表面的无机钙钛矿层、沉积于无机钙钛矿层表面的空穴传输层、以及沉积于空穴传输层表面的Au电极层。本发明的无机钙钛矿太阳能电池,其具备电荷传输快、电荷提取效率高、光电转化效率高和器件稳定性好等优点。本发明的制备方法,其操作简便、成本低、适用范围广,制得的太阳能电池稳定且高效。

    一种二氧化钛纳米棒阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN113135591A

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN202110316509.7

    申请日:2021-03-24

    Abstract: 本发明公开一种二氧化钛纳米棒阵列的制备方法,所述二氧化钛纳米棒阵列的制备方法包括以下步骤:提供一衬底;将聚乙烯吡咯烷酮溶解在1‑戊醇中,然后加入柠檬酸钠水溶液,混合形成透明的微乳液;将去离子水与浓盐酸混合搅拌后,向其中加入钛酸四丁酯,混合形成钛源前驱液;将所述微乳液和所述钛源前驱液混合,然后将所述衬底放入混合溶液中,然后在80~130℃的温度下反应5~30h,反应结束后取出所述衬底并清洗、烘干,得到生长于所述衬底表面的二氧化钛纳米棒阵列。本发明提供了一种反应条件温和的制备方法,大幅降低了常规水热法制备二氧化钛纳米棒阵列的反应温度,在80~130℃的反应温度下即可制备出结晶良好的二氧化钛纳米棒阵列。

    一种微米级六方相NaYF4上转换材料及其快速制备工艺

    公开(公告)号:CN109913218A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201910199622.4

    申请日:2019-03-15

    Abstract: 本发明涉及上转换材料技术领域,提出一种微米级六方相NaYF4上转换材料及其快速制备工艺。其中,微米级六方相NaYF4上转换材料的形貌均一、发光强度高。此外本发明还涉及一种上述微米级六方相NaYF4上转换材料的快速制备工艺,该合成工艺简单,制备过程快速、成本低廉;在制备过程中未添加有毒有害的有机原材料,具有极大的工业应用价值。

    一种4,7-二芳基噻吩并[2,3-d]哒嗪类铱配合物、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN119775321A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411950687.5

    申请日:2024-12-27

    Abstract: 本发明涉及发光材料的技术领域,具体涉及一种4,7‑二芳基噻吩并[2,3‑d]哒嗪类铱配合物、其制备方法及应用,本发明结构上设计并合成以噻吩并哒嗪为基本骨架的4,7‑二芳基噻吩并[2,3‑d]哒嗪类配体。在合成过程中,噻吩类双Weinreb酰胺的噻吩环上的S原子具有缺电子性,使得格式试剂只会定位取代在有S原子的一方(缺电子的一侧),进而生成定位取代的4,7‑二芳基噻吩并[2,3‑d]哒嗪类配体及其环金属铱配合物。用本发明的苯并噻吩并哒嗪类配体表现出强的共轭效应,其环金属铱配合物制成有机电致发光器件后,器件表现出优异的红光发射。

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