低阻值耐磨导电碳浆及其制备方法

    公开(公告)号:CN114974660A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210671074.2

    申请日:2022-06-14

    Abstract: 本发明公开一种低阻值耐磨导电碳浆及其制备方法,所述低阻值耐磨导电碳浆包括以下质量分数的组分:20~35%的有机溶剂、0.1~0.5%的消泡剂、0.1~0.5%的流平剂、0.1~0.5%的分散剂、40~50%的粘结剂以及20~30%的碳材料;其中,所述碳材料包括膨胀石墨和纳米碳粉,且所述膨胀石墨和所述纳米碳粉的质量比为(1~3):1。本发明提供的低阻值耐磨导电碳浆,能够降低用该碳浆制得的碳电极的方阻值,且能够提高用该碳浆制得的碳电极的耐磨寿命。

    荧光磷光双发射的三齿铱配合物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111961086B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202010840102.X

    申请日:2020-08-19

    Abstract: 本发明公开一种荧光磷光双发射的三齿铱配合物及其制备方法和应用,所述荧光磷光双发射的三齿铱配合物具有如结构式(Ⅰ)或(Ⅱ)所示的结构。本发明提供的荧光磷光双发射的三齿铱配合物,以苯基亚磷酸酯构建三齿结构,将现有的多齿铱配合物的柔性基团替换成刚性桥联基团,减少了铱配合物的自淬灭,并且提高了铱配合物的稳定性;同时在苯基亚磷酸酯的苯基上引入叔丁基,提高了铱配合物的溶解性,使本发明得到的荧光磷光双发射的三齿铱配合物在保证稳定性好的同时,溶解性也较好,提高了其实际使用价值。

    太阳能电池用二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层的制备方法

    公开(公告)号:CN111740014A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010548250.4

    申请日:2020-06-16

    Abstract: 本发明涉及纳米材料制备的技术领域,具体涉及一种太阳能电池用二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层的制备方法,首先在导电基底上沉积二维SnO2晶种层薄膜,接着在二维SnO2晶种层薄膜表面水热生长一维有序SnO2纳米棒阵列,之后在一维SnO2纳米棒阵列的间隙底部蒸镀沉积零维SnO2纳米颗粒,制备得到二维/一维/零维复合SnO2纳米晶电子传输层。本发明的制备方法,制备的电子传输层在厚度方向上高度取向,并具有较少的晶界,这能够加速电荷的传输;通过在一维SnO2纳米棒阵列的间隙底部沉积零维的SnO2纳米晶,能够有效减少因导电基底裸露而产生的漏电流,制备的电池的电荷收集效率高。

    复合光催化剂及其制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108855149A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201810602422.4

    申请日:2018-06-12

    Abstract: 复合光催化剂及其制备方法,属于光催化领域。复合光催化剂包括MoS2纳米片及吸附于MoS2纳米片的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱,Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层。其具备吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光催化产氢量子产率高等优点。复合光催化剂的制备方法包括将含MoS2纳米片的第一反应液滴加于含Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的第二反应液中超声分散,得复合光催化剂。其可控性好、成本低、适用范围广,制得的光催化剂吸光效率及产氢效率高。

    荧光共振能量转移光阳极及其制备方法

    公开(公告)号:CN107359050A

    公开(公告)日:2017-11-17

    申请号:CN201710569389.5

    申请日:2017-07-13

    CPC classification number: H01G9/2059

    Abstract: 一种荧光共振能量转移光阳极及其制备方法,属于光阳极技术领域。光阳极含导电基片、吸附于该基片的n型半导体膜及吸附于该半导体膜的光电传输层,光电传输层含连接于该半导体膜的方酸染料、连接于方酸染料的卤代硫醇及连接于卤代硫醇的Ⅰ型核壳结构量子点,该量子点的壳层导带位置高于方酸染料的LUMO能级。光谱响应范围宽、吸光效率高、荧光共振能量转移效率及光电转化效率高。方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于方酸染料醇溶液中敏化、于卤代硫代乙酸酯的甲苯溶液中回流卤代后水解,得连接有功能桥链分子的半导体光阳极;将含ZnS壳层的Ⅰ型核壳结构量子点分散于甲苯浸泡该半导体光阳极2~12h。操作简单、可控性好、成本低。

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