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公开(公告)号：CN102071405A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010570984.9
申请日：2010-12-03
Applicant: 湖南大学
IPC: C23C16/24
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅薄膜生长方法，高温下在装载有液态金属Sn的石英、石墨等耐高温槽内，采用化学气相沉积工艺，以SiH4、SiHCl3等硅的气态化学物为硅源、以O2为氧源或者NH3为氮源先在液态Sn表面沉积一层SiO2或者SiNx过渡层，接着以SiH4或者含H2的SiH4或SiHCl3为反应气体，在过渡层上沉积一层一定厚度的多晶硅薄膜。最后利用过渡层和液态金属锡不浸润的特性，从液态Sn表面分离多晶硅薄膜。本发明解决了高温生长多晶硅薄膜的衬底问题，使得大面积多晶硅薄膜和多晶硅薄膜电池低成本制备成为可能，具有重要产业化应用前景。
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公开(公告)号：CN101488531B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910042742.X
申请日：2009-02-27
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅基薄膜太阳能电池及其制作方法。主要包括：(1)沉积于透明导电玻璃衬底上的P型非晶硅薄膜；(2)和P型非晶硅薄膜连接的N型微米颗粒硅和透明氧化物的复合薄膜，(3)和N型复合硅薄膜接触的银或铝背电极。本发明提出的核心工艺为：1)按硅质量百分比为30～90％的比例，混合高纯N型导电类型的硅粉和无机氧化物纳米晶、胶体得到复合浆料；2)采用喷涂、印刷等成膜工艺结合退火处理在P型非晶硅层上沉积一层厚度为5-50微米的N型颗粒硅复合膜层。本发明引入了多晶硅/非晶硅异质PN结技术，同时采用颗粒多晶硅复合膜，避免了大粒径多晶硅薄膜难于直接沉积的难点，具有成本低廉，工艺简单且光电转换效率高等优势。
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公开(公告)号：CN101364619B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810143065.6
申请日：2008-10-08
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅薄膜太阳能电池的制作方法，首先将纯度大于99.999％的P型高纯多晶硅粉碎至粒度为5-50微米的高纯多晶硅粉末，然后涂敷于结合有铝电极的衬底上，形成高纯p型硅微米颗粒膜；通过退火工艺使硅微米颗粒和金属导电底电极界面合金化，接着在所述的硅颗粒单层膜上沉积n型硅层，或者依次沉积本征硅层、n型硅层；最后沉积一层透明导电电极层。本发明采用高纯多晶硅源料破碎、涂覆这一独特技术可以在玻璃、塑料、金属薄片等衬底上实现高质量多晶硅薄膜的沉积，用于太阳能电池制作工艺方法简单、生产成本低、光电转换效率高，具有非常广泛的产业化价值。
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公开(公告)号：CN101488537B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910042743.4
申请日：2009-02-27
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/0256 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅基异质结薄膜太阳能电池的制作方法，步骤包括：1)采用PECVD、等离子体增强物理气相沉积技术在透明导电玻璃上沉积一层厚度小于100纳米的N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜；2)按硅质量百分比30％-90％的比例，混合高纯P型或N型硅粉、EVA、PET或PI塑料单体得到复合原料；3)采用印刷吹膜或者流延等塑料成膜工艺在N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜上形成一层厚度适当的P型硅/塑料复合薄膜或N型硅/塑料复合薄膜；4)最后采用真空蒸发、溅射工艺制作铝背电极或银背电极，形成多晶硅/非晶硅异质结薄膜太阳能电池。本发明避免了大颗粒多晶硅薄膜难于直接沉积的难点，成本低廉，工艺简单，且光电转换效率高，具有广泛的产业化价值。
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公开(公告)号：CN101338415A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810032168.5
申请日：2008-08-27
Applicant: 湖南大学
Abstract: 一种等离子增强的感应蒸发硅薄膜沉积方法，是在真空环境下，感应加热高纯硅原料，产生的硅蒸汽经氢等离子体离化，并沉积于衬底，在所述感应加热装置和衬底之间，设置有电感耦合或者电容耦合等离子体发生装置。本发明工艺方法简单、操作方便、生产成本低、可以在玻璃、塑料、金属薄片等衬底上实现高质量硅薄膜的快速沉积、缺陷钝化、掺杂和微晶化，配以相应的衬底自动更换或者柔性衬底卷绕设备，即可实现连续化沉积，实现工业化生产，可替代现有硅薄膜沉积工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102005508B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010517864.2
申请日：2010-10-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种连续制备晶体硅太阳能电池PN结及减反膜的方法，该方法采用等离子体增强化学气相沉积技术先在已清洗制绒的P型（或N型）硅片上沉积磷掺杂（或硼掺杂）的氮化硅减反膜，然后再进行常规高温退火处理，使得氮化硅层中的磷（或硼）部分扩散至P型（或N型）硅片中，在硅片表面形成PN结。该方法与产业化晶体硅太阳能电池生产工艺兼容，不需要复杂的POCl3或BBr3扩散和后续磷硅或硼硅玻璃的去除步骤，制作工艺更加简单，适合低成本批量化生产。
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公开(公告)号：CN102064239A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010572038.8
申请日：2010-12-03
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明为多晶硅厚膜太阳能电池生产方法，步骤是：1.高温下，在装载有液态Sn的耐高温槽内，采用化学气相沉积工艺，以SiH4或者SiHCl3为硅源、以O2气为氧源在液态Sn表面沉积一层SiO2过渡层；2.在该过渡层上采用化学气相沉积法沉积一层厚度为10-150微米厚的硼掺杂P型或磷掺杂N型多晶硅，3.对该P型或N型多晶硅层通过原位磷或硼扩散在表面形成PN结；4.适当降低衬底温度，从液态Sn表面分离多晶硅厚膜PN结；5.采用常规工艺完成多晶硅厚膜电池制作。通过本发明制作的多晶硅厚膜太阳能电池光电转换效率可以超过16％，且省去了铸锭、切片等繁琐环节，能耗低、成本低，具有巨大的产业化价值。
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公开(公告)号：CN100503445C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610031592.9
申请日：2006-04-29
Applicant: 湖南大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 一种制备In2O3纳米线的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明提供了一种低温原位生长In2O3纳米线的方法。它采用真空加热系统，通过对依次镀有In膜和Au膜的基片进行两次退火，从In膜上原位生长出In2O3纳米线。第一次退火是在高纯氩气保护下进行130℃退火。第二次退火是在氩气和氧气组成的混合气体环境中进行400℃退火。利用该方法，通过改变In膜的厚度可制备出直径为～10纳米的细直纳米线和尖端直径为～10纳米的锥形纳米线。本发明提供的原位生长In2O3纳米线的方法可用于原位制备场发射器件和气体传感器件。
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公开(公告)号：CN101364619A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810143065.6
申请日：2008-10-08
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅薄膜太阳能电池的制作方法，首先将纯度大于99.999％的P型高纯多晶硅粉碎至粒度为5－50微米的高纯多晶硅粉末，然后涂敷于结合有铝电极的衬底上，形成高纯p型硅微米颗粒膜；通过退火工艺使硅微米颗粒和金属导电底电极界面合金化，接着在所述的硅颗粒单层膜上沉积n型硅层，或者依次沉积本征硅层、n型硅层；最后沉积一层透明导电电极层。本发明采用高纯多晶硅源料破碎、涂覆这一独特技术可以在玻璃、塑料、金属薄片等衬底上实现高质量多晶硅薄膜的沉积，用于太阳能电池制作工艺方法简单、生产成本低、光电转换效率高，具有非常广泛的产业化价值。
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公开(公告)号：CN101201333A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710167865.7
申请日：2006-04-21
Applicant: 湖南大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种制备ITO纳米线及其气体传感器的方法。纳米线的制备方法是：在衬底上沉积一层金膜；将氧化铟、氧化亚锡和石墨的粉末按比例混合后放入舟中，衬底放在舟上并一同加热、保温；加热炉内石英管中的气压保持在约300帕，并通入含有少量氧气的混合气体；炉冷却到室温后，微黄色产物在衬底上生成。传感器制备方法是：将纳米线用超声波分散到溶液中约2小时，烘干，所成浆料涂覆在有两个电极的陶瓷管上，浆料需覆盖在电极上，烘干或烧结，连接引线。这种ITO纳米线制备方法的优点在于简单、可控，成本低，材料有很好的气敏特性；气体传感器的优点有响应时间快、恢复时间短，性能稳定，噪声低，灵敏度高，适合于规模化的工业生产。
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