公开(公告)号：CN1868044B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200480030545.1

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: H01L21/314

Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。

公开(公告)号：CN101942648A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010226730.5

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: C23C16/32

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146

Abstract: 本发明涉及一种等离子CVD法用气体，包括不饱和碳氟化合物，并且含有作为杂质的不超过1×10-3原子％且多于0原子％的氢原子。

公开(公告)号：CN1327492C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN02826800.8

申请日：2002-10-31

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 菅原充 ,  山田俊郎 ,  杉本达也 ,  田中公章

IPC: H01L21/3065

Abstract: 含有碳原子数5或6的链状全氟炔烃、优选全氟-2-戊炔的等离子体反应用气体。该等离子体反应用气体适用于通过干式蚀刻形成微细图案、通过CVD形成薄膜和灰化。上述等离子体反应用气体可通过使二氢氟烷烃化合物或一氢氟烯烃化合物与碱性化合物接触合成。

公开(公告)号：CN1286672A

公开(公告)日：2001-03-07

申请号：CN98813747.X

申请日：1998-12-25

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 山田俊郎 ,  漆间贵史 ,  杉本达也

IPC: C07C23/02 ,  C07C23/08 ,  C07C17/23 ,  B01J23/44

CPC classification number: C07C23/08 ,  C07C17/00 ,  C07C17/208 ,  C07C17/23

Abstract: 通过在贵金属催化剂的存在下,在液相或汽相中氢化具有－CH2－CHF－基团和至少4个碳原子的化合物制备各具有－CH2－CHF－基团和至少4个碳原子的化合物。具有－CH2－CHF－基团和至少4个碳原子的所述化合物优选为C4－C10脂环化合物,并可通过使具有－CH2－CHF－基团和至少4个碳原子的化合物与氟化剂反应来制备。