公开(公告)号：CN101922566B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200910171113.7

申请日：2003-12-18

申请人： 株式会社富士金 ,  大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  池田信一 ,  西野功二 ,  永濑正明 ,  土肥亮介 ,  西村龙太郎

IPC分类号： F16K7/17 ,  G05D16/02

CPC分类号： F16K47/02 ,  F16K47/023 ,  F16L55/043 ,  Y10T137/0324 ,  Y10T137/0379 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/86389 ,  Y10T137/86461

摘要： 通过极为简单的装置及操作，不会发生水击、而且在短时间内，可以将流体通路紧急关闭。为此，由以下部分构成无水击关闭装置：加装在流体通路上的致动器动作式阀；向致动器动作式阀供应两级阶梯状的致动器动作压力Pa的电气变换装置；可自由拆装地固定到前述致动器动作式阀的上游侧管路上的振动传感器；输入由振动传感器检测出来的振动检测信号Pr、并且向电气变换装置输出控制前述两级阶梯状的致动器动作压力Pa的阶梯动作压力Ps′的大小的控制信号Sc，通过该控制信号Sc的调整、从电气变换装置输出振动检测信号Pr基本上成为零的阶梯动作压力Ps′的两级阶梯状的致动器压力Pa的调整箱。

公开(公告)号：CN101273445B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200580051725.2

申请日：2005-09-28

申请人： 大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  森本明大

IPC分类号： H01L21/60 ,  H05K3/32

CPC分类号： H01L24/81 ,  B23K20/004 ,  B23K20/02 ,  B23K20/10 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/67144 ,  H01L24/75 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/45099

摘要： 一种压接压接部的接合装置，通过使其内部的压接部气氛的水分浓度比装置外部气氛的水分浓度小，从而能够在低温、低压条件下进行压接。此时，形成压接部的接合金属端子及被接合金属端子的各表面的吸附水分量为1×1016分子/cm2以下。

公开(公告)号：CN101567389B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910141534.5

申请日：2004-05-24

申请人： 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

摘要： 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN101285537B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200810092800.5

申请日：2005-01-13

申请人： 株式会社富士金 ,  大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  西野功二 ,  永濑正明 ,  土肥亮介 ,  池田信一 ,  西村龙太郎

IPC分类号： F16K31/00 ,  F16K31/12 ,  F16K7/00 ,  F16K47/02

CPC分类号： F16K47/02 ,  Y10T137/0324 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/7762 ,  Y10T137/7842 ,  Y10T137/86389 ,  Y10T137/86397 ,  Y10T137/86461

摘要： 本发明提供一种流体通路的无水击打开方法以及药液供给方法，无论流体压力的大小如何均能够使上游侧流体通路中不产生水击而迅速且可靠地将流体通路打开。本发明的无水击打开方法利用设置在管路内部压力大致恒定的流体通路中的致动器动作式阀，将流体通路打开，向下游侧流体通路供给流体，首先将提供给所述致动器的驱动用输入增大或减小到规定的设定值而使阀芯向开阀方向移动，将提供给致动器的驱动用输入短时间保持在所述设定值上，之后，进一步增大或减小该驱动用输入而使阀变成全开状态，从而在不产生水击的情况下将流体通路打开。

公开(公告)号：CN101567388A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910141533.0

申请日：2004-05-24

申请人： 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H03K17/687

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

摘要： 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P－沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极－至－源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN100521115C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200480014594.6

申请日：2004-05-24

申请人： 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

摘要： 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN100447975C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200480006010.0

申请日：2004-03-04

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68

CPC分类号： H01L21/02052 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67173

摘要： 本发明的目的在于完全除去由于清洗而附着在衬底上的水分，并将该衬底在除去水分的状态下输送至成膜装置中。本发明是一种衬底处理系统(1)，其包括：清洗装置(3)，使用清洗液清洗衬底；水分去除装置(4)，除去在所述清洗装置(3)中清洗的衬底上附着的水分；以及输送部(7)，用于将在所述水分去除装置(4)中除去水分的衬底经过干燥气氛内输送至衬底的其他处理装置中。

公开(公告)号：CN100447961C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200480014164.4

申请日：2004-05-19

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  平山昌树

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0212 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3127

摘要： 本发明以改善氟化碳膜与衬底膜的粘合性为课题。为了解决该课题，本发明提供了一种在被处理基板上形成氟化碳膜的氟化碳膜的形成方法，其特征在于，包括第一工序与第二工序，其中，所述第一工序通过基板处理装置对稀有气体进行等离子体激发，通过被等离子体激发的所述稀有气体进行形成在所述被处理基板上的衬底膜的表面处理；所述第二工序在所述被处理基板上形成氟化碳膜，所述基板处理装置具有与微波电源电连接的微波天线。

公开(公告)号：CN101202297A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710160869.2

申请日：2004-03-25

申请人： 株式会社丰田自动织机 ,  大见忠弘

发明人： 加藤祥文 ,  大见忠弘 ,  须川成利 ,  森本明大

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L23/38 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  G02F1/133 ,  G02F1/13357

CPC分类号： G02F1/133385 ,  G02F1/133603 ,  H01L23/38 ,  H01L27/14658 ,  H01L51/529 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 一种液晶显示器，包含液晶板和起背光作用的有机EL器件。有机EL器件包含起衬底作用的珀耳帖元件，及形成于珀耳帖元件上的有机EL元件。有机EL元件包含有机EL层及将有机EL层夹在中间的第一和第二电极。第一电极与作为珀耳帖元件的热吸收电极的金属层共享。第二电极由传播可见光的ITO形成。有机EL元件发射出的光从第二电极射出。结果，有机EL器件很薄且具有优越的冷却效果。

公开(公告)号：CN100352016C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN01821537.8

申请日：2001-12-27

申请人： 大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

摘要： 一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包含以硅为衬底的多个晶体管和电容，其中，氢至少存在于所述硅衬底表面的一部分上，通过将所述表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除所述氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而在硅衬底表面上形成一种硅化合物层，该硅化合物层至少包含构成所述气体分子的一部分的元素。