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公开(公告)号:CN108713241B
公开(公告)日:2023-04-11
申请号:CN201780015580.3
申请日:2017-02-24
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/683 , C09J7/20
Abstract: 本发明提供一种切割芯片接合片(101),其在基材(11)上具备粘合剂层(12)、且在粘合剂层(12)上具备膜状粘接剂(13)而成,粘合剂层(12)的厚度为20μm~50μm,粘合剂层(12)的断裂伸长率为5%~50%。一种半导体芯片(9)的制造方法,该方法通过在该切割芯片接合片(101)的膜状粘接剂(13)的第1面(13a)上形成设置半导体晶片而成的中间结构体,使用切割刀在所述中间结构体上形成从所述半导体晶片的表面到达粘合剂层(12)但不到达基材(11)的切口(10),由此分割所述半导体晶片。
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公开(公告)号:CN111886309B
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN201880091676.2
申请日:2018-10-02
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及一种固化密封体的防翘曲用层叠体,其具有包含热固性树脂层(X1)的固化性树脂层(I)、和支撑固化性树脂层(I)的支撑层(II),固化性树脂层(I)具有粘合表面,该粘合表面具有粘合性,支撑层(II)具有基材(Y)及粘合剂层(V),基材(Y)及粘合剂层(V)中的至少一者包含热膨胀性粒子,所述防翘曲用层叠体中依次配置有固化性树脂层(I)、粘合剂层(V)及基材(Y),并且固化性树脂层(I)的所述粘合表面与粘合剂层(V)配置于相反侧,使固化性树脂层(I)的固化在2小时以内完成并形成为固化树脂层(I’)的固化最低温度(T1)是低于所述热膨胀性粒子的发泡起始温度(T2)的温度,所述固化密封体是在固化性树脂层(I)的所述粘合表面将密封对象物密封而制造的。
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公开(公告)号:CN108352365B
公开(公告)日:2021-08-10
申请号:CN201680063564.7
申请日:2016-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/12
Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用片(1),其是在第1支撑片(101)上层叠热固性树脂层(12)而成的,其中,热固性树脂层(12)是用于粘贴于半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行热固化而在所述表面形成第1保护膜的层,热固性树脂层(12)的第1支撑片(101)侧表面在热固化前的表面自由能与第1支撑片(101)的热固性树脂层(12)侧表面的表面自由能之差为10mJ/m2以上。
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公开(公告)号:CN113016055A
公开(公告)日:2021-06-22
申请号:CN201980074603.7
申请日:2019-10-11
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/38 , C09J133/00
Abstract: 本发明涉及一种工件加工用片,其具备基材与粘着剂层,所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成,且将所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力设为F0,将把所述工件加工用片贴合于硅晶圆而成的层叠体于150℃加热1小时,然后对构成所述层叠体的粘着剂层照射活性能量射线后的所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力设为F2时,粘着力F0为600mN/25mm以上20000mN/25mm以下,粘着力F2与粘着力F0的比(F2/F0)为0.66以下。根据该工件加工用片,可在加工工件时对该工件发挥充分的粘着力,且在经过加热处理之后能够与加工后的工件良好地分离。
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公开(公告)号:CN108140585B
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN201680061240.X
申请日:2016-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明的第1保护膜形成用片是在第1基材上层叠第1粘合剂层、并在上述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成的,上述固化性树脂层是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面上并通过进行固化而在上述表面上形成第1保护膜的层,在上述第1粘合剂层上层压上述固化性树脂层并进行固化处理后的上述第1粘合剂层及上述固化性树脂层之间的层间剥离力(1)大于在无铅焊锡SAC305的镜面抛光面上层压上述固化性树脂层并进行固化处理后的无铅焊锡SAC305的镜面抛光面及上述固化性树脂层之间的层间剥离力(2),且上述层间剥离力(1)为2.0~100N/25mm。
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公开(公告)号:CN112789334A
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN201880098044.9
申请日:2018-10-02
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及一种层叠体,其具有能量射线固化性树脂层(I)、和支撑该能量射线固化性树脂层(I)的支撑层(II),上述能量射线固化性树脂层(I)包含具有粘合性的表面,上述支撑层(II)具有基材(Y)及粘合剂层,该基材(Y)及粘合剂层中的至少一者含有热膨胀性粒子,由上述能量射线固化性树脂层(I)固化而成的固化树脂层(I')和上述支撑层(II)通过使上述热膨胀性粒子膨胀的处理而在其界面分离。
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公开(公告)号:CN111902503A
公开(公告)日:2020-11-06
申请号:CN201880091673.9
申请日:2018-10-02
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及一种固化密封体的防翘曲用层叠体,其具有包含热固性树脂层(X1)的固化性树脂层(I)、和支撑固化性树脂层(I)的支撑层(II),热固性树脂层(X1)直接层叠于支撑层(II),固化性树脂层(I)相对于测定用被粘附物的剪切强度以下述值计为20N/(3mm×3mm)以上,所述值是以具备3mm×3mm的镜面的厚度350μm的硅芯片为所述测定用被粘附物,在温度70℃下、以130gf将所述测定用被粘附物的镜面按压1秒钟而粘贴至所述固化性树脂层,以速度200μm/s进行测定时的值,所述固化密封体是用密封材料在固化性树脂层(I)的第1表面将密封对象物密封而制造的,所述第1表面是与支撑层(II)为相反侧的表面。
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公开(公告)号:CN111886309A
公开(公告)日:2020-11-03
申请号:CN201880091676.2
申请日:2018-10-02
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及一种固化密封体的防翘曲用层叠体,其具有包含热固性树脂层(X1)的固化性树脂层(I)、和支撑固化性树脂层(I)的支撑层(II),固化性树脂层(I)具有粘合表面,该粘合表面具有粘合性,支撑层(II)具有基材(Y)及粘合剂层(V),基材(Y)及粘合剂层(V)中的至少一者包含热膨胀性粒子,所述防翘曲用层叠体中依次配置有固化性树脂层(I)、粘合剂层(V)及基材(Y),并且固化性树脂层(I)的所述粘合表面与粘合剂层(V)配置于相反侧,使固化性树脂层(I)的固化在2小时以内完成并形成为固化树脂层(I’)的固化最低温度(T1)是低于所述热膨胀性粒子的发泡起始温度(T2)的温度,所述固化密封体是在固化性树脂层(I)的所述粘合表面将密封对象物密封而制造的。
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公开(公告)号:CN109287125A
公开(公告)日:2019-01-29
申请号:CN201780025300.7
申请日:2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L23/29 , H01L23/31 , C09J201/00
Abstract: 本发明涉及一种带保护膜的半导体芯片(19)的制造方法,其中,对依次具备支撑片(10)、能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)及半导体晶圆(18)的层叠体的半导体晶圆(18)进行切割,接着,对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而使其固化。本发明也涉及一种半导体装置的制造方法,其中,拾取带保护膜的半导体芯片(19),并将半导体芯片(19)连接于衬底。
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公开(公告)号:CN108271381A
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201780003864.0
申请日:2017-01-05
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , H01L21/304 , C09J201/00
CPC classification number: H01L21/304 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片1,其至少具备基材10、半导体贴附层80、及剥离膜30,基材10的第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01~0.8μm,在将基材10的第一面101与剥离膜30的第二面302的界面上的剥离力设为α,并将在半导体贴附层80的第二面802与剥离膜30的第一面301的界面上的剥离力设为β时,α比β的比值(α/β)为0以上且小于1.0,剥离力β为10~1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时、不容易发生粘连。
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