保护膜形成用片
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108352365B

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN201680063564.7

    申请日:2016-11-02

    Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用片(1),其是在第1支撑片(101)上层叠热固性树脂层(12)而成的,其中,热固性树脂层(12)是用于粘贴于半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行热固化而在所述表面形成第1保护膜的层,热固性树脂层(12)的第1支撑片(101)侧表面在热固化前的表面自由能与第1支撑片(101)的热固性树脂层(12)侧表面的表面自由能之差为10mJ/m2以上。

    工件加工用片
    14.
    发明公开
    工件加工用片 审中-实审

    公开(公告)号:CN113016055A

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN201980074603.7

    申请日:2019-10-11

    Abstract: 本发明涉及一种工件加工用片,其具备基材与粘着剂层,所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成,且将所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力设为F0,将把所述工件加工用片贴合于硅晶圆而成的层叠体于150℃加热1小时,然后对构成所述层叠体的粘着剂层照射活性能量射线后的所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力设为F2时,粘着力F0为600mN/25mm以上20000mN/25mm以下,粘着力F2与粘着力F0的比(F2/F0)为0.66以下。根据该工件加工用片,可在加工工件时对该工件发挥充分的粘着力,且在经过加热处理之后能够与加工后的工件良好地分离。

    第1保护膜形成用片
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108140585B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201680061240.X

    申请日:2016-11-02

    Abstract: 本发明的第1保护膜形成用片是在第1基材上层叠第1粘合剂层、并在上述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成的,上述固化性树脂层是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面上并通过进行固化而在上述表面上形成第1保护膜的层,在上述第1粘合剂层上层压上述固化性树脂层并进行固化处理后的上述第1粘合剂层及上述固化性树脂层之间的层间剥离力(1)大于在无铅焊锡SAC305的镜面抛光面上层压上述固化性树脂层并进行固化处理后的无铅焊锡SAC305的镜面抛光面及上述固化性树脂层之间的层间剥离力(2),且上述层间剥离力(1)为2.0~100N/25mm。

    半导体加工用片
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108271381A

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201780003864.0

    申请日:2017-01-05

    CPC classification number: H01L21/304 C09J7/20 C09J201/00

    Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片1,其至少具备基材10、半导体贴附层80、及剥离膜30,基材10的第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01~0.8μm,在将基材10的第一面101与剥离膜30的第二面302的界面上的剥离力设为α,并将在半导体贴附层80的第二面802与剥离膜30的第一面301的界面上的剥离力设为β时,α比β的比值(α/β)为0以上且小于1.0,剥离力β为10~1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时、不容易发生粘连。

Patent Agency Ranking