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公开(公告)号:CN112694840A
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN202011446311.2
申请日:2017-03-22
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/683
Abstract: 一种半导体加工用片,其在基材上具备粘合剂层,且具有以下特性:将该粘合剂层的厚度设为200μm时,该厚度200μm的粘合剂层在0℃的储能模量为1000MPa以下,并且将该半导体加工用片贴附于半导体晶片的镜面时,该粘合剂层对该镜面的粘合力为200mN/25mm以下。
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公开(公告)号:CN109005665B
公开(公告)日:2020-12-25
申请号:CN201780020092.1
申请日:2017-03-22
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/683 , B32B27/00
Abstract: 一种半导体加工用片,其在基材上具备粘合剂层,且具有以下特性:将该粘合剂层的厚度设为200μm时,该厚度200μm的粘合剂层在0℃的储能模量为1000MPa以下,并且将该半导体加工用片贴附于半导体晶片的镜面时,该粘合剂层对该镜面的粘合力为200mN/25mm以下。
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公开(公告)号:CN106104774B
公开(公告)日:2018-06-12
申请号:CN201580014322.4
申请日:2015-03-16
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/52
CPC classification number: H01L24/29 , C09J7/38 , C09J133/06 , C09J133/12 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/114 , C09J2433/00 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68386 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2224/27 , H01L2924/0665 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供一种管芯键合层形成膜、附着有管芯键合层形成膜的加工件及半导体装置。本发明的管芯键合层形成膜(1),其具备用于将加工工件而得到的加工件固着于被粘物的粘接剂层,其中,当测定粘接剂层的储能弹性模量的温度依从关系时,在80℃至150℃的范围内具有储能弹性模量的极小值,将经由管芯键合层形成膜(1)载置有加工件的剥离强度检查基板上的管芯键合层形成膜(1)在175℃下加热1小时之后,进一步在250℃的环境下保持30秒钟之后,所测定的粘接剂层相对于剥离强度检查基板的剪切强度为20N/2mm□以上50N/2mm□以下。根据该种管芯键合层形成膜(1),具备即使承受热履历,在粘接剂层与被粘物的边界上气泡(孔隙)也难以成长,并且,具备引线键合适性优异的粘接剂层。
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公开(公告)号:CN106104774A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201580014322.4
申请日:2015-03-16
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/52
CPC classification number: H01L24/29 , C09J7/38 , C09J133/06 , C09J133/12 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/114 , C09J2433/00 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68386 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2224/27 , H01L2924/0665 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供一种管芯键合层形成膜、附着有管芯键合层形成膜的加工件及半导体装置。本发明的管芯键合层形成膜(1),其具备用于将加工工件而得到的加工件固着于被粘物的粘接剂层,其中,当测定粘接剂层的储能弹性模量的温度依从关系时,在80℃至150℃的范围内具有储能弹性模量的极小值,将经由管芯键合层形成膜(1)载置有加工件的剥离强度检查基板上的管芯键合层形成膜(1)在175℃下加热1小时之后,进一步在250℃的环境下保持30秒钟之后,所测定的粘接剂层相对于剥离强度检查基板的剪切强度为20N/2mm□以上50N/2mm□以下。根据该种管芯键合层形成膜(1),具备即使承受热履历,在粘接剂层与被粘物的边界上气泡(孔隙)也难以成长,并且,具备引线键合适性优异的粘接剂层。
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公开(公告)号:CN104955912A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201480006604.5
申请日:2014-05-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J133/00 , C09J5/00 , C09J7/00 , C09J7/02 , C09J11/04 , C09J163/00 , C09J163/10 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L24/29 , C08J3/242 , C08J2333/12 , C08K3/36 , C08K9/04 , C08L33/066 , C08L63/00 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J133/066 , C09J133/10 , C09J163/00 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2924/0635 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/27 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供了一种粘接剂组合物、具有该粘接剂组合物所构成的粘接剂层的粘接片以及使用该粘接片的半导体装置的制造方法,所述组合物能够在粘接剂层中将填料均匀的混合,即使在多段封装的制造时对粘接剂层采用一次全部固化工序的情况下,也能够在固化前稳定的进行打线,在固化后显示优异的粘接强度,特别是在半导体装置中能够获得高封装可靠性。本发明的粘接剂组合物包含丙烯酸聚合物(A)、具有反应性双键基的热固性树脂(B)以及在表面上具有反应性双键基的填料(C),该丙烯酸聚合物(A)的重均分子量为50万以上,该热固性树脂(B)由环氧树脂以及热固化剂所构成,该环氧树脂以及该热固化剂中的任一方或者双方具有反应性双键基。
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公开(公告)号:CN108713241B
公开(公告)日:2023-04-11
申请号:CN201780015580.3
申请日:2017-02-24
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/683 , C09J7/20
Abstract: 本发明提供一种切割芯片接合片(101),其在基材(11)上具备粘合剂层(12)、且在粘合剂层(12)上具备膜状粘接剂(13)而成,粘合剂层(12)的厚度为20μm~50μm,粘合剂层(12)的断裂伸长率为5%~50%。一种半导体芯片(9)的制造方法,该方法通过在该切割芯片接合片(101)的膜状粘接剂(13)的第1面(13a)上形成设置半导体晶片而成的中间结构体,使用切割刀在所述中间结构体上形成从所述半导体晶片的表面到达粘合剂层(12)但不到达基材(11)的切口(10),由此分割所述半导体晶片。
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公开(公告)号:CN109041580A
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201780018918.0
申请日:2017-02-24
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , B23K26/53 , C09J201/00 , C09J7/20
CPC classification number: B23K26/53 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/683
Abstract: 本发明的膜状粘接剂(13)是固化性的膜状粘接剂,厚度为60μm的固化前的单层的膜状粘接剂(13)、或者将固化前的2层以上的膜状粘接剂(13)按照总厚度为60μm的方式层叠而成的层叠体在0℃下的断裂伸长率为60%以下,固化前的膜状粘接剂(13)对于半导体晶片的粘接力为300mN/25mm以上。本发明的半导体加工用片(1)在具有基材(11)的支撑片(10)上设置有膜状粘接剂(13)。
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公开(公告)号:CN109005665A
公开(公告)日:2018-12-14
申请号:CN201780020092.1
申请日:2017-03-22
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , H01L21/683 , B32B27/00 , C09J201/00
CPC classification number: B32B27/00 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 一种半导体加工用片,其在基材上具备粘合剂层,且具有以下特性:将该粘合剂层的厚度设为200μm时,该厚度200μm的粘合剂层在0℃的储能模量为1000MPa以下,并且将该半导体加工用片贴附于半导体晶片的镜面时,该粘合剂层对该镜面的粘合力为200mN/25mm以下。
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公开(公告)号:CN104955912B
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201480006604.5
申请日:2014-05-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J133/00 , C09J5/00 , C09J7/00 , C09J7/02 , C09J11/04 , C09J163/00 , C09J163/10 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L24/29 , C08J3/242 , C08J2333/12 , C08K3/36 , C08K9/04 , C08L33/066 , C08L63/00 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J133/066 , C09J133/10 , C09J163/00 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2924/0635 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/27 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供了一种粘接剂组合物、具有该粘接剂组合物所构成的粘接剂层的粘接片以及使用该粘接片的半导体装置的制造方法,所述组合物能够在粘接剂层中将填料均匀的混合,即使在多段封装的制造时对粘接剂层采用一次全部固化工序的情况下,也能够在固化前稳定的进行打线,在固化后显示优异的粘接强度,特别是在半导体装置中能够获得高封装可靠性。本发明的粘接剂组合物包含丙烯酸聚合物(A)、具有反应性双键基的热固性树脂(B)以及在表面上具有反应性双键基的填料(C),该丙烯酸聚合物(A)的重均分子量为50万以上,该热固性树脂(B)由环氧树脂以及热固化剂所构成,该环氧树脂以及该热固化剂中的任一方或者双方具有反应性双键基。
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公开(公告)号:CN108713241A
公开(公告)日:2018-10-26
申请号:CN201780015580.3
申请日:2017-02-24
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/683 , C09J7/20
CPC classification number: H01L21/683 , C09J7/20
Abstract: 本发明提供一种切割芯片接合片(101),其在基材(11)上具备粘合剂层(12)、且在粘合剂层(12)上具备膜状粘接剂(13)而成,粘合剂层(12)的厚度为20μm~50μm,粘合剂层(12)的断裂伸长率为5%~50%。一种半导体芯片(9)的制造方法,该方法通过在该切割芯片接合片(101)的膜状粘接剂(13)的第1面(13a)上形成设置半导体晶片而成的中间结构体,使用切割刀在所述中间结构体上形成从所述半导体晶片的表面到达粘合剂层(12)但不到达基材(11)的切口(10),由此分割所述半导体晶片。
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