热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法

    公开(公告)号:CN112602202A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN201980055211.6

    申请日:2019-08-27

    Abstract: 本发明提供能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、从而能够以最佳的退火温度实现热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法、以及使用了通过该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法。该热电转换材料的芯片(3a,3b)的制造方法是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法,该方法包括:(A)在基板(1)上形成牺牲层(21)的工序;(B)在所述牺牲层上形成由所述热电半导体组合物形成的热电转换材料层(3)的工序;(C)对所述热电转换材料层进行退火处理的工序;(D)将退火处理后的热电转换材料层转印至粘合剂层(11b)的工序;(E)将热电转换材料层单片化为热电转换材料的芯片的工序;以及(F)将单片化后的热电转换材料的芯片剥离的工序。

    挠性热电转换元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN110235261A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201880008368.9

    申请日:2018-01-24

    Abstract: 本发明提供一种能够对热电转换模块内部的热电元件在面内方向赋予足够的温度差的具有高热电性能的挠性热电转换元件及其制造方法,在该挠性热电转换元件中,在膜基板的一面交替且相邻地配置有P型热电元件和N型热电元件的热电转换模块中,在该热电转换模块的两面中至少所述膜基板的另一面侧的部分位置包含由高导热性材料形成的高导热层,所述高导热层的导热系数为5~500(W/m·K)。

    热电转换材料及其制造方法

    公开(公告)号:CN104641479B

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201480002414.6

    申请日:2014-07-25

    CPC classification number: H01L35/16 H01L35/26 H01L35/34

    Abstract: 本发明提供一种热电转换材料及其制造方法,所述热电转换材料的热电性能和弯曲性优异,能够以低成本简便地制造。所述热电转换材料包括支撑体和在该支撑体上具有的薄膜,所述薄膜由含有热电半导体微粒、耐热性树脂和离子液体的热电半导体组合物形成。所述热电转换材料的制造方法是制造包括支撑体和在该支撑体上具有的薄膜的热电转换材料的方法,所述薄膜由含有热电半导体微粒、耐热性树脂和离子液体的热电半导体组合物形成,该方法包括:在支撑体上涂布含有热电半导体微粒、耐热性树脂和离子液体的热电半导体组合物并进行干燥而形成薄膜的工序,以及对该薄膜进行退火处理的工序。

    热电转换组件
    16.
    发明公开
    热电转换组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116368965A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202180073852.1

    申请日:2021-10-28

    Abstract: 本发明提供不具有支撑基材的薄型的热电转换组件,其具备一体化物、第1电极和第2电极,上述一体化物包含绝缘体,该绝缘体以填充由相互隔开的P型热电转换材料的芯片和N型热电转换材料的芯片形成的空隙的方式构成,上述第1电极位于上述一体化物的一面,其是将上述P型热电转换材料的芯片的一面和上述N型热电转换材料的芯片的一面接合的共用的电极,上述第2电极位于上述一体化物的另一面,与上述第1电极对置,其是将上述N型热电转换材料的芯片的另一面和上述P型热电转换材料的芯片的另一面接合的共用的电极,上述P型热电转换材料的芯片和上述N型热电转换材料的芯片通过上述第1电极和上述第2电极而串联电连接,在上述热电转换组件的两面不具有基材。

    热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了由该制造方法得到的芯片的热电转换组件的制造方法

    公开(公告)号:CN112602204A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN201980055839.6

    申请日:2019-08-27

    Abstract: 本发明提供能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、能够以最佳退火温度进行热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片的制造方法、以及使用了该芯片(13)的热电转换组件的制造方法。所述热电转换材料的芯片的制造方法是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法,该方法包括:(A)在基板(1)上形成牺牲层(2)的工序;(B)在所述工序(A)中得到的所述牺牲层上形成所述热电转换材料的芯片的工序;(C)对所述工序(B)中得到的所述热电转换材料的芯片进行退火处理的工序;以及(D)将所述工序(C)中得到的退火处理后的所述热电转换材料的芯片剥离的工序。所述热电转换组件的制造方法中使用了上述热电转换材料的芯片的制造方法得到的芯片。

    帕尔贴冷却元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN107112409A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201580069409.1

    申请日:2015-12-24

    Abstract: 本发明提供一种热电性能及弯曲性优异,且能够以低成本简便地制造的帕尔贴冷却元件,所述帕尔贴冷却元件使用了热电转换材料,所述热电转换材料在支撑体上具有由含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物形成的薄膜。本发明还提供一种帕尔贴冷却元件的制造方法,所述帕尔贴冷却元件使用了热电转换材料,所述热电转换材料在支撑体上具有由含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物形成的薄膜,该制造方法包括:将含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物涂布在支撑体上并进行干燥而形成薄膜的工序;对该薄膜进行退火处理的工序。

    导热性粘接片、其制造方法、以及使用其的电子器件

    公开(公告)号:CN107109151A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201580069936.2

    申请日:2015-08-20

    Abstract: 本发明谋求导热性粘接片的高导热部及低导热部的尺寸精度的提高、以及低导热部的低导热系数化,进而提供可容易地叠层于电子器件、能够为该电子器件的内部赋予足够的温度差的导热性粘接片、其制造方法及使用了该导热性粘接片的电子器件。本发明的导热性粘接片包含粘接剂层、以及包含高导热部和低导热部的基材,其中,在该基材的一面叠层有粘接剂层,并且在该低导热部含有中空填料,且该中空填料的含量为低导热部总体积中的20~90体积%,另外,该基材的另一面由该低导热部的和与该粘接剂层接触的面相反侧的面、以及该高导热部的和与该粘接剂层接触的面相反侧的面构成,或者,该高导热部和该低导热部的至少任一者构成该基材的厚度的一部分。

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